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1.

发明授权
半导体装置用接合线有权转让

公开(公告)号：CN107041160B

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201580002609.5

申请日：2015-06-05

Applicant: 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社

Inventor： 小田大造 , 江藤基稀 , 山田隆 , 榛原照男 , 大石良 , 宇野智裕 , 小山田哲哉

IPC: H01L21/60 , C22C9/00 , C22F1/08

CPC classification number: H01L24/45 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45109 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45609 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48011 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48507 , H01L2224/48824 , H01L2224/85045 , H01L2224/85054 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/8509 , H01L2224/85203 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/10253 , H01L2924/1576 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/01204 , H01L2924/01049 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/20105 , H01L2924/20656 , H01L2924/00 , H01L2924/2011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033

Abstract: 本发明提供一种适合车载用装置的接合线，其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材、和在所述Cu合金芯材的表面形成的Pd被覆层，该接合线包含0.011～1.2质量％的In，Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm。因此，能够提高高温高湿环境下的球接合部的接合寿命并改善接合可靠性。当Cu合金芯材含有分别为0.05～1.2质量％的Pt、Pd、Rh、Ni中的1种以上时，能够提高在175℃以上的高温环境下的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成Au表皮层时，楔接合性改善。

2.

发明公开
半导体装置用接合线有权转让

公开(公告)号：CN107004613A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580068575.X

申请日：2015-12-11

Applicant: 新日铁住金高新材料株式会社 , 日铁住金新材料股份有限公司

Inventor： 小山田哲哉 , 宇野智裕 , 小田大造 , 山田隆

IPC: H01L21/60 , C22C5/06 , C22F1/00 , C22F1/14

Abstract: 提供一种能够同时地满足对存储器用接合线所要求的要求的球接合可靠性和楔接合性的接合线，该接合线的特征在于，具备芯材和形成于所述芯材的表面的被覆层，所述芯材含有总计为0.1～3.0原子％的Ga、In和Sn中的1种以上，余量包含Ag和不可避免的杂质，所述被覆层含有Pd和Pt中的1种以上、或者Pd和Pt中的1种以上和Ag，余量包含不可避免的杂质，所述被覆层的厚度为0.005～0.070μm。

3.

发明授权
半导体装置用接合线有权转让

公开(公告)号：CN105830205B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201480068797.7

申请日：2014-12-04

Applicant: 新日铁住金高新材料株式会社 , 日铁住金新材料股份有限公司

Inventor： 宇野智裕 , 萩原快朗 , 小山田哲哉 , 小田大造

IPC: H01L21/60 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22C9/06

CPC classification number: H01L24/45 , B23K35/0227 , B23K35/3006 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K35/322 , B32B15/01 , B32B15/018 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22C9/00 , C22C9/06 , C25D5/12 , C25D5/50 , C25D7/0607 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45032 , H01L2224/45101 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45163 , H01L2224/45164 , H01L2224/45166 , H01L2224/45541 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45655 , H01L2224/45664 , H01L2224/4809 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/85444 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/013 , H01L2924/10253 , H01L2924/206 , H01L2924/386 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/00 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/2076 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01049 , H01L2924/01004 , H01L2924/01204 , H01L2924/01033 , H01L2924/01203

Abstract: 本发明提供能够减少异常环路的发生的接合线。所述接合线的特征在于，具备：芯材，其含有超过50mol％的金属M；中间层，其形成于所述芯材的表面，包含Ni、Pd、所述金属M和不可避免的杂质，所述Ni的浓度为15～80mol％；以及，被覆层，其形成于所述中间层上，包含Ni、Pd和不可避免的杂质，所述Pd的浓度为50～100mol％，所述金属M为Cu或Ag，所述被覆层的Ni浓度低于所述中间层的Ni浓度。

4.

发明公开
半导体装置用接合线有权转让

公开(公告)号：CN107195609A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710593376.1

申请日：2015-05-20

Applicant: 新日铁住金高新材料株式会社 , 日铁住金新材料股份有限公司

Inventor： 小山田哲哉 , 宇野智裕 , 出合博之 , 小田大造

IPC: H01L23/49

CPC classification number: H01L24/45 , C22C5/10 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45015 , H01L2224/45101 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45117 , H01L2224/45138 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45163 , H01L2224/45164 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48479 , H01L2224/48507 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/01048 , H01L2924/01028 , H01L2924/01005 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01004 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01203 , H01L2924/01044 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2224/48471 , H01L2924/00015 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/013 , H01L2924/01033 , H01L2224/4554 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供能够满足在高密度安装中要求的接合可靠性、弹回性能、芯片损伤性能的接合线。一种接合线，其特征在于，由总计为0.05～5原子％的In、Ga、Cd中的1种以上、以及其余量构成，所述其余量为Ag和不可避免的杂质。

5.

发明公开
半导体装置用接合线无效转让

公开(公告)号：CN106233447A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020829.0

申请日：2015-04-21

Applicant: 新日铁住金高新材料株式会社 , 日铁住金新材料股份有限公司

Inventor： 小山田哲哉 , 宇野智裕 , 出合博之

IPC: H01L21/60 , C22C9/00 , C22C9/06

CPC classification number: H01L24/45 , B23K35/302 , B32B15/018 , B32B15/20 , C22C9/00 , C22C9/06 , H01L24/43 , H01L2224/05624 , H01L2224/4321 , H01L2224/43825 , H01L2224/43827 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45541 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/01078 , H01L2924/013 , H01L2924/10253 , H01L2924/00 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004 , H01L2924/01204 , H01L2924/01028 , H01L2924/01033

Abstract: 提供一种改善球接合部的接合可靠性、球形成性，并适合于车载用装置的接合线。一种半导体装置用接合线，其特征在于，具有Cu合金芯材、和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，所述Cu合金芯材包含Ni，相对于线整体，Ni的浓度为0.1～1.2重量％，所述Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm。

6.

发明公开
半导体装置用接合线有权转让

公开(公告)号：CN105492637A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201580001736.3

申请日：2015-05-20

Applicant: 新日铁住金高新材料株式会社 , 日铁住金新材料股份有限公司

Inventor： 小山田哲哉 , 宇野智裕 , 出合博之 , 小田大造

IPC: C22C5/06 , C22F1/14 , H01L21/60 , C22F1/00

CPC classification number: H01L24/45 , C22C5/10 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45015 , H01L2224/45101 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45117 , H01L2224/45138 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45163 , H01L2224/45164 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48479 , H01L2224/48507 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/01048 , H01L2924/01028 , H01L2924/01005 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01004 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01203 , H01L2924/01044 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2224/48471 , H01L2924/00015 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/013 , H01L2924/01033 , H01L2224/4554

Abstract: 本发明提供能够满足在高密度安装中要求的接合可靠性、弹回性能、芯片损伤性能的接合线。一种接合线，其特征在于，包含总计为0.05～5原子％的In、Ga、Cd中的1种以上，其余量包含Ag和不可避免的杂质。

7.

发明公开
半导体装置用接合线有权转让

公开(公告)号：CN108292612A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680070327.3

申请日：2016-09-23

Applicant: 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社

Inventor： 小田大造 , 大壁巧 , 榛原照男 , 山田隆 , 小山田哲哉 , 宇野智裕

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明的课题是提供实现球接合部的充分且稳定的接合强度，即使在低环时也不会发生颈损伤，倾斜特性良好，FAB形状良好的以Ag为主成分的半导体装置用接合线。为了解决所述课题，本发明涉及的半导体装置用接合线，其特征在于，含有总计为0.031原子％～0.180原子％的Be、B、P、Ca、Y、La、Ce中的一种以上，还含有总计为0.05原子％～5.00原子％的In、Ga、Cd中的一种以上，余量包含Ag和不可避免的杂质。由此，能够成为能充分地形成球部接合界面的金属间化合物层来确保球接合部的接合强度，并且即使在低环时也不会发生颈损伤，倾斜特性良好，FAB形状良好的半导体装置用接合线。