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公开(公告)号：CN114220853B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202111539430.7
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H10D64/27
Abstract: 本发明公开了一种功率芯片，包括芯片本体，包括由多个元胞组成的至少一个有源区；与所述有源区对应设置的发射极焊盘；栅极焊盘，设置在所述芯片本体上，且与所述发射极焊盘位于同侧；环形的栅极总线，设置在所述有源区周围，且与所述发射极焊盘位于同侧；片上栅极电阻，分别与所述环形的栅极总线以及所述栅极焊盘连接；其中，所述环形的栅极总线的宽度与距离所述栅极焊盘的距离成反比。即：栅极总线离栅极焊盘越远，栅极总线的宽度越小。这样，改善了栅极信号在栅极总线上传输的一致性，从而提高了距离栅极焊盘远、近不同的元胞之间的开关一致性，进而改善了元胞均流，提高了功率芯片工作的鲁棒性与可靠性。
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公开(公告)号：CN118366947A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311755263.9
申请日：2023-12-19
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/367 , H01L23/492 , H01L25/07
Abstract: 本发明涉及一种电子封装器件及功率模块，涉及半导体封装技术领域。本发明的电子封装器件包括用于安装芯片的衬板、包裹在衬板外的塑封体、以及用于连接衬板和外部电器的多个第一端子；第一端子至少部分嵌入塑封体内，第一端子为具有台阶的阶梯形结构，阶梯形结构的台阶端面与塑封体的成型顶面相齐平，以形成接触密封。由于第一端子为具有台阶的阶梯形结构，阶梯形结构的台阶端面与塑封体的成型顶面相齐平，转模时第一连接段与上模腔壁面直接接触，因此无需在塑封模具上为每个PIN针单独配置定位结构；由于在塑封时第一端子的台阶端面与塑封体之间形成接触密封，解决了转模塑封时容易发生环氧树脂外溢的问题。
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公开(公告)号：CN117393520A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311432574.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/48
Abstract: 本发明提供了一种压接式功率模块的压接结构、功率模块及功率器件，该压接结构包括电极座，所述电极座的压接区域中具有多个压接凸台，所述压接凸台具有用于与对应的功率芯片模组相接触的台面；其中，自所述压接区域的中心沿径向向外的方向上，所述压接凸台的台面的面积逐渐减小。基于本发明的技术方案，通过对电极座上不同位置的压接凸台的台面面积的差异化设计，可以对外部输入压力差异进行补偿，提升功率模块内部的压力均衡性，保证功率模块的均流特性。
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公开(公告)号：CN111628007B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202010357947.3
申请日：2020-04-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/66 , H01L29/417
Abstract: 本公开提供一种功率二极管及其制造方法。该功率二极管包括第一导电类型衬底以及设置于所述衬底上的阳极区和终端保护区；所述阳极区包括设置于所述衬底表面内的第二导电类型第一掺杂区和设置于所述第一掺杂区表面内的第二导电类型第二掺杂区；其中，所述第二掺杂区的离子掺杂浓度和深度被选择成使得所述功率二极管在额定电流下能够保持相同的导通压降与关断损耗。通过所述第二掺杂区的引入，实现大电流下更大的阳极注入效率，降低导通损耗，降低浪涌电流下器件发热量，从而提升浪涌电流能力。且通过调控表面面积和形状，还可以实现浪涌电流能力与安全工作区的折中。
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公开(公告)号：CN111244151B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201811444411.4
申请日：2018-11-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件超级结终端结构，包括位于衬底上的第一导电类型漂移区，在所述漂移区的表面设置有位于有源区外围的终端区，所述终端区包括在所述漂移区的表面设置的与有源区邻接的第二导电类型起始区和远离有源区的第一导电类型场截止环，在所述起始区与场截止环之间，沿着平行于所述场截止环的方向交替分布若干个第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区，其中，所述若干个第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区设置成能够在阻断状态时彼此完全耗尽，实现芯片终端体内电场三维均匀分布。通过本发明能够在提高芯片终端耐压的同时减少终端结构所占芯片面积的比例。
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公开(公告)号：CN111105990B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201811271305.0
申请日：2018-10-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种适用于铜金属化半导体器件的薄膜结构，包括依次设置于上层金属层和衬底之间的铜金属层、阻挡层和粘附层，所述阻挡层用于防止铜向衬底扩散，所述粘附层用于将阻挡层粘附在衬底上。本发明的另一方面还公开了一种适用于铜金属化半导体器件的薄膜结构的制备方法。本发明中的薄膜结构既能提高铜与阻挡层以及阻挡层与衬底之间的粘附性，防止器件表面金属层脱落。
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公开(公告)号：CN111128725B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN201811273209.X
申请日：2018-10-30
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/167
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公开(公告)号：CN116130515A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211678524.7
申请日：2022-12-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/45
Abstract: 本发明提供了一种欧姆接触的退火方法及功率半导体器件，解决了由于激光退火温度较高，导致退火工艺完成后合金层的表面状态糟糕，从而影响器件电学性能与可靠性的问题。该欧姆接触的退火方法，包括：提供一晶圆；在所述晶圆的退火面形成第一金属层；在所述第一金属层远离所述晶圆的一侧形成隔离金属层；在所述隔离金属的表面进行激光退火，以将所述第一金属层和部分所述晶圆形成欧姆接触层；去除所述隔离金属层。
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公开(公告)号：CN116008764A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211678684.1
申请日：2022-12-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种功率芯片功率循环试验装置及方法，该试验装置包括由上至下依次设置的压装组件、电极组件、芯片定位组件以及换热底座；芯片定位组件具有用于安装待测芯片的DCB衬底，DCB衬底的底部与换热底座接触，换热底座上设置有温度传感器，电极组件具有多个弹性探针，弹性探针正对DCB衬底所在的区域。基于本发明的技术方案，基于DCB衬底与弹性探针电极设计出针对芯片级样本的功率循环试验装置，开发了简易的工装实现样本的电气和散热接触路径连接，进而实现针对芯片样本的功率循环试验并保证试验结果的准确性；并且在DCB衬底的散热路径上叠加散热界面材料，调整散热路径上总体热阻值，使芯片结温满足试验需求。
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公开(公告)号：CN112636054B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011362069.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供了一种半导体设备组件、压接式功率模块及制造方法，该半导体设备组件包括主电路子组件和栅极子组件，所述主电路子组件包括多个主电路导电机构和主电路旁路机构，所述主电路导电机构包括半导体芯片以及一端通过垫片与所述半导体芯片接触的主电路导电柱；其中，所述主电路旁路机构为一体式结构，并且套设在多个所述主电路导电柱上，与每个所述主电路导电柱形成并联连接。通过该半导体设备组件，将所有芯片的旁路结构连通，当某一个导体芯片失效时，与其并联的芯片旁路结构能够继续提供电流导通路径，并且短路结构能够提升通流大小，提升旁路结构的失效通流能力。
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