公开(公告)号：CN111524877B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201910108735.9

申请日：2019-02-03

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 常桂钦 ,  窦泽春 ,  童颜 ,  彭勇殿 ,  康强 ,  石廷昌 ,  方杰 ,  曾雄 ,  贺新强 ,  万超群

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明公开了一种双面散热功率模块，包括上衬板、下衬板、至少两颗芯片、主端子、控制端子和封装外壳，下衬板与上衬板平行设置，且与上衬板的相应端口电连接；至少两颗芯片分别设置在上衬板和下衬板上；主端子分别设置在上衬板和下衬板上；控制端子分别设置在上衬板和下衬板上，且控制端子分别与上衬板和下衬板上的对应芯片电连接。本发明有效解决了双面散热模块上下两侧热阻不均匀的问题，散热效率更高，且模块内部空间大，利于填充物填充上下衬板之间的间隙，提升了模块可靠性。

公开(公告)号：CN112687633A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011486125.1

申请日：2020-12-16

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 尚敬 ,  罗海辉 ,  康强 ,  常桂钦 ,  董国忠 ,  彭勇殿 ,  曾雄 ,  杨进峰

IPC: H01L23/16 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种提升大面积焊接可靠性的IGBT功率模块散热结构及其方法，包括由上向下依次连接的：半导体芯片元件、第一覆盖层、衬底、第二覆盖层、第一接合材料层、缓冲材料层、第二接合材料层及散热器底板。缓冲材料层的热膨胀系数介于衬底与散热器底板的热膨胀系数之间。本发明在衬板与散热器底板之间添加一种缓冲材料，并引入第二接合材料，缓冲材料层的热膨胀系数介于衬板衬底材质和散热底板材质热膨胀系数之间，在极限工况热冲击循环时可以缓解液冷散热底板与双面金属包覆衬底之间因热膨胀系数大而对冲的问题，降低材质与材质之间热膨胀系数差距，提高了两者之间抗拉伸和抗挤压的能力，提升IGBT器件大面积焊接的可靠性，从而提升模块性能。

公开(公告)号：CN113053831B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201911381706.6

申请日：2019-12-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 石廷昌 ,  常桂钦 ,  李寒 ,  彭勇殿 ,  吴义伯 ,  董国忠 ,  康强 ,  张文浩 ,  王玉麒

IPC: H01L23/043 ,  H01L25/07

Abstract: 本申请提供了一种压接式IGBT模块，包括多个能够相对于管壳上下移动的子模组，子模组包括：并排间隔设置在导电基板上的多个芯片；能够容置在管壳中或者延伸出管壳的下表面的承压件；设置在芯片的上方的旁路母排，且其上部抵接在承压件的上表面；设置在旁路母排和所述导电盖板之间的弹性件；当压装力不大于弹性件的弹力时，导电盖板延伸出所述管壳的上表面，导电基板和承压件均延伸出管壳的下表面，且导电基板的下表面和承压件的下表面齐平，当压装力大于弹性件的弹力时，导电基板的下表面和承压件的下表面与管壳的下表面齐平，导电盖板的上表面与管壳的上表面齐平。本申请的压接式IGBT模块能够保证芯片受力的均匀性。

公开(公告)号：CN112687630A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011483001.8

申请日：2020-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 常桂钦 ,  黄建新 ,  康强 ,  李寒 ,  吴义伯 ,  彭勇殿 ,  罗海辉 ,  罗启文

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开提供一种功率器件及其制作方法，包括：半导体芯片和耐湿层，所述耐湿层包括第一绝缘层和第二绝缘层；其中，所述第一绝缘层位于所述半导体芯片的上方和侧方；所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上方。

公开(公告)号：CN113053831A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201911381706.6

申请日：2019-12-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 石廷昌 ,  常桂钦 ,  李寒 ,  彭勇殿 ,  吴义伯 ,  董国忠 ,  康强 ,  张文浩 ,  王玉麒

IPC: H01L23/043 ,  H01L25/07

Abstract: 本申请提供了一种压接式IGBT模块，包括多个能够相对于管壳上下移动的子模组，子模组包括：并排间隔设置在导电基板上的多个芯片；能够容置在管壳中或者延伸出管壳的下表面的承压件；设置在芯片的上方的旁路母排，且其上部抵接在承压件的上表面；设置在旁路母排和所述导电盖板之间的弹性件；当压装力不大于弹性件的弹力时，导电盖板延伸出所述管壳的上表面，导电基板和承压件均延伸出管壳的下表面，且导电基板的下表面和承压件的下表面齐平，当压装力大于弹性件的弹力时，导电基板的下表面和承压件的下表面与管壳的下表面齐平，导电盖板的上表面与管壳的上表面齐平。本申请的压接式IGBT模块能够保证芯片受力的均匀性。

公开(公告)号：CN220087140U

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202320565690.X

申请日：2023-03-21

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 余军 ,  王梦妍 ,  常桂钦 ,  罗海辉 ,  康强 ,  肖强 ,  秦光远

IPC: H02M1/00 ,  H05K1/11 ,  H05K1/18 ,  H02M7/5387 ,  H01L23/498

Abstract: 本实用新型涉及一种三电平功率模块，涉及半导体技术领域。本实用新型的三电平功率模块通过设置外壳、第一绝缘衬板、第二绝缘衬板以及布置在所述第一绝缘衬板与所述第二绝缘衬板上的三电平逆变电路，所述三电平逆变电路包括第一电路单元、第二电路单元、第三电路单元、第四电路单元、第五电路单元以及第六电路单元，第一绝缘衬板设置有第一导电图案层，第二绝缘衬板上设置有第二导电图案层，第一导电图案层与第二导电图案层电连接，第一导电图案层上设置有第一电路单元、第二电路单元及第五电路单元，第二导电图案层上设置有第三电路单元、第四电路单元及第六电路单元，解决的了现有技术中的三电平功率模块体积大、集成度低的问题。