公开(公告)号：CN109962016B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201711432026.3

申请日：2017-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘国友 ,  张泉 ,  戴小平 ,  唐龙谷 ,  罗海辉 ,  谭灿健

IPC: H01L21/331

Abstract: 一种功率半导体器件的制备方法，其包括：在衬底中制作场限环和有源区，其中，场限环和有源区具有第二导电类型，有源区设置在场限环所形成的环形内部。相较于现有的功率半导体器件，本发明所提供的功率半导体器件制作方法由于各个场限环的间距之间还可以存在基于间距调整系数的函数关系，因此设计人员在对功率半导体器件进行设计制作时，通过调整场限环结构调节因子(包括环宽调整系数和间距调整系数)，即可快速有效地调节场限环终端结构，从而获得各种具有不同环宽和环间距的终端结构作为NGV‑FLR终端设计的备选方案。

公开(公告)号：CN111128725B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN201811273209.X

申请日：2018-10-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 唐龙谷 ,  吴煜东 ,  戴小平 ,  刘国友 ,  罗海辉 ,  张泉 ,  覃荣震

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/167

公开(公告)号：CN109962104B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201711433645.4

申请日：2017-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 张泉 ,  唐龙谷 ,  刘国友 ,  覃荣震 ,  黄建伟 ,  罗海辉

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 一种功率半导体器件，其包括：具有第一导电类型的衬底；有源区，其设置在衬底中并具有第二导电类型；若干场限环，其设置在衬底中并具有第二导电类型，有源区设置在场限环所形成的环形内部。相较于现有的功率半导体器件，本功率半导体器件中各个场限环的环宽之间存在基于环宽调整系数的函数关系，此外，各个场限环的间距之间还可以存在基于间距调整系数的函数关系，设计人员在对功率半导体器件进行设计制作时，通过调整场限环结构调节因子(包括环宽调整系数和间距调整系数)，即可快速有效地调节场限环终端结构，从而获得各种具有不同环宽和环间距的终端结构作为NGV‑FLR终端设计的备选方案。

公开(公告)号：CN111129131B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201811277094.1

申请日：2018-10-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 唐龙谷 ,  戴小平 ,  罗海辉 ,  吴煜东 ,  刘国友 ,  张泉 ,  覃荣震

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种平面栅IGBT器件，涉及半导体功率器件技术领域，用于解决现有技术中关断损耗较大的技术问题。本发明的平面栅IGBT器件，包括第一关断通路和第二关断通路，由于第一关断通路和第二关断通路是IGBT关断过程中载流子抽取的通道，因此通过增加一条额外的关断通路，从而提高了抗闩锁能力，因此既可缩短关断时间，也可增大可关断电流，从而减少关断损耗。

公开(公告)号：CN111129130B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201811276601.X

申请日：2018-10-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 唐龙谷 ,  罗海辉 ,  戴小平 ,  吴煜东 ,  刘国友 ,  张泉 ,  覃荣震

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供的一种沟槽栅IGBT器件，该沟槽栅IGBT器件包括第一关断通路和第二关断通路，第一关断通路和第二关断通路均为IGBT关断过程中载流子抽取的通道，相对于现有技术新增了一条额外的关断通路，新增的关断通路和原关断通路同时工作能够加快对漂移区的载流子的抽取，使载流子快速复合，提高了抗闩锁能力，缩短了关断时间，同时也增大了可关断电流。

公开(公告)号：CN111129132B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201811277607.9

申请日：2018-10-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 唐龙谷 ,  吴煜东 ,  戴小平 ,  罗海辉 ,  刘国友 ,  张泉 ,  覃荣震 ,  彭勇殿

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提出了一种IGBT器件，其包括：从下至上依次设置的集电极金属层、P+区、N′区以及N‑区，N‑区的顶部形成有台阶型的沟槽，沟槽的不同台阶上形成有沟槽栅和平面栅。使用本发明的优点在于，相比于单一结构的沟槽型IGBT器件，本器件结合了沟槽栅和平面栅两种栅极结构，因此具有平面栅IGBT和沟槽栅IGBT两种工作机制。平面栅IGBT部分和沟槽栅IGBT部分的栅极氧化过程可以同时完成，可以具有同样的栅极氧化层厚度。