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公开(公告)号：CN115922192A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211504693.9
申请日：2022-11-28
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供Pin针焊接工装及方法，其中该焊接工装包括隔板组件和定位部件，隔板组件分别与基板和定位部件以可拆卸的方式连接，隔板组件上设置有与衬板形成配合的第一衬板定位槽，定位部件上对应设置有与衬板形成配合的第二衬板定位槽，定位部件上还设置有与Pin针形成配合的定位孔。本发明涉及的Pin针焊接工装及方法，通过定位部件在焊接过程中对Pin针进行限位，衬板通过隔片组件限位固定布置在基板上，在保证实现Pin针快速组装的同时，保证了Pin针焊后的垂直度及位置度，适用于大批量生产，并且，通过在隔片组件和定位部件上对应设置多组衬板，可满足多个衬板同时焊接Pin针，提高了焊接生产效率可制造性。
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公开(公告)号：CN115763270A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211505814.1
申请日：2022-11-28
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L23/367 , H05K3/34
Abstract: 本发明提供IGBT模块贴装焊接方法，包括如下步骤：S01、将用双面可烧结或焊接的芯片的背面与垫块相连接形成子单元半成品，S02、将子单元半成品分别与上衬板、下衬板及框架的连接。本发明的IGBT模块贴装焊接方法，有效地缩短了贴片封装工艺流程，在贴装焊接过程中，芯片整个面受到垫块压力作用，相比较将垫块焊接在芯片正面，芯片部分区域受到压力作用，且作用区域不对称，该方式焊层均匀性有明显提升，减少树树脂与芯片的接触面积，提高模块的可靠性，从而能够提升了模块贴片效率及合格率。
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公开(公告)号：CN111524877B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201910108735.9
申请日：2019-02-03
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种双面散热功率模块，包括上衬板、下衬板、至少两颗芯片、主端子、控制端子和封装外壳，下衬板与上衬板平行设置，且与上衬板的相应端口电连接；至少两颗芯片分别设置在上衬板和下衬板上；主端子分别设置在上衬板和下衬板上；控制端子分别设置在上衬板和下衬板上，且控制端子分别与上衬板和下衬板上的对应芯片电连接。本发明有效解决了双面散热模块上下两侧热阻不均匀的问题，散热效率更高，且模块内部空间大，利于填充物填充上下衬板之间的间隙，提升了模块可靠性。
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公开(公告)号：CN112687633A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011486125.1
申请日：2020-12-16
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种提升大面积焊接可靠性的IGBT功率模块散热结构及其方法，包括由上向下依次连接的：半导体芯片元件、第一覆盖层、衬底、第二覆盖层、第一接合材料层、缓冲材料层、第二接合材料层及散热器底板。缓冲材料层的热膨胀系数介于衬底与散热器底板的热膨胀系数之间。本发明在衬板与散热器底板之间添加一种缓冲材料，并引入第二接合材料，缓冲材料层的热膨胀系数介于衬板衬底材质和散热底板材质热膨胀系数之间，在极限工况热冲击循环时可以缓解液冷散热底板与双面金属包覆衬底之间因热膨胀系数大而对冲的问题，降低材质与材质之间热膨胀系数差距，提高了两者之间抗拉伸和抗挤压的能力，提升IGBT器件大面积焊接的可靠性，从而提升模块性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109524291B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201710841002.7
申请日：2017-09-18
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明提出了一种用于功率电子单元的生产方法和工装，该生产方法包括：步骤一，将不同物料依次上下分层式设置在工装的物料槽内；步骤二，对装有不同物料的工装进行烧结以形成功率电子单元；步骤三，卸载工装内的功率电子单元，该生产方法能将物料分层式放入工装的物料槽内，一次便能完成双面烧结，能有效提高工作效率和生产成本，另外，由于通过一个工装便能完成，不需要其它工装，则所形成的功率电子单元质量稳定。
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公开(公告)号：CN112635404B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202011355642.5
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率子模块、其制作方法以及转模压接式功率模块，涉及电力电子技术领域，用于解决结构复杂、封装可靠性较差的技术问题。本发明的功率子单元包括绝缘胶框以及芯片，由于绝缘胶框是用胶体在所述芯片组件上以直接转模的方式而形成，避免了现有技术中将单个的芯片、上钼片和下钼片等部件逐一地放入侧框中并对其一一进行定位的多道工序，因此不仅简化了定位工序；还由于绝缘胶框为一体形成的，因此其并不存在装配缝隙，也无需后续的涂胶处理，从而也简化了涂胶工序，因此本发明的功率子单元的工序简单易操作；并且使功率子单元能够实现功率子单元一体化绝缘的保护方式，从而保证良好的绝缘效果和封装可靠性。
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公开(公告)号：CN114551419A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011356430.9
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/34 , H01L23/492
Abstract: 本发明涉及半导体加工领域，具体是电阻贴片装置及其方法和IGBT衬板，其包括焊盘，焊盘上开设凹槽，凹槽贯穿焊盘的底部，凹槽内设置焊片，焊片的底部与焊盘的底部平齐，焊片的两侧外壁与凹槽的两侧侧壁相触。本发明的有益效果是，本发明通过凹槽两侧内的焊片限制了电阻的径向移动和转动，通过焊盘上的凹槽的另外两侧限制了电阻的轴向移动，从而保证电阻在贴片、转运以及焊接过程中不发生移动，避免焊接后出现虚焊、立碑、短接等焊接问题，另外，电阻贴在焊片上，焊片设置在凹槽内的方式，增大了电阻与焊盘所在的衬板的焊接触面积，提高了电阻焊接的可靠性，有效提高贴装效率，提升热敏电阻焊接质量及合格率。
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公开(公告)号：CN112201628A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010857075.7
申请日：2020-08-24
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/49 , H01L29/739 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种功率模块封装结构及其制备方法，解决了在IGBT模块上进行铜线键合时工艺要求高、工艺实现困难的问题。通过在功率半导体芯片第一表面的第一电极上设置键合板，并在键合板表面连接第一键合线，第一键合线通过键合板将第一电极引出，第一键合线的另一端与衬板连接；在功率半导体芯片第一表面的第二电极上连接第二键合线将第二电极引出，第二键合线的另一端与衬板连接。上述方案有效地解决功率半导体芯片表面铜线的键合问题，提高了键合点的可靠性，减少了键合时对功率半导体芯片的损伤，增加了键合过程的稳定性，有效的解决了在功率半导体芯片表面键合铜线难以实现的问题。
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公开(公告)号：CN116000532A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211566598.1
申请日：2022-12-07
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: B23K37/04
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件焊接工装，包括：外框架，其能够定位安装于半导体器件的基板，外框架在基板上限定出焊接区域，焊接区域用于布置多个待焊接的衬板；以及定位件，其能够放置于相邻的两个衬板之间的定位间隙中且其宽度不小于定位间隙的宽度，定位件能够使多个待焊接的衬板彼此间隔定位，并使最外围的衬板抵接于外框架。基于本发明的技术方案，外框架可以利用基板上原有的定位孔进行安装，而后定位件只需放置于相邻衬板之间，这样就可以结合外框架实现焊接区域内所有的衬板彼此之间的相对定位，整个工装与基板之间没有额外的固定连接结构并且相互可以直接拆卸，工装在焊接后可以直接拆卸下来，有效避免焊接后出现干涉的问题。
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