-
公开(公告)号：CN113345807B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110418968.6
申请日：2021-04-19
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制备方法，通过激光退火对衬底背面的第一导电类型掺杂层进行局部退火，利用激光退火后退火区域比未进行退火区域的抗刻蚀能力强的特性，可以基于激光退火区域和未进行激光退火区域的抗刻蚀差异性，仅刻蚀掉第一导电类型掺杂层中未进行退火的区域进行刻蚀以在该区域形成凹槽，最后通过在衬底的背面注入第二导电类型离子并进行激光退火，从而能在衬底背面形成凹凸结构的第一导电类型集电极层和第二导电类型集电极层。该方法有效避免了光刻工艺并降低了碎片率，极大的提高了背面图形化半导体器件的制备效率并降低了制造成本。
-
公开(公告)号：CN114220853A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111539430.7
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种功率芯片，包括芯片本体，包括由多个元胞组成的至少一个有源区；与所述有源区对应设置的发射极焊盘；栅极焊盘，设置在所述芯片本体上，且与所述发射极焊盘位于同侧；环形的栅极总线，设置在所述有源区周围，且与所述发射极焊盘位于同侧；片上栅极电阻，分别与所述环形的栅极总线以及所述栅极焊盘连接；其中，所述环形的栅极总线的宽度与距离所述栅极焊盘的距离成反比。即：栅极总线离栅极焊盘越远，栅极总线的宽度越小。这样，改善了栅极信号在栅极总线上传输的一致性，从而提高了距离栅极焊盘远、近不同的元胞之间的开关一致性，进而改善了元胞均流，提高了功率芯片工作的鲁棒性与可靠性。
-
公开(公告)号：CN114122105A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010879830.1
申请日：2020-08-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT器件，包括从下到上依次设置的阳极区、缓冲区、漂移区、N阱区和P阱区，还包括从上到下贯穿所述N阱区和P阱区且伸入所述漂移区的沟槽栅以及设置在所述漂移区顶部与所述N阱区连接的深P阱区。通过在IGBT器件的漂移区设置与N阱区连接的深P阱区，由于深P阱区处在沟槽栅IGBT非沟道区，可以将沟槽栅氧化层底部的电场峰值转移至深P阱区，使雪崩击穿点远离寄生晶闸管电流通路，进而提升沟槽栅IGBT的安全工作区，提升IGBT器件的性能，结构简单。
-
公开(公告)号：CN114112902A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111543444.6
申请日：2021-12-16
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硅凝胶界面粘附强度测试装置及其定量测试方法，该装置包括：制样组件，其具有用于容纳硅凝胶的腔体，腔体一侧具有开口部，腔体相对的两侧分别具有构成其腔壁的样板；测试组件，用于测试由样板以及固化成型后的硅凝胶构成的测试件，测试组件包括相对设置的两个测试端；其中，两个测试端能够分别固定连接两个样板，以分别驱动两个样板沿彼此相互远离的方向移动。基于本发明的技术方案，能够有效限制硅凝胶的流动且保证其有效脱泡，使其能够在固化时均匀地成型，便于硅凝胶成型后脱模，避免样品的胶体在脱模过程中受到破坏从而影响测试结果，利用胶黏剂将样板与拉伸棒连接，方便直观地对硅凝胶进行粘附强度测试。
-
公开(公告)号：CN114068449A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111537612.0
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本申请提供了一种散热基板以及功率模块。该散热基板的下表面形成有多个针翅，所述针翅构造为以下一种或几种：在散热需求高的区域针翅分布的密度大、具有第一结构以及包括第一结构和不同于第一结构的其他结构的组合；从而提高对散热需求高的区域的换热效率，有利于避免出现散热短板；将第一结构的针翅布置在对散热需求高的区域，由于第一结构的针翅有较高散热能力，有利于避免该区域成为散热短板；不同芯片安装区域的针翅横截面的形状不同，使得模块在保持散热性能的前提下，冷却液流阻降低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114038748A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111255231.3
申请日：2021-10-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/04 , H01L21/67 , B24B37/04
Abstract: 本申请提供一种晶圆减薄方法、半导体器件的制备方法及半导体器件。所述第一研磨工艺研磨后，所述晶圆的所述第二表面包括多个应力不同的区域；采用第二研磨工艺，对所述晶圆的所述第二表面再次进行研磨，以将所述晶圆减薄至第二预设厚度；其中，所述第二研磨工艺中，在所述第二表面上应力增大的方向上，各个所述区域对应的研磨精度逐渐增加。该方法通过对半导体器件制备过程中，晶圆减薄面进行区域化不同程度的应力释放，能够精准改善或消除衬底减薄过程产生的翘曲度，避免对后续工艺造成严重影响。该方法充分考虑了晶圆翘曲的分布情况，针对性改善晶圆翘曲的同时不会造成晶圆反向翘曲。该方法简单便捷，成本低，效果好，易实现。
-
公开(公告)号：CN110400794B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201810377574.9
申请日：2018-04-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块封装结构，其特征在于，包括基板；壳体，所述壳体的底部与所述基板的顶部紧固连接；功率半导体模块子单元，其设置在所述壳体与所述基板形成的容纳空间内，用于形成拓扑控制电路结构，所述功率半导体模块子单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板，相对布置的两所述衬板之间通过功率端子组和模块级键合线连接，所述功率端子组的顶部外延伸出所述壳体的顶部。本发明能够成倍增加电流密度，成品率高且可靠性好。
-
公开(公告)号：CN112687633A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011486125.1
申请日：2020-12-16
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种提升大面积焊接可靠性的IGBT功率模块散热结构及其方法，包括由上向下依次连接的：半导体芯片元件、第一覆盖层、衬底、第二覆盖层、第一接合材料层、缓冲材料层、第二接合材料层及散热器底板。缓冲材料层的热膨胀系数介于衬底与散热器底板的热膨胀系数之间。本发明在衬板与散热器底板之间添加一种缓冲材料，并引入第二接合材料，缓冲材料层的热膨胀系数介于衬板衬底材质和散热底板材质热膨胀系数之间，在极限工况热冲击循环时可以缓解液冷散热底板与双面金属包覆衬底之间因热膨胀系数大而对冲的问题，降低材质与材质之间热膨胀系数差距，提高了两者之间抗拉伸和抗挤压的能力，提升IGBT器件大面积焊接的可靠性，从而提升模块性能。
-
公开(公告)号：CN109962104B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201711433645.4
申请日：2017-12-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 一种功率半导体器件，其包括：具有第一导电类型的衬底；有源区，其设置在衬底中并具有第二导电类型；若干场限环，其设置在衬底中并具有第二导电类型，有源区设置在场限环所形成的环形内部。相较于现有的功率半导体器件，本功率半导体器件中各个场限环的环宽之间存在基于环宽调整系数的函数关系，此外，各个场限环的间距之间还可以存在基于间距调整系数的函数关系，设计人员在对功率半导体器件进行设计制作时，通过调整场限环结构调节因子(包括环宽调整系数和间距调整系数)，即可快速有效地调节场限环终端结构，从而获得各种具有不同环宽和环间距的终端结构作为NGV‑FLR终端设计的备选方案。
-
公开(公告)号：CN111933685A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010591568.0
申请日：2020-06-24
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅MOSFET器件，所述元胞结构包括：位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层；其中，在元胞结构两侧，于所述漂移层表面向下设置有侧部沟槽，以在所述漂移层表面于所述元胞结构中心位置形成凸台；位于所述侧部沟槽下方的第二导电类型阱区；位于所述阱区表面内的第一导电类型源区；设置于所述漂移层内，且位于所述凸台的顶部和侧壁以及所述侧部沟槽的底部靠近所述凸台的一侧的下方的第二导电类型屏蔽区。屏蔽区的加入，可大幅降低阻断态下器件的栅极氧化层的电场应力，大幅提高长期使用的可靠性。而且屏蔽区对器件导通特性的影响很小，可实现良好的栅极氧化层的电场应力和导通电阻之间的折中关系。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
144
records
(took 0.037 seconds)
