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公开(公告)号：CN110828413B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201810888827.9
申请日：2018-08-07
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明提供的一种引线框架，该引线框架通过连接杆将各引出端子相对外部框架固定，各引出端子与外部框架形成一个整体，各引出端子的具体位置根据实际情况预先设计布置，陶瓷衬板和引线框架间采用工装定位，通过陶瓷衬板相对引线框架的一次性定位就能准确定位出所有引出端子与陶瓷衬板的连接位置，简化了定位和连接工艺流程并提高了定位的准确性，提高了生产效率和产品成品率，降低了制造周期及自动化生产的复杂性，为实现一体化自动定位连接提供可能性。本发明还提供一种制作转模功率模块的方法，通过先将引出端子定位固定再将引出端子折弯的方式降低了烧结工艺的复杂度，保证了引出端子尺寸的精度，使操作及加工更为方便。
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公开(公告)号：CN113035847A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911355472.8
申请日：2019-12-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体模块技术领域，提出一种功率半导体模块低电感封装结构，包括基板和设置在所述基板上的功率半导体模块单元，所述功率半导体模块单元用于形成可降低电感的双开关电路结构，所述功率半导体模块单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板，相邻所述衬板之间通过第一键合线连接，相连的两所述衬板上连接有延伸出外管壳的功率端子组，所述功率端子组包括两个部分重叠设置但互不接触的子功率端子，用于使两个所述子功率端子导通不同方向电流时产生电磁耦合以降低电感；还提出一种功率半导体模块低电感封装方法，其用于制造本发明提出的功率半导体模块低电感封装结构。本发明具有高可靠性、高功率密度和低电感的优点。
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公开(公告)号：CN113035787B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201911359251.8
申请日：2019-12-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/043 , H01L23/367 , H01L21/52 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供了一种逆导型功率半导体模块封装结构及其封装方法，该封装结构包括基板，所述基板上设置有多个功能单元，所述功能单元包括相对设置的第一衬板与第二衬板，所述第一衬板上设置有第一金属层，所述第二衬板上设置有第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层上均设置有芯片模块，所述芯片模块由轴对称分布的由多个逆导型芯片组成，所述逆导型芯片的栅极区域位于其边角处且所述多个逆导型芯片的栅极区关于芯片模块的中心呈中心对称；本发明中采用对称且栅极中心对称布局的逆导型芯片，可以极大地减小模块中的电感。本发明的封装方法用于制作以上封装结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113035787A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911359251.8
申请日：2019-12-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/043 , H01L23/367 , H01L21/52 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供了一种逆导型功率半导体模块封装结构及其封装方法，该封装结构包括基板，所述基板上设置有多个功能单元，所述功能单元包括相对设置的第一衬板与第二衬板，所述第一衬板上设置有第一金属层，所述第二衬板上设置有第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层上均设置有芯片模块，所述芯片模块由轴对称分布的由多个逆导型芯片组成，所述逆导型芯片的栅极区域位于其边角处且所述多个逆导型芯片的栅极区关于芯片模块的中心呈中心对称；本发明中采用对称且栅极中心对称布局的逆导型芯片，可以极大地减小模块中的电感。本发明的封装方法用于制作以上封装结构。
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公开(公告)号：CN113035847B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN201911355472.8
申请日：2019-12-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体模块技术领域，提出一种功率半导体模块低电感封装结构，包括基板和设置在所述基板上的功率半导体模块单元，所述功率半导体模块单元用于形成可降低电感的双开关电路结构，所述功率半导体模块单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板，相邻所述衬板之间通过第一键合线连接，相连的两所述衬板上连接有延伸出外管壳的功率端子组，所述功率端子组包括两个部分重叠设置但互不接触的子功率端子，用于使两个所述子功率端子导通不同方向电流时产生电磁耦合以降低电感；还提出一种功率半导体模块低电感封装方法，其用于制造本发明提出的功率半导体模块低电感封装结构。本发明具有高可靠性、高功率密度和低电感的优点。
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公开(公告)号：CN111239576B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201811445962.2
申请日：2018-11-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于功率损耗线性控制的恒定功率循环测试电路及方法，该恒定功率循环测试电路包括恒流源、第一和第二待测半导体功率器件、第一和第二驱动单元、第一和第二温控单元、电压测量与存储单元。本发明还提供了基于该恒定功率循环测试电路的测试方法。本发明的恒定功率循环测试电路和测试方法可以使待测功率器件的结温度摆幅仅与导通时间成单一的正比例关系，简化了功率循环测试的控制方法，消除了待测功率器件在长期功率循环测试当中结温度不可精确控制的问题。
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公开(公告)号：CN110400794B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201810377574.9
申请日：2018-04-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块封装结构，其特征在于，包括基板；壳体，所述壳体的底部与所述基板的顶部紧固连接；功率半导体模块子单元，其设置在所述壳体与所述基板形成的容纳空间内，用于形成拓扑控制电路结构，所述功率半导体模块子单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板，相对布置的两所述衬板之间通过功率端子组和模块级键合线连接，所述功率端子组的顶部外延伸出所述壳体的顶部。本发明能够成倍增加电流密度，成品率高且可靠性好。
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公开(公告)号：CN110867416B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201810983857.8
申请日：2018-08-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/055 , H01L23/492 , H01L23/49
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块封装结构，其特征在于，包括基板；壳体，所述壳体与所述基板紧固连接；功率半导体模块子单元，其设置在所述壳体与所述基板形成的容纳空间内，用于形成拓扑控制电路结构，所述功率半导体模块子单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板，相对设置的两所述衬板之间通过主功率端子和模块级键合线连接，所述主功率端子的顶部外延伸出所述壳体的顶部；辅助端子，用于将驱动信号引入所述功率半导体模块子单元，所述辅助端子的底部引脚与所述衬板连接，所述辅助端子的顶部外延伸出所述壳体的顶部。本发明能够提高功率半导体模块的散热效率，均衡寄生电感或电阻参数，提高工艺的一致性，损耗低，可靠性好。
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