Patent search cpc:"H01L2924/20757" Page 1

1.

发明公开
电路装置及其制造方法无效

公开(公告)号：CN107301955A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710466498.4

申请日：2011-09-23

Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

Inventor： 真下茂明 , 堀内文夫 , 工藤清昭 , 樱井章 , 稻垣裕纪

IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/433 , H01L23/495 , H01L23/49 , H01L25/07

CPC classification number: H02M7/537 , H01L21/4825 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L23/4334 , H01L23/49531 , H01L23/49541 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/20753 , H05K1/0203 , H05K1/181 , Y10T29/4916 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种电路装置及其制造方法。该电路装置是具有良好的散热性的小型的电路装置。在本发明的混合集成电路装置(10)中，在电路基板(12)的上面固定安装有引线(18)及引线(20)。引线(18)具有岛部(28)、倾斜部(30)及引线部(32)，在岛部(28)的上面安装有晶体管(22)及二极管(24)。设置于晶体管(22)及二极管(24)的上面的电极经由金属细线(26)和接合部(34)相连接。引线(18)的接合部(34)被设置在相比岛部(28)位于上方的位置，从而与接合部(34)相连接的金属细线(26)彼此分开。

2.

发明授权
具有线键合通孔的堆叠封装组件有权

公开(公告)号：CN104011858B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201280062529.5

申请日：2012-10-16

Applicant: 英闻萨斯有限公司

Inventor： 埃利斯·周 , 雷纳多·科 , 罗莎娜·阿拉托雷 , 菲利普·丹贝格 , 王纬舜 , 杨世英 , 赵志军

IPC: H01L25/10 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/498 , H01L21/48

CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/4853 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3677 , H01L23/4334 , H01L23/49517 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05599 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/45565 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48997 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/851 , H01L2224/8518 , H01L2224/85399 , H01L2224/85951 , H01L2224/85986 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06558 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1029 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2225/1094 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/1715 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19107 , H01L2924/3511 , H05K3/3436 , H05K2201/10515 , H05K2201/1053 , Y10T29/49149 , Y10T29/49151 , H01L2224/45664 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076

Abstract: 一种微电子封装(10)可以包括具有键合至衬底(12)上的各个导电元件(28)的基(34)和相对于基(34)的端部(36)的线键合(32)。介质封装层(42)从衬底(12)延伸且覆盖线键合(32)的部分，以使线键合(32)的被覆盖部分通过封装层(42)相互分离，其中线键合(32)的未封装部分(39)由线键合(32)的未被封装层(42)覆盖的部分限定。未封装部分(39)设置成具有最小间距的图案，该最小间距大于相邻的线键合(32)的基(34)之间的第一最小间距。

3.

发明公开
耐腐蚀及耐湿性的基于铜的含镍接合线无效

公开(公告)号：CN107109532A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580062949.7

申请日：2015-11-26

Applicant: 贺利氏材料新加坡私人有限公司

Inventor： 廖金枝 , 张兮 , M·萨兰加帕尼 , S·毕诺巴吉 , T·E·富由·富由 , 卓志伟

IPC: C22C9/00 , B32B15/01 , C22C9/06 , C22F1/08 , C23C28/00

CPC classification number: C22C9/00 , B32B15/01 , B32B15/018 , C22C1/02 , C22C1/03 , C22C9/06 , C22F1/08 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C28/023 , C23C28/042 , C25D5/10 , C25D7/0607 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/43848 , H01L2224/45014 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2924/00014 , H01L2224/45015 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/206 , H01L2924/01028 , H01L2924/01047 , H01L2924/01201 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203

Abstract: 一种包括芯的线，所述芯包括以下各项或由以下各项组成：(a)镍，其量处于从0.005wt.‑％到5wt.‑％的范围中，(b)任选地，银，其量处于从0.005wt.‑％到1wt.‑％的范围中，c)铜，其量处于从94wt.‑％到99.98wt.‑％的范围中，及(d)0wt.‑ppm到100wt.‑ppm的其它组分，其中以wt.‑％及wt.‑ppm计的所有量均基于所述芯的总重量，其中所述芯具有处于从1.5μm到30μm的范围中的平均晶粒大小，所述平均大小是根据线截取方法而确定，其中所述线具有处于从8μm到80μm的范围中的平均直径。

4.

发明公开
具有埃(*)厚的表面氧化物层的铜键合丝有权转让

公开(公告)号：CN106661672A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580034280.0

申请日：2015-06-17

Applicant: 贺利氏德国有限两合公司

Inventor： M.萨兰加帕尼 , 张兮 , 杨平熹 , E.米尔克

IPC: C22C9/00 , C22F1/08 , C21D9/52 , C21D1/76

CPC classification number: H01L24/45 , B21C1/003 , B21C1/02 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/43985 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45686 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0541 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2924/00015

Abstract: 具有10至80微米的直径的铜丝，其中铜丝本体材料是≥ 99.99重量%纯铜或由10至1000重量ppm银和/或0.1至3重量%钯及补足100重量%的作为余量的铜构成的铜合金，其特征在于所述铜丝具有0.5至

5.

发明公开
用于接合应用的涂覆线无效

公开(公告)号：CN105745356A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201380081083.5

申请日：2013-11-21

Applicant: 贺利氏德国有限两合公司

Inventor： A.卢卡斯 , P.温策尔 , M.多伊施勒 , E.米尔克 , S.托马斯 , J.沙夫

IPC: C23C26/00 , C23C18/08 , C23C30/00 , C23C14/00 , C23C16/00 , H01L21/00 , C23C18/02

CPC classification number: B23K35/40 , B23K20/007 , B23K20/10 , B23K35/0261 , B23K35/0272 , B23K35/30 , B23K35/3006 , B23K35/302 , B23K35/322 , B23K35/404 , B23K2101/42 , C22F1/08 , C23C14/14 , C23C18/08 , C23C28/00 , C23C30/00 , C23F17/00 , C25D5/34 , C25D7/0607 , H01B1/026 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/745 , H01L24/85 , H01L2224/05124 , H01L2224/05624 , H01L2224/4321 , H01L2224/43823 , H01L2224/43825 , H01L2224/43826 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45647 , H01L2224/45663 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/45673 , H01L2224/45676 , H01L2224/45678 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/48824 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85444 , H01L2924/00011 , H01L2924/01076 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H05K1/09 , H05K2201/10287 , H05K2203/049 , Y10T428/12875 , Y10T428/12889 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01046 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2924/20303 , H01L2924/20304 , H01L2924/20305 , H01L2924/00012 , H01L2924/01006 , H01L2924/01001 , H01L2924/01008 , H01L2924/01007 , H01L2924/01204 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/00013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033

Abstract: 本发明涉及接合线，其包含具有表面（15）的芯（2）和涂层（3），其中芯（2）包含选自铜和银的芯主要组分，涂层（3）至少部分叠加在芯（2）的表面（15）上，其中涂层（3）包含选自钯、铂、金、铑、钌、锇和铱的涂层组分，其中通过使液体的膜沉积在线芯前体上从而将涂层施加在芯的表面上，其中所述液体包含涂层组分前体，并且其中加热所沉积的膜以使涂层组分前体分解成金属相。

6.

发明授权
Ag-Au-Pd三元合金接合线有权

公开(公告)号：CN103155130B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180049000.5

申请日：2011-11-01

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 千叶淳 , 手岛聪 , 小林佑 , 安德优希

IPC: H01L21/60 , C22C5/06

CPC classification number: C22C5/06 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/431 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45164 , H01L2224/48463 , H01L2224/48507 , H01L2224/48599 , H01L2224/48624 , H01L2224/48824 , H01L2224/85075 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01063 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/00014 , H01L2924/01007 , H01L2924/01046 , H01L2924/01039 , H01L2924/01064 , H01L2924/0106 , H01L2924/01062 , H01L2924/01004 , H01L2924/01083 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/2075 , H01L2924/20754 , H01L2924/01205 , H01L2924/01022 , H01L2924/01077 , H01L2924/00013

Abstract: 本发明的目的是提高用于在高温和高湿度环境中使用的半导体的接合线键合至铝焊点的可靠性。解决方式是一种用于半导体装置的Ag-Au-Pd三元合金接合线，所述接合线由4-10质量％的具有99.999质量％以上的纯度的金，2-5质量％的具有99.99质量％以上的纯度的钯和剩余质量％的具有99.999质量％以上的纯度的银制成。这种用于半导体的接合线包含15-70重量ppm的氧化性非贵金属元素，并且在通过模具连续拉伸之前经过热退火，且在通过模具连续拉伸之后经过热回火，并且这种接合线在氮氛中进行球焊。在铝焊点与线之间的界面处的Ag2Al金属间化合物层与Ag-Au-Pd三元合金线之间的腐蚀由Au2Al和富Pb层抑制。

7.

发明授权
接合线用铜线材及接合线用铜线材的制造方法有权

公开(公告)号：CN103608910B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201280028930.7

申请日：2012-07-17

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 熊谷训 , 中本齐

IPC: H01L21/60 , B21C1/00 , C22C9/00 , C22F1/08

CPC classification number: C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/745 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01038 , H01L2924/01056 , H01L2924/01088 , H01L2924/0104 , H01L2924/01022 , H01L2924/01105 , H01L2924/2076 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/00015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01082 , H01L2924/01016 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/01006 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033

Abstract: 本发明的接合线用铜线材为用于形成线径为180μm以下的接合线的铜线材。铜线材的线材直径为0.15mm以上3.0mm以下。铜线材具有如下组成，即以总计在0.0001质量%以上0.01质量%以下的范围内含有选自Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Zr、Ti及稀土元素中的一种以上的添加元素，且余量为铜及不可避免杂质。铜线材中，特殊晶界比率（Lσ/L）为50%以上，所述特殊晶界比率为以EBSD法测定的特殊晶界的长度Lσ相对于全部晶界的长度L的比率。

8.

发明公开
半导体装置及半导体装置的制造方法有权

公开(公告)号：CN105190858A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480012154.0

申请日：2014-04-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 百濑文彦 , 齐藤隆 , 木户和优 , 西村芳孝

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/29 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05541 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/4851 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/73265 , H01L2224/85 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/2064 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01026 , H01L2924/0104 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00015 , H01L2924/014 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076

Abstract: 本发明提供一种通过引线(7)电连接半导体元件与电路层的模块结构的半导体装置，在半导体元件的正面电极(12)的表面形成正面金属膜(14)，在该正面金属膜(14)上通过引线键合而接合有引线(7)。正面金属膜(14)的硬度比正面电极(12)或引线(7)的硬度高。如此，能够提高半导体装置的功率循环能力。

9.

发明授权
绝缘构件、金属基底衬底、半导体模块及其制造方法有权

公开(公告)号：CN102290384B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110172889.8

申请日：2011-06-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 冈本健次 , 雁部龙也

IPC: H01L23/373 , H01L23/12 , H01L21/48

CPC classification number: H01L23/3107 , H01L21/565 , H01L23/295 , H01L23/4334 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/4911 , H01L2224/85205 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/2076 , Y10T428/25 , Y10T428/251 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20759 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/2075 , H01L2924/20754 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供散热性和击穿强度两者都更好的绝缘构件、使用该绝缘构件的金属基底衬底和半导体模块及其制造方法。本发明的绝缘构件包括：环氧树脂；第一无机填料，该第一无机填料扩散入环氧树脂，且具有1-99nm的平均粒径；以及第二无机填料，该第二无机填料扩散入环氧树脂，且具有0.1-100μm的平均粒径。第一无机填料和第二无机填料彼此独立，且是从包括Al2O3、SiO2、BN、AlN、和Si3N4的组中选出的至少一种物质，绝缘构件中的第一无机填料和第二无机填料的混合比分别为0.1到7重量％和80到95重量％。可通过将金属箔和金属基底分别形成在绝缘构件的任一表面上从而形成金属基底衬底。