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公开(公告)号：CN111106073B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201811257130.8
申请日：2018-10-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件的低应力薄膜结构，由下至上依次包括：基底、第一导电层、第二导电层和金属层，在第一导电层和第二导电层之间设有绝缘层，所述第二导电层穿过绝缘层与所述第一导电层部分接触。本发明设计的膜层结构，既可以保护芯片在封装过程中不受损伤，同时可以提升芯片封装的成品率，且各膜层之间应力较小，工艺实现简单，成本较低。此外，该膜层结构也有利于提高器件的可靠性，使器件在运行过程中，特别是在高温、高压、高震动等恶劣环境中得以正常工作。
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公开(公告)号：CN113277190B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202110507615.3
申请日：2021-05-10
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: B65B69/00
Abstract: 本申请提供一种撕膜方法及撕膜系统，该方法包括将所述目标件固定于固定装置上，并通过夹持装置对所述目标件表面的所述目标薄膜的部分边缘进行夹持；控制所述夹持装置以预设速度相对于所述固定装置沿着撕膜方向移动，并监测所述夹持装置对所述目标薄膜的实时拉力，并将所述实时拉力与预设阈值进行比较；当所述实时拉力不等于所述预设阈值时，调整所述夹持装置的移动速度，以使所述实时拉力等于所述预设阈值。撕膜过程中实时进行拉力检测，根据实时拉力，调整撕膜速度，以使所述实时拉力等于所述预设阈值。相当于采用恒定拉力方式撕膜，既能保证撕膜不碎片，也能提高撕膜产能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113345807A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110418968.6
申请日：2021-04-19
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制备方法，通过激光退火对衬底背面的第一导电类型掺杂层进行局部退火，利用激光退火后退火区域比未进行退火区域的抗刻蚀能力强的特性，可以基于激光退火区域和未进行激光退火区域的抗刻蚀差异性，仅刻蚀掉第一导电类型掺杂层中未进行退火的区域进行刻蚀以在该区域形成凹槽，最后通过在衬底的背面注入第二导电类型离子并进行激光退火，从而能在衬底背面形成凹凸结构的第一导电类型集电极层和第二导电类型集电极层。该方法有效避免了光刻工艺并降低了碎片率，极大的提高了背面图形化半导体器件的制备效率并降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN113277190A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110507615.3
申请日：2021-05-10
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: B65B69/00
Abstract: 本申请提供一种撕膜方法及撕膜系统，该方法包括将所述目标件固定于固定装置上，并通过夹持装置对所述目标件表面的所述目标薄膜的部分边缘进行夹持；控制所述夹持装置以预设速度相对于所述固定装置沿着撕膜方向移动，并监测所述夹持装置对所述目标薄膜的实时拉力，并将所述实时拉力与预设阈值进行比较；当所述实时拉力不等于所述预设阈值时，调整所述夹持装置的移动速度，以使所述实时拉力等于所述预设阈值。撕膜过程中实时进行拉力检测，根据实时拉力，调整撕膜速度，以使所述实时拉力等于所述预设阈值。相当于采用恒定拉力方式撕膜，既能保证撕膜不碎片，也能提高撕膜产能。
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公开(公告)号：CN111105990B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201811271305.0
申请日：2018-10-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种适用于铜金属化半导体器件的薄膜结构，包括依次设置于上层金属层和衬底之间的铜金属层、阻挡层和粘附层，所述阻挡层用于防止铜向衬底扩散，所述粘附层用于将阻挡层粘附在衬底上。本发明的另一方面还公开了一种适用于铜金属化半导体器件的薄膜结构的制备方法。本发明中的薄膜结构既能提高铜与阻挡层以及阻挡层与衬底之间的粘附性，防止器件表面金属层脱落。
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公开(公告)号：CN113345807B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110418968.6
申请日：2021-04-19
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制备方法，通过激光退火对衬底背面的第一导电类型掺杂层进行局部退火，利用激光退火后退火区域比未进行退火区域的抗刻蚀能力强的特性，可以基于激光退火区域和未进行激光退火区域的抗刻蚀差异性，仅刻蚀掉第一导电类型掺杂层中未进行退火的区域进行刻蚀以在该区域形成凹槽，最后通过在衬底的背面注入第二导电类型离子并进行激光退火，从而能在衬底背面形成凹凸结构的第一导电类型集电极层和第二导电类型集电极层。该方法有效避免了光刻工艺并降低了碎片率，极大的提高了背面图形化半导体器件的制备效率并降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN216210476U
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202122746352.X
申请日：2021-11-10
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本实用新型涉及一种用于背面曝光的静电载片，包括装载晶圆的载板，所述载板上设置有通孔，晶圆上设置有标记，所述通孔的位置和标记的位置相对应，所述通孔的中心位置和背面对准镜头中心位置的距离不大于背面对准镜头和载板中心位置距离的15％，所述通孔的内切圆的直径大于背面对准镜头直径，本实用新型可以实现带载片对产品晶圆进行背面曝光，不需要对晶圆进行二次键合，也不需要使用特殊的透明的载板，可以直接使用背面对准镜头对圆晶背面进行曝光，极大的节省了加工的时间和费用成本。
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