公开(公告)号：CN105517947A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201380079527.1

申请日：2013-09-13

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： M.温普林格

IPC: B81C3/00 ,  H01L23/10

CPC classification number: H01L24/83 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/036 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29123 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/8302 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2924/01003 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10251 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1026 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/1037 ,  H01L2924/10371 ,  H01L2924/10372 ,  H01L2924/10373 ,  H01L2924/10375 ,  H01L2924/10376 ,  H01L2924/10377 ,  H01L2924/10821 ,  H01L2924/10823 ,  H01L2924/10831 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0103

Abstract: 本发明涉及一种用于将由基本层及保护层组成的接合层施加到基板上的方法，其具有以下方法步骤：将可氧化的基本材料作为基本层施加到该基板的接合侧上，用可至少部分地溶解于该基本材料中的保护材料作为保护层来至少部分地覆盖该基本层。另外，本发明涉及一种相应的基板。

公开(公告)号：CN101039068B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200710007322.9

申请日：2007-01-25

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 吉村弘幸

IPC: H02M3/155 ,  H02M1/08 ,  H01F27/28 ,  H01F27/42

CPC classification number: H01F19/08 ,  H01F17/0013 ,  H01F2019/085 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10375 ,  H01L2924/10522 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/3011 ,  H02M1/08 ,  H02M7/538 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/18 ,  H03K17/567 ,  H03K17/6871 ,  H03K17/691 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01004

Abstract: 本发明的电力电子设备包括：空芯型绝缘变压器TU1到TU3，它们插放在接地到车体的控制电路1和偏置在高电压下的上臂2之间；以及空芯型绝缘变压器TD1到TD3，它们位于接地到车体的控制电路1和偏置在高电压下的下臂2之间，并且每一个空芯型绝缘变压器TU1到TU3和TD1到TD3都包括彼此相对的主线圈和副线圈。本发明的电力电子设备有利于提高其对危险环境的耐受性，抑制经时劣化，减小外部磁通量所引起的噪声的不利效应，并且在使低电压和高电压两侧彼此电绝缘的情况下发送和接收信号。

公开(公告)号：CN101039068A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710007322.9

申请日：2007-01-25

Applicant: 富士电机电子设备技术株式会社

Inventor： 吉村弘幸

IPC: H02M3/155 ,  H02M1/08 ,  H01F27/28 ,  H01F27/42

CPC classification number: H01F19/08 ,  H01F17/0013 ,  H01F2019/085 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10375 ,  H01L2924/10522 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/3011 ,  H02M1/08 ,  H02M7/538 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/18 ,  H03K17/567 ,  H03K17/6871 ,  H03K17/691 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01004

Abstract: 本发明的电力电子设备包括：空芯型绝缘变压器TU1到TU3，它们插放在接地到车体的控制电路1和偏置在高电压下的上臂2之间；以及空芯型绝缘变压器TD1到TD3，它们位于接地到车体的控制电路1和偏置在高电压下的下臂2之间，并且每一个空芯型绝缘变压器TU1到TU3和TD1到TD3都包括彼此相对的主线圈和副线圈。本发明的电力电子设备有利于提高其对危险环境的耐受性，抑制经时劣化，减小外部磁通量所引起的噪声的不利效应，并且在使低电压和高电压两侧彼此电绝缘的情况下发送和接收信号。

公开(公告)号：CN102422403B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201080021256.0

申请日：2010-07-20

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 北浦秀敏 ,  古泽彰男 ,  酒谷茂昭 ,  中村太一 ,  松尾隆广

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27472 ,  H01L2224/2901 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10375 ,  H01L2924/10376 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明的半导体元器件(100)包括：半导体元件(101)；以及接合层(102)，该接合层(102)形成于半导体元件(101)的一个面上，由Bi为主要成分的接合材料构成，在接合层(102)的与半导体元件(101)相接的面的相反一侧的面上形成有凸部(103)。使用该半导体元器件(100)，使其与被配置成与接合层(102)彼此相对的电极(201)接合，从而能够抑制空隙的产生。

公开(公告)号：CN102422403A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080021256.0

申请日：2010-07-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北浦秀敏 ,  古泽彰男 ,  酒谷茂昭 ,  中村太一 ,  松尾隆广

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27472 ,  H01L2224/2901 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10375 ,  H01L2924/10376 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明的半导体元器件(100)包括：半导体元件(101)；以及接合层(102)，该接合层(102)形成于半导体元件(101)的一个面上，包含以Bi为主要成分的接合材料，在接合层(102)的与半导体元件(101)相接的面的相反一侧的面上形成有凸部(103)。使用该半导体元器件(100)，使其与被配置成与接合层(102)彼此相对的电极(201)接合，从而能够抑制空隙的产生。