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公开(公告)号：CN111106073B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201811257130.8
申请日：2018-10-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件的低应力薄膜结构，由下至上依次包括：基底、第一导电层、第二导电层和金属层，在第一导电层和第二导电层之间设有绝缘层，所述第二导电层穿过绝缘层与所述第一导电层部分接触。本发明设计的膜层结构，既可以保护芯片在封装过程中不受损伤，同时可以提升芯片封装的成品率，且各膜层之间应力较小，工艺实现简单，成本较低。此外，该膜层结构也有利于提高器件的可靠性，使器件在运行过程中，特别是在高温、高压、高震动等恶劣环境中得以正常工作。
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公开(公告)号：CN115976499A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211657822.8
申请日：2022-12-22
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: C23C18/06
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种晶圆单面化学镀的装置和方法，通过将两片晶圆的背面相对设置，然后在两片晶圆的背面之间设置环形保护膜；然后利用晶圆夹持组件夹持两片晶圆，使得所述环形保护膜紧密贴合在两片晶圆的背面，通过晶圆夹持组件的夹持使得晶圆背面被完全遮挡，避免了晶圆背面区域镀上目标金属；最后将夹持好的晶圆夹持组件放入目标金属镀液中对上述两片晶圆的正面同时进行单面化学镀，有利于提高化学镀的效率和节约成本；同时，本发明可以同时兼顾Taiko晶圆以及普通片厚晶圆，适应性更广；且本发明无需引进国外垄断的Taiko晶圆背面贴膜设备，也无需对现有的浸泡式化学镀设备进行任何调整和更换，极大地降低了晶圆单面化学镀的成本。
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公开(公告)号：CN111106084B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201811249360.X
申请日：2018-10-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L23/498 , H01L23/49 , H01L21/60
Abstract: 本申请提供了一种用于引线键合的衬底金属层结构以及功率半导体器件，衬底金属层结构自下而上依次包括：衬底；金属层，其设置在该衬底的上表面；以及引线，其设置在该金属层的远离该衬底的表面上并与该金属层形成引线键合；其中，该金属层包括叠置而成的多个子金属层，并且该多个子金属层的表面积自下而上逐渐减小。通过该衬底金属层结构及功率半导体器件，可以成功实现降低引线键合失效率，且金属层应力较小，工艺实现简单，成本较低，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN119361476A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411424817.1
申请日：2024-10-12
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H05B3/20 , H05B3/02
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开一种加热装置。其中，加热装置包括：加热板，加热板的第一表面包括加热台面和围绕加热台面四周的第一环形台面，第一环形台面低于加热台面且与加热台面呈台阶结构；若干凸件，凸件位于加热台面上，用于在第一表面承托待加热件时，从加热台面向待加热件的方向进行导热。本发明提供的加热装置解决了待加热件的表面受热不均匀和工艺良品率低的问题，使得待加热件的表面受热均匀，且工艺良品率高。
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公开(公告)号：CN117420735A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311404310.5
申请日：2023-10-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种晶圆正面曝光装置及方法，该装置包括：曝光台；所述曝光台具有一支撑面；所述支撑面开设有真空吸附孔，所述支撑面还凹陷设置有一限位槽，所述限位槽环绕所述真空吸附孔的外侧设置，所述限位槽用于容置晶圆的taiko环，所述真空吸附孔用于产生负压，以使得所述晶圆贴附于所述支撑面。通过在曝光台的支撑面上开设限位槽，用于容置晶圆的taiko环，使得晶圆与曝光台之间的距离减小至晶圆贴附于支撑面，使得曝光台可通过真空吸附孔吸附住晶圆，使得晶圆表面平整，既减少在传输过程中晶圆传输偏移导致的晶圆表面曝光偏移的情况，又实现了对晶圆进行正面曝光的工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111105990B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201811271305.0
申请日：2018-10-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种适用于铜金属化半导体器件的薄膜结构，包括依次设置于上层金属层和衬底之间的铜金属层、阻挡层和粘附层，所述阻挡层用于防止铜向衬底扩散，所述粘附层用于将阻挡层粘附在衬底上。本发明的另一方面还公开了一种适用于铜金属化半导体器件的薄膜结构的制备方法。本发明中的薄膜结构既能提高铜与阻挡层以及阻挡层与衬底之间的粘附性，防止器件表面金属层脱落。
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公开(公告)号：CN113345807B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110418968.6
申请日：2021-04-19
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制备方法，通过激光退火对衬底背面的第一导电类型掺杂层进行局部退火，利用激光退火后退火区域比未进行退火区域的抗刻蚀能力强的特性，可以基于激光退火区域和未进行激光退火区域的抗刻蚀差异性，仅刻蚀掉第一导电类型掺杂层中未进行退火的区域进行刻蚀以在该区域形成凹槽，最后通过在衬底的背面注入第二导电类型离子并进行激光退火，从而能在衬底背面形成凹凸结构的第一导电类型集电极层和第二导电类型集电极层。该方法有效避免了光刻工艺并降低了碎片率，极大的提高了背面图形化半导体器件的制备效率并降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN113277190B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202110507615.3
申请日：2021-05-10
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: B65B69/00
Abstract: 本申请提供一种撕膜方法及撕膜系统，该方法包括将所述目标件固定于固定装置上，并通过夹持装置对所述目标件表面的所述目标薄膜的部分边缘进行夹持；控制所述夹持装置以预设速度相对于所述固定装置沿着撕膜方向移动，并监测所述夹持装置对所述目标薄膜的实时拉力，并将所述实时拉力与预设阈值进行比较；当所述实时拉力不等于所述预设阈值时，调整所述夹持装置的移动速度，以使所述实时拉力等于所述预设阈值。撕膜过程中实时进行拉力检测，根据实时拉力，调整撕膜速度，以使所述实时拉力等于所述预设阈值。相当于采用恒定拉力方式撕膜，既能保证撕膜不碎片，也能提高撕膜产能。
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公开(公告)号：CN113345807A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110418968.6
申请日：2021-04-19
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制备方法，通过激光退火对衬底背面的第一导电类型掺杂层进行局部退火，利用激光退火后退火区域比未进行退火区域的抗刻蚀能力强的特性，可以基于激光退火区域和未进行激光退火区域的抗刻蚀差异性，仅刻蚀掉第一导电类型掺杂层中未进行退火的区域进行刻蚀以在该区域形成凹槽，最后通过在衬底的背面注入第二导电类型离子并进行激光退火，从而能在衬底背面形成凹凸结构的第一导电类型集电极层和第二导电类型集电极层。该方法有效避免了光刻工艺并降低了碎片率，极大的提高了背面图形化半导体器件的制备效率并降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN113277190A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110507615.3
申请日：2021-05-10
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: B65B69/00
Abstract: 本申请提供一种撕膜方法及撕膜系统，该方法包括将所述目标件固定于固定装置上，并通过夹持装置对所述目标件表面的所述目标薄膜的部分边缘进行夹持；控制所述夹持装置以预设速度相对于所述固定装置沿着撕膜方向移动，并监测所述夹持装置对所述目标薄膜的实时拉力，并将所述实时拉力与预设阈值进行比较；当所述实时拉力不等于所述预设阈值时，调整所述夹持装置的移动速度，以使所述实时拉力等于所述预设阈值。撕膜过程中实时进行拉力检测，根据实时拉力，调整撕膜速度，以使所述实时拉力等于所述预设阈值。相当于采用恒定拉力方式撕膜，既能保证撕膜不碎片，也能提高撕膜产能。
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