Patent search cpc:"H01L2924/186" Page 1

1.

发明公开
具有硅聚合物涂层的电路载体有权

公开(公告)号：CN106232747A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201480073145.2

申请日：2014-12-02

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： I·法里亚 , P·普法伊菲尔 , H·埃尔辛格 , A·哈恩

IPC: C09D183/04 , H01L23/26

CPC classification number: H01L23/295 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08K2003/2227 , C08K2003/265 , C08K2003/267 , C08K2201/003 , C08K2201/005 , C09D183/04 , H01L21/563 , H01L23/26 , H01L23/296 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L2224/29611 , H01L2224/32225 , H01L2924/0002 , H01L2924/186 , C08L83/00 , H01L2924/00 , C08K3/26

Abstract: 本发明涉及一种电路载体，具有至少一个电子结构元件，其中，电子结构元件与所述电路载体、尤其是所述电路载体的印制导线借助焊剂被焊接起来，其中，所述电路载体具有用于防凝露的保护层，其中，所述电路载体的表面至少部分地由所述保护层覆盖，其中，所述保护层通过硅聚合物层构成，其中，所述硅聚合物层具有在所述硅聚合物层中均匀分布的填充颗粒，其中，所述填充颗粒具有至少一种碱土金属盐。

2.

发明公开
半导体器件及其制造方法有权

公开(公告)号：CN105321891A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510274149.3

申请日：2015-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴念芳 , 史朝文 , 江永平 , 蔡豪益

IPC: H01L23/24 , H01L21/54

CPC classification number: H01L23/3114 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/04 , H01L23/06 , H01L23/10 , H01L23/13 , H01L23/293 , H01L23/31 , H01L23/3142 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/94 , H01L2224/0231 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05172 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05672 , H01L2224/0568 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/1132 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/181 , H01L2924/186 , H01L2924/3512 , H01L2224/11 , H01L2224/03

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括芯片衬底、模具和缓冲层。在芯片衬底上方设置模具。缓冲层从外部嵌入芯片衬底和模具之间。缓冲层具有的弹性模量或热膨胀系数小于模具的弹性模量或热膨胀系数。方法包括：设置至少覆盖衬底的划线的缓冲层；在衬底上方形成模具，并且模具覆盖缓冲层；以及沿着划线并穿过模具、缓冲层和衬底进行切割。

3.

发明公开
底部填充材料以及采用底部填充材料的半导体装置的制造方法有权

公开(公告)号：CN105283948A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480002131.1

申请日：2014-09-10

Applicant: 迪睿合株式会社

Inventor： 小山太一

IPC: H01L21/60 , C09J7/00 , C09J11/06 , C09J133/16 , C09J163/02

CPC classification number: C09J163/00 , C08G59/4215 , C08L63/00 , C09D133/066 , C09J133/20 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/293 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/2929 , H01L2224/29291 , H01L2224/29387 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81204 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/9211 , H01L2224/9212 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/186 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/05341 , H01L2924/0549 , H01L2924/0532 , H01L2924/0102 , H01L2924/0544 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2224/27 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L21/78 , C08L33/16

Abstract: 提供一种能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性的底部填充材料以及使用该底部填充材料的半导体装置的制造方法。采用一种底部填充材料，其含有环氧树脂、酸酐、丙烯树脂和有机过氧化物，在60℃以上100℃以下的任意温度，显示非宾厄姆流动性，动态粘弹性测定中的储存弹性率G’在10E＋02rad/s以下的角频率区域具有拐点，该拐点以下的角频率中的储存弹性率G’为10E＋05Pa以上10E＋06Pa以下。由此，能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性。

4.

发明公开
认证装置和认证方法无效

公开(公告)号：CN102375975A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110240221.2

申请日：2011-08-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松丸康浩 , 小川健太

IPC: G06K9/00

CPC classification number: G06K9/00 , G06K9/00577 , H01L23/295 , H01L23/3128 , H01L23/544 , H01L23/573 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L2223/5442 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/186 , H01L2224/0401 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了一种认证装置和认证方法。其中认证装置包括：认证信息存储单元，其存储从包括形成在电子组件上的杂色图案或点图案的一部分或全部的认证图案获取的认证信息作为用于识别多个电子组件中的每一个的信息；认证信息获取单元，其获取从形成在是要被认证的目标的第一电子组件上的认证图案获取的第一认证信息；搜索单元，其通过使用第一认证信息作为搜索关键字来搜索认证信息存储单元是否存储了第一认证信息；和输出单元，其输出搜索单元的搜索结果。

5.

发明授权
半导体器件及其制造方法有权

公开(公告)号：CN105321891B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201510274149.3

申请日：2015-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴念芳 , 史朝文 , 江永平 , 蔡豪益

IPC: H01L23/24 , H01L21/54

CPC classification number: H01L23/3114 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/04 , H01L23/06 , H01L23/10 , H01L23/13 , H01L23/293 , H01L23/31 , H01L23/3142 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/94 , H01L2224/0231 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05172 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05672 , H01L2224/0568 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/1132 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/181 , H01L2924/186 , H01L2924/3512 , H01L2224/11 , H01L2224/03

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括芯片衬底、模具和缓冲层。在芯片衬底上方设置模具。缓冲层从外部嵌入芯片衬底和模具之间。缓冲层具有的弹性模量或热膨胀系数小于模具的弹性模量或热膨胀系数。方法包括：设置至少覆盖衬底的划线的缓冲层；在衬底上方形成模具，并且模具覆盖缓冲层；以及沿着划线并穿过模具、缓冲层和衬底进行切割。

6.

发明公开
半导体装置用接合线无效转让

公开(公告)号：CN106688086A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201680002657.9

申请日：2016-05-19

Applicant: 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社

Inventor： 山田隆 , 小田大造 , 榛原照男 , 大石良 , 斋藤和之 , 宇野智裕

IPC: H01L21/60

CPC classification number: B23K35/0227 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2101/40 , B32B15/00 , B32B15/01 , B32B15/018 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , C23C30/00 , C23C30/005 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45111 , H01L2224/45113 , H01L2224/45118 , H01L2224/4512 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/45178 , H01L2224/45541 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2224/78 , H01L2224/78251 , H01L2224/85 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85203 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01034 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/0665 , H01L2924/0705 , H01L2924/10253 , H01L2924/186 , Y10T428/12868 , Y10T428/12875 , Y10T428/12882 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/2495 , Y10T428/24967 , Y10T428/265 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01045 , H01L2924/01049 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01031 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/00015 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/20105 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01027 , H01L2924/01047 , H01L2924/01013

Abstract: 一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层，可谋求高温下的球接合部的接合可靠性的提高和耐力比(＝最大耐力/0.2％耐力)为1.1～1.6。通过在线中包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素来提高在高温下的球接合部的接合可靠性，而且，在对与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面测定晶体取向所得到的结果中，通过使线长度方向的晶体取向之中相对于线长度方向角度差为15度以下的晶体取向＜100＞的取向比率为30％以上，使与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面的平均结晶粒径为0.9～1.5μm，从而使耐力比为1.6以下。

7.

发明授权
热固性树脂组合物失效

公开(公告)号：CN105051105B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201480017846.4

申请日：2014-03-18

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 田村护 , 大桥拓矢 , 榎本智之

IPC: C08L61/34 , C08G59/40 , C08L63/00 , C09J11/04 , C09J161/34 , C09J163/00

CPC classification number: C08G73/06 , C08G59/40 , C08K3/013 , C08K5/54 , C08K5/544 , C08K9/06 , C08L61/34 , C08L63/00 , C08L79/04 , C09J161/34 , C09J163/00 , C09J179/04 , H01L21/563 , H01L23/295 , H01L23/3142 , H01L24/26 , H01L24/29 , H01L2224/2919 , H01L2924/0665 , H01L2924/186 , C08K3/0033

Abstract: 本发明的课题是提供一种新型的热固性树脂组合物。解决手段是一种热固性树脂组合物，含有具有至少一种下述式(1)所示的结构单元的聚合物。{式(1)中，R1及R2分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，X表示单键或2价有机基团，Y表示下述式(2)所示的亚芳基。(式(2)中，Z1表示羰基或‑CONH‑基，Z2表示碳原子数1～5的亚烷基、或至少含有1个氮原子的5元环或6元环的2价的饱和杂环基，Z3表示至少1个氢原子可被碳原子数1～5的烷基取代的、含有2个氮原子的5元环或6元环的芳香族杂环基。)}

8.

发明公开
囊封半导体装置的环氧树脂组成物和其囊封的半导体封装有权

公开(公告)号：CN106189099A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510217082.X

申请日：2015-04-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金相珍 , 李殷祯 , 赵镛寒

IPC: C08L63/04 , C08L63/00 , C08L83/07 , C08K9/06 , C08K7/18 , C08K3/04 , H01L23/29

CPC classification number: H01L23/296 , C08G77/20 , C08K3/36 , C08L63/04 , C08L83/04 , C08L2205/05 , C09D163/04 , H01L23/295 , H01L24/32 , H01L33/56 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2924/00015 , H01L2924/01014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0715 , H01L2924/186 , H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供一种用于囊封半导体装置的环氧树脂组成物和其囊封的半导体封装。所述环氧树脂组成物包含(A)环氧树脂、(B)包含由式3表示的重复单元的聚有机硅氧烷树脂、(C)固化剂、(D)固化促进剂以及(E)无机填充剂。所述环氧树脂组成物展现高抗裂性和对半导体装置和硅类晶粒胶粘剂极好的粘着性，且使用所述环氧树脂组成物囊封的半导体封装具有高可靠性：[式3] 其中R1、R2、R3以及R4与本说明书中所定义相同。