一种功率模块
    1.
    发明公开
    一种功率模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN119447079A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411582240.7

    申请日:2024-11-07

    Abstract: 本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种功率模块,包括基板、衬板、作为上管的芯片单元一和作为下管的芯片单元二,芯片单元一布置在衬板靠近AC端子的一端,芯片单元二布置在衬板靠近DC端子的一端;芯片单元一和芯片单元二均包括两对以上的IGBT和二极管芯片,IGBT和二极管芯片均为一字型布置,且芯片单元二中的IGBT位于靠近芯片单元一的一侧;衬板位于芯片单元一和芯片单元二之间的区域设置有孤岛铜皮一,衬板上连接下管G极辅助端子的下管铜皮一位于AC端子所在的一端,芯片单元二中IGBT的门极均与孤岛铜皮一互连,孤岛铜皮一与下管铜皮一互连。本发明适用于低感封装,可减小电磁干扰和控制回路杂感,提高响应速度。

    散热基板以及功率模块
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114068449A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202111537612.0

    申请日:2021-12-15

    Abstract: 本申请提供了一种散热基板以及功率模块。该散热基板的下表面形成有多个针翅,所述针翅构造为以下一种或几种:在散热需求高的区域针翅分布的密度大、具有第一结构以及包括第一结构和不同于第一结构的其他结构的组合;从而提高对散热需求高的区域的换热效率,有利于避免出现散热短板;将第一结构的针翅布置在对散热需求高的区域,由于第一结构的针翅有较高散热能力,有利于避免该区域成为散热短板;不同芯片安装区域的针翅横截面的形状不同,使得模块在保持散热性能的前提下,冷却液流阻降低。

    焊接底座及功率半导体模块

    公开(公告)号:CN113035790A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201911347198.X

    申请日:2019-12-24

    Abstract: 本申请提供了一种焊接底座及功率半导体模块,涉及功率模块制造技术领域。该焊接底座包括管状的主体,主体的第一端和第二端分别设置有垂直于主体外壁向外延伸的第一环形凸缘和第二环形凸缘,其特征在于,第一环形凸缘和第二环形凸缘中的至少一个的远离主体的凸缘表面上设置有环状凸台。该焊接底座的端面上设置有环状凸台,从而增大焊接底座与衬板上覆铜层的焊接结合面面积,有利于避免焊接底座的脱落。该功率半导体模块包括上述的焊接底座。

    焊接底座及功率半导体模块

    公开(公告)号:CN113035790B

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN201911347198.X

    申请日:2019-12-24

    Abstract: 本申请提供了一种焊接底座及功率半导体模块,涉及功率模块制造技术领域。该焊接底座包括管状的主体,主体的第一端和第二端分别设置有垂直于主体外壁向外延伸的第一环形凸缘和第二环形凸缘,其特征在于,第一环形凸缘和第二环形凸缘中的至少一个的远离主体的凸缘表面上设置有环状凸台。该焊接底座的端面上设置有环状凸台,从而增大焊接底座与衬板上覆铜层的焊接结合面面积,有利于避免焊接底座的脱落。该功率半导体模块包括上述的焊接底座。

    散热基板以及功率模块
    6.
    实用新型

    公开(公告)号:CN216563104U

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202123172901.3

    申请日:2021-12-15

    Abstract: 本申请提供了一种散热基板以及功率模块。该散热基板的下表面形成有多个针翅,所述针翅构造为以下一种或几种:在散热需求高的区域针翅分布的密度大、具有第一结构以及包括第一结构和不同于第一结构的其他结构的组合;从而提高对散热需求高的区域的换热效率,有利于避免出现散热短板;将第一结构的针翅布置在对散热需求高的区域,由于第一结构的针翅有较高散热能力,有利于避免该区域成为散热短板;不同芯片安装区域的针翅横截面的形状不同,使得模块在保持散热性能的前提下,冷却液流阻降低。

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