基于功率损耗线性控制的恒定功率循环测试电路及方法

    公开(公告)号:CN111239576B

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN201811445962.2

    申请日:2018-11-29

    Abstract: 本发明公开了一种基于功率损耗线性控制的恒定功率循环测试电路及方法,该恒定功率循环测试电路包括恒流源、第一和第二待测半导体功率器件、第一和第二驱动单元、第一和第二温控单元、电压测量与存储单元。本发明还提供了基于该恒定功率循环测试电路的测试方法。本发明的恒定功率循环测试电路和测试方法可以使待测功率器件的结温度摆幅仅与导通时间成单一的正比例关系,简化了功率循环测试的控制方法,消除了待测功率器件在长期功率循环测试当中结温度不可精确控制的问题。

    一种逆导型功率半导体模块封装结构及其封装方法

    公开(公告)号:CN113035787B

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN201911359251.8

    申请日:2019-12-25

    Abstract: 本发明提供了一种逆导型功率半导体模块封装结构及其封装方法,该封装结构包括基板,所述基板上设置有多个功能单元,所述功能单元包括相对设置的第一衬板与第二衬板,所述第一衬板上设置有第一金属层,所述第二衬板上设置有第二金属层,所述第一金属层与所述第二金属层上均设置有芯片模块,所述芯片模块由轴对称分布的由多个逆导型芯片组成,所述逆导型芯片的栅极区域位于其边角处且所述多个逆导型芯片的栅极区关于芯片模块的中心呈中心对称;本发明中采用对称且栅极中心对称布局的逆导型芯片,可以极大地减小模块中的电感。本发明的封装方法用于制作以上封装结构。

    一种逆导型功率半导体模块封装结构及其封装方法

    公开(公告)号:CN113035787A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201911359251.8

    申请日:2019-12-25

    Abstract: 本发明提供了一种逆导型功率半导体模块封装结构及其封装方法,该封装结构包括基板,所述基板上设置有多个功能单元,所述功能单元包括相对设置的第一衬板与第二衬板,所述第一衬板上设置有第一金属层,所述第二衬板上设置有第二金属层,所述第一金属层与所述第二金属层上均设置有芯片模块,所述芯片模块由轴对称分布的由多个逆导型芯片组成,所述逆导型芯片的栅极区域位于其边角处且所述多个逆导型芯片的栅极区关于芯片模块的中心呈中心对称;本发明中采用对称且栅极中心对称布局的逆导型芯片,可以极大地减小模块中的电感。本发明的封装方法用于制作以上封装结构。

    一种引线框架及利用引线框架制作转模功率模块的方法

    公开(公告)号:CN110828413B

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN201810888827.9

    申请日:2018-08-07

    Abstract: 本发明提供的一种引线框架,该引线框架通过连接杆将各引出端子相对外部框架固定,各引出端子与外部框架形成一个整体,各引出端子的具体位置根据实际情况预先设计布置,陶瓷衬板和引线框架间采用工装定位,通过陶瓷衬板相对引线框架的一次性定位就能准确定位出所有引出端子与陶瓷衬板的连接位置,简化了定位和连接工艺流程并提高了定位的准确性,提高了生产效率和产品成品率,降低了制造周期及自动化生产的复杂性,为实现一体化自动定位连接提供可能性。本发明还提供一种制作转模功率模块的方法,通过先将引出端子定位固定再将引出端子折弯的方式降低了烧结工艺的复杂度,保证了引出端子尺寸的精度,使操作及加工更为方便。

    一种功率半导体模块封装结构
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114121923A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202010898625.X

    申请日:2020-08-31

    Abstract: 本发明提供一种功率半导体模块封装结构,包括:封装基板、封装管壳、半桥型功率半导体模块;封装管壳与封装基板紧固连接,形成容纳空间;半桥型功率半导体模块设置在容纳空间内;半桥型功率半导体模块包括并联设置在封装基板上的配对的上开关管和下开关管,且上开关管和下开关管在水平方向相对设置;上开关管包括键合在基板上的第一衬板和键合在第一衬板上的功率半导体芯片组、主功率端子和辅助控制端子;下开关管包括键合在基板上的第二衬板和键合在第二衬板上的功率半导体芯片组、主功率端子和辅助控制端子;第一衬板和第二衬板之间通过主功率端子、辅助控制端子和模块级键合线连接,主功率端子和辅助控制端子的顶部外延伸出封装管壳。

    一种功率半导体模块低电感封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN113035847A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201911355472.8

    申请日:2019-12-25

    Abstract: 本发明涉及功率半导体模块技术领域,提出一种功率半导体模块低电感封装结构,包括基板和设置在所述基板上的功率半导体模块单元,所述功率半导体模块单元用于形成可降低电感的双开关电路结构,所述功率半导体模块单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板,相邻所述衬板之间通过第一键合线连接,相连的两所述衬板上连接有延伸出外管壳的功率端子组,所述功率端子组包括两个部分重叠设置但互不接触的子功率端子,用于使两个所述子功率端子导通不同方向电流时产生电磁耦合以降低电感;还提出一种功率半导体模块低电感封装方法,其用于制造本发明提出的功率半导体模块低电感封装结构。本发明具有高可靠性、高功率密度和低电感的优点。

    一种功率半导体模块低电感封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN113035847B

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN201911355472.8

    申请日:2019-12-25

    Abstract: 本发明涉及功率半导体模块技术领域,提出一种功率半导体模块低电感封装结构,包括基板和设置在所述基板上的功率半导体模块单元,所述功率半导体模块单元用于形成可降低电感的双开关电路结构,所述功率半导体模块单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板,相邻所述衬板之间通过第一键合线连接,相连的两所述衬板上连接有延伸出外管壳的功率端子组,所述功率端子组包括两个部分重叠设置但互不接触的子功率端子,用于使两个所述子功率端子导通不同方向电流时产生电磁耦合以降低电感;还提出一种功率半导体模块低电感封装方法,其用于制造本发明提出的功率半导体模块低电感封装结构。本发明具有高可靠性、高功率密度和低电感的优点。

    氮化镓宽禁带功率模块封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN114121915A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202010900712.4

    申请日:2020-08-31

    Abstract: 本发明提供氮化镓宽禁带功率模块封装结构,包括:封装基板、封装管壳和氮化镓宽禁带功率模块;封装管壳的边框围设封装基板,形成容纳槽;功率模块设置在容纳槽内,形成低电感对称换流及控制电路结构;氮化镓宽禁带功率模块包括具有金属层的衬板和对称键合在金属层上的至少两个氮化镓芯片组、多个弹簧插针、对称型母排功率端子、多个电容以及设置在衬板上方的驱动控制板;衬板键合在基板上;氮化镓芯片组对称键合在金属层中部;多个弹簧插针设置在氮化镓芯片组的两侧;每个氮化镓芯片组均与对称型母排功率端子和弹簧插针连接通过金属层连接;与驱动控制板通过弹簧插针电连接;多个电容对称地键合在金属层的两个周向边缘侧,以形成低电感功率回路。

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