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公开(公告)号：CN116087730A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211707188.4
申请日：2022-12-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件功率试验装置及试验方法，该方法包括：获取对待测器件施压的上散热器的各个位置所受到的压力的压力数据；根据所述压力数据，判断所述上散热器各个位置受力的均匀性是否满足要求；在所述上散热器各个位置受力的均匀性不满足要求时，依次调节施压模块的与所述上散热器的各个位置相对应接触的多个调节螺杆的扭矩；在所述均匀性满足要求时，通电进行功率试验。基于本发明的技术方案，提供一种双面散热功率半导体器件在功率试验中的压力均匀性测试与修正控制策略，提升双面散热功率半导体器件的散热可靠性。
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公开(公告)号：CN116008764A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211678684.1
申请日：2022-12-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种功率芯片功率循环试验装置及方法，该试验装置包括由上至下依次设置的压装组件、电极组件、芯片定位组件以及换热底座；芯片定位组件具有用于安装待测芯片的DCB衬底，DCB衬底的底部与换热底座接触，换热底座上设置有温度传感器，电极组件具有多个弹性探针，弹性探针正对DCB衬底所在的区域。基于本发明的技术方案，基于DCB衬底与弹性探针电极设计出针对芯片级样本的功率循环试验装置，开发了简易的工装实现样本的电气和散热接触路径连接，进而实现针对芯片样本的功率循环试验并保证试验结果的准确性；并且在DCB衬底的散热路径上叠加散热界面材料，调整散热路径上总体热阻值，使芯片结温满足试验需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114112902A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111543444.6
申请日：2021-12-16
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硅凝胶界面粘附强度测试装置及其定量测试方法，该装置包括：制样组件，其具有用于容纳硅凝胶的腔体，腔体一侧具有开口部，腔体相对的两侧分别具有构成其腔壁的样板；测试组件，用于测试由样板以及固化成型后的硅凝胶构成的测试件，测试组件包括相对设置的两个测试端；其中，两个测试端能够分别固定连接两个样板，以分别驱动两个样板沿彼此相互远离的方向移动。基于本发明的技术方案，能够有效限制硅凝胶的流动且保证其有效脱泡，使其能够在固化时均匀地成型，便于硅凝胶成型后脱模，避免样品的胶体在脱模过程中受到破坏从而影响测试结果，利用胶黏剂将样板与拉伸棒连接，方便直观地对硅凝胶进行粘附强度测试。
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公开(公告)号：CN112098789B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202010771882.7
申请日：2020-08-04
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本公开提供一种IGBT模块寿命的统计方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括获取待测IGBT模块的集电极与发射极之间的电压值随功率循环次数变化的变化曲线；以所述待测IGBT模块内的所有键合点为子样本，获取所述变化曲线上每个电压突变点对应的功率循环次数和键合点的总失效率；根据所述变化曲线上所有电压突变点对应的功率循环次数和键合点的总失效率，得到键合点的总失效率与功率循环次数的关系式；根据键合点的总失效率与功率循环次数的关系式，获得预设键合点失效率对应的功率循环次数，以得到所述待测IGBT模块的循环寿命。该方法可以减少IGBT模块样本数量并节省大量的试验时间，经济成本和时间成本得到很好的控制。
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公开(公告)号：CN116298784A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310137212.3
申请日：2023-02-20
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体结构失效分析技术领域，公开了一种转模塑封双面散热器件的芯片开封方法及夹具，所述方法包括对上衬板采用平面研磨，直至转模塑封双面散热器件内部的环氧模塑料显现；采用激光蚀刻气化原理去除所述器件内部的环氧模塑料，直至所述器件内部的键合引线显现；采用第一混酸溶液对所述器件进行化学湿法蚀刻，直至所述器件内部的键合引线完全裸露；加热重融芯片与垫块之间的焊锡，移除所述垫块；采用第二混酸溶液对移除了垫块的器件，进行化学湿法蚀刻，直至所述芯片完整显现。实现转模塑封双面散热器件的芯片无损开封，以便于后续芯片级微观分析。
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公开(公告)号：CN114236338A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111539279.7
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种热循环试验方法、装置、存储介质及电子设备，涉及热循环试验技术领域，所述方法应用于热循环试验系统，该系统包括：待测器件、液槽组件和多个可控温容器；所述方法包括：获取试验温度变化曲线；在该曲线中的每一时刻，执行以下操作，以使待测器件的温度随时间的变化与该曲线一致：获取试验温度变化曲线中当前时刻对应的温度作为当前目标温度；基于当前目标温度和每个可控温容器中的流体的温度，获得每个可控温容器向液槽组件注入流体时的流量比；控制每个可控温容器基于该流量比向液槽组件中注入流体，以使待测器件的温度达到当前目标温度。本发明提供的技术方案，能够更加精确地控制待测器件的温度，以获得更准确的试验结果。
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公开(公告)号：CN112098789A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010771882.7
申请日：2020-08-04
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本公开提供一种IGBT模块寿命的统计方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括获取待测IGBT模块的集电极与发射极之间的电压值随功率循环次数变化的变化曲线；以所述待测IGBT模块内的所有键合点为子样本，获取所述变化曲线上每个电压突变点对应的功率循环次数和键合点的总失效率；根据所述变化曲线上所有电压突变点对应的功率循环次数和键合点的总失效率，得到键合点的总失效率与功率循环次数的关系式；根据键合点的总失效率与功率循环次数的关系式，获得预设键合点失效率对应的功率循环次数，以得到所述待测IGBT模块的循环寿命。该方法可以减少IGBT模块样本数量并节省大量的试验时间，经济成本和时间成本得到很好的控制。
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