Patent search cpc:"H01L2924/20759" Page 1

1.

发明公开
电路装置及其制造方法无效

公开(公告)号：CN107301955A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710466498.4

申请日：2011-09-23

Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

Inventor： 真下茂明 , 堀内文夫 , 工藤清昭 , 樱井章 , 稻垣裕纪

IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/433 , H01L23/495 , H01L23/49 , H01L25/07

CPC classification number: H02M7/537 , H01L21/4825 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L23/4334 , H01L23/49531 , H01L23/49541 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/20753 , H05K1/0203 , H05K1/181 , Y10T29/4916 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种电路装置及其制造方法。该电路装置是具有良好的散热性的小型的电路装置。在本发明的混合集成电路装置(10)中，在电路基板(12)的上面固定安装有引线(18)及引线(20)。引线(18)具有岛部(28)、倾斜部(30)及引线部(32)，在岛部(28)的上面安装有晶体管(22)及二极管(24)。设置于晶体管(22)及二极管(24)的上面的电极经由金属细线(26)和接合部(34)相连接。引线(18)的接合部(34)被设置在相比岛部(28)位于上方的位置，从而与接合部(34)相连接的金属细线(26)彼此分开。

2.

发明授权
具有线键合通孔的堆叠封装组件有权

公开(公告)号：CN104011858B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201280062529.5

申请日：2012-10-16

Applicant: 英闻萨斯有限公司

Inventor： 埃利斯·周 , 雷纳多·科 , 罗莎娜·阿拉托雷 , 菲利普·丹贝格 , 王纬舜 , 杨世英 , 赵志军

IPC: H01L25/10 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/498 , H01L21/48

CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/4853 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3677 , H01L23/4334 , H01L23/49517 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05599 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/45565 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48997 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/851 , H01L2224/8518 , H01L2224/85399 , H01L2224/85951 , H01L2224/85986 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06558 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1029 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2225/1094 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/1715 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19107 , H01L2924/3511 , H05K3/3436 , H05K2201/10515 , H05K2201/1053 , Y10T29/49149 , Y10T29/49151 , H01L2224/45664 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076

Abstract: 一种微电子封装(10)可以包括具有键合至衬底(12)上的各个导电元件(28)的基(34)和相对于基(34)的端部(36)的线键合(32)。介质封装层(42)从衬底(12)延伸且覆盖线键合(32)的部分，以使线键合(32)的被覆盖部分通过封装层(42)相互分离，其中线键合(32)的未封装部分(39)由线键合(32)的未被封装层(42)覆盖的部分限定。未封装部分(39)设置成具有最小间距的图案，该最小间距大于相邻的线键合(32)的基(34)之间的第一最小间距。

3.

发明授权
Ag-Au-Pd三元合金接合线有权

公开(公告)号：CN103155130B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180049000.5

申请日：2011-11-01

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 千叶淳 , 手岛聪 , 小林佑 , 安德优希

IPC: H01L21/60 , C22C5/06

CPC classification number: C22C5/06 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/431 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45164 , H01L2224/48463 , H01L2224/48507 , H01L2224/48599 , H01L2224/48624 , H01L2224/48824 , H01L2224/85075 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01063 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/00014 , H01L2924/01007 , H01L2924/01046 , H01L2924/01039 , H01L2924/01064 , H01L2924/0106 , H01L2924/01062 , H01L2924/01004 , H01L2924/01083 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/2075 , H01L2924/20754 , H01L2924/01205 , H01L2924/01022 , H01L2924/01077 , H01L2924/00013

Abstract: 本发明的目的是提高用于在高温和高湿度环境中使用的半导体的接合线键合至铝焊点的可靠性。解决方式是一种用于半导体装置的Ag-Au-Pd三元合金接合线，所述接合线由4-10质量％的具有99.999质量％以上的纯度的金，2-5质量％的具有99.99质量％以上的纯度的钯和剩余质量％的具有99.999质量％以上的纯度的银制成。这种用于半导体的接合线包含15-70重量ppm的氧化性非贵金属元素，并且在通过模具连续拉伸之前经过热退火，且在通过模具连续拉伸之后经过热回火，并且这种接合线在氮氛中进行球焊。在铝焊点与线之间的界面处的Ag2Al金属间化合物层与Ag-Au-Pd三元合金线之间的腐蚀由Au2Al和富Pb层抑制。

4.

发明授权
接合线用铜线材及接合线用铜线材的制造方法有权

公开(公告)号：CN103608910B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201280028930.7

申请日：2012-07-17

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 熊谷训 , 中本齐

IPC: H01L21/60 , B21C1/00 , C22C9/00 , C22F1/08

CPC classification number: C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/745 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01038 , H01L2924/01056 , H01L2924/01088 , H01L2924/0104 , H01L2924/01022 , H01L2924/01105 , H01L2924/2076 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/00015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01082 , H01L2924/01016 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/01006 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033

Abstract: 本发明的接合线用铜线材为用于形成线径为180μm以下的接合线的铜线材。铜线材的线材直径为0.15mm以上3.0mm以下。铜线材具有如下组成，即以总计在0.0001质量%以上0.01质量%以下的范围内含有选自Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Zr、Ti及稀土元素中的一种以上的添加元素，且余量为铜及不可避免杂质。铜线材中，特殊晶界比率（Lσ/L）为50%以上，所述特殊晶界比率为以EBSD法测定的特殊晶界的长度Lσ相对于全部晶界的长度L的比率。

5.

发明公开
半导体装置及半导体装置的制造方法有权

公开(公告)号：CN105190858A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480012154.0

申请日：2014-04-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 百濑文彦 , 齐藤隆 , 木户和优 , 西村芳孝

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/29 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05541 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/4851 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/73265 , H01L2224/85 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/2064 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01026 , H01L2924/0104 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00015 , H01L2924/014 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076

Abstract: 本发明提供一种通过引线(7)电连接半导体元件与电路层的模块结构的半导体装置，在半导体元件的正面电极(12)的表面形成正面金属膜(14)，在该正面金属膜(14)上通过引线键合而接合有引线(7)。正面金属膜(14)的硬度比正面电极(12)或引线(7)的硬度高。如此，能够提高半导体装置的功率循环能力。

6.

发明授权
绝缘构件、金属基底衬底、半导体模块及其制造方法有权

公开(公告)号：CN102290384B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110172889.8

申请日：2011-06-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 冈本健次 , 雁部龙也

IPC: H01L23/373 , H01L23/12 , H01L21/48

CPC classification number: H01L23/3107 , H01L21/565 , H01L23/295 , H01L23/4334 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/4911 , H01L2224/85205 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/2076 , Y10T428/25 , Y10T428/251 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20759 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/2075 , H01L2924/20754 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供散热性和击穿强度两者都更好的绝缘构件、使用该绝缘构件的金属基底衬底和半导体模块及其制造方法。本发明的绝缘构件包括：环氧树脂；第一无机填料，该第一无机填料扩散入环氧树脂，且具有1-99nm的平均粒径；以及第二无机填料，该第二无机填料扩散入环氧树脂，且具有0.1-100μm的平均粒径。第一无机填料和第二无机填料彼此独立，且是从包括Al2O3、SiO2、BN、AlN、和Si3N4的组中选出的至少一种物质，绝缘构件中的第一无机填料和第二无机填料的混合比分别为0.1到7重量％和80到95重量％。可通过将金属箔和金属基底分别形成在绝缘构件的任一表面上从而形成金属基底衬底。

7.

发明公开
一种极微细镀钯铜键合丝及其制作方法有权

公开(公告)号：CN104716118A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201510092824.0

申请日：2015-03-02

Applicant: 安徽华晶微电子材料科技有限公司

Inventor： 程平 , 李明 , 郑东风

IPC: H01L23/49 , H01L21/48

CPC classification number: C22C9/00 , C22C5/04 , C25D5/10 , C25D7/0607 , H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2924/01205 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/01204 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01206

Abstract: 本发明公开了一种极微细镀钯铜键合丝及其制作方法，选取极微细铜或者铜合金丝，所述极微细铜或铜合金丝是以高纯铜为主体或添加一定量合金元素一起熔铸拉拔而成，并连续穿过极微细电镀装置中的除油、第一清洗、活化、第二清洗、阳极、第三清洗和烘干槽，并由烘干槽烘干后收于收线系统的收线盘上，从而得到极微细镀钯铜键合丝。本发明以高纯铜为主体及或添加一定量合金元素熔铸拉拔成0.03mm以下极微细铜或铜合金丝，在极微细层面直接对丝线进行表面电镀钯膜层处理，以满足半导体集成电路及LED封装领域键合丝线所需。

8.

发明授权
引线焊接方法以及半导体装置有权

公开(公告)号：CN102203928B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200880131605.7

申请日：2008-12-03

Applicant: 株式会社新川

Inventor： 三井竜成 , 鄭森介 , 木内逸人

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 , B23K20/007 , B23K2101/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/4809 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/78301 , H01L2224/85181 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , Y10T29/49124 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599

Abstract: 在引线焊接方法中，包括：第一焊接工序，由毛细管使得形成在引线前端的初始球接合在第一焊接点(11)，形成压焊球(12)；引线推压工序，多次反复实行使得毛细管大致垂直地上升后、使得毛细管向着第二焊接点(19)方向朝着斜下方下降比毛细管上升量少的量的连续动作，在多个位置朝着第二焊接点(19)方向推压引线；第二焊接工序，使得毛细管上升，接着，使得毛细管朝着第二焊接点(19)方向移动，通过将引线压焊在第二焊接点(19)上接合。由此，在第一焊接点和第二焊接点的焊接中，能一边抑制引线强度低下，一边能使得引线环高度更低。