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公开(公告)号：CN114121923A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010898625.X
申请日：2020-08-31
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L25/07 , H01L23/367 , H02M7/00
Abstract: 本发明提供一种功率半导体模块封装结构，包括：封装基板、封装管壳、半桥型功率半导体模块；封装管壳与封装基板紧固连接，形成容纳空间；半桥型功率半导体模块设置在容纳空间内；半桥型功率半导体模块包括并联设置在封装基板上的配对的上开关管和下开关管，且上开关管和下开关管在水平方向相对设置；上开关管包括键合在基板上的第一衬板和键合在第一衬板上的功率半导体芯片组、主功率端子和辅助控制端子；下开关管包括键合在基板上的第二衬板和键合在第二衬板上的功率半导体芯片组、主功率端子和辅助控制端子；第一衬板和第二衬板之间通过主功率端子、辅助控制端子和模块级键合线连接，主功率端子和辅助控制端子的顶部外延伸出封装管壳。
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公开(公告)号：CN113035847A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911355472.8
申请日：2019-12-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体模块技术领域，提出一种功率半导体模块低电感封装结构，包括基板和设置在所述基板上的功率半导体模块单元，所述功率半导体模块单元用于形成可降低电感的双开关电路结构，所述功率半导体模块单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板，相邻所述衬板之间通过第一键合线连接，相连的两所述衬板上连接有延伸出外管壳的功率端子组，所述功率端子组包括两个部分重叠设置但互不接触的子功率端子，用于使两个所述子功率端子导通不同方向电流时产生电磁耦合以降低电感；还提出一种功率半导体模块低电感封装方法，其用于制造本发明提出的功率半导体模块低电感封装结构。本发明具有高可靠性、高功率密度和低电感的优点。
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公开(公告)号：CN111916422A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010668595.3
申请日：2020-07-13
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L23/00 , H01L25/04 , H01L25/07 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供一种功率模块封装结构，包括基板、陶瓷衬板、直流功率端子和交流功率端子。其中，陶瓷衬板键合在基板上。直流功率端子和交流功率端子键合在陶瓷衬板上。直流功率端子不少于两个，直流功率端子之间具有沿水平方向相对重合的部分，并且直流功率端子上沿水平方向相对重合的部分之间具有间隙。本发明提供的功率模块封装结构，通过直流功率端子之间间隔设置的沿水平方向大面积重合的部分，能够有效降低功率模块封装的整体电感。
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公开(公告)号：CN110400794B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201810377574.9
申请日：2018-04-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块封装结构，其特征在于，包括基板；壳体，所述壳体的底部与所述基板的顶部紧固连接；功率半导体模块子单元，其设置在所述壳体与所述基板形成的容纳空间内，用于形成拓扑控制电路结构，所述功率半导体模块子单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板，相对布置的两所述衬板之间通过功率端子组和模块级键合线连接，所述功率端子组的顶部外延伸出所述壳体的顶部。本发明能够成倍增加电流密度，成品率高且可靠性好。
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公开(公告)号：CN110867416B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201810983857.8
申请日：2018-08-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/055 , H01L23/492 , H01L23/49
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块封装结构，其特征在于，包括基板；壳体，所述壳体与所述基板紧固连接；功率半导体模块子单元，其设置在所述壳体与所述基板形成的容纳空间内，用于形成拓扑控制电路结构，所述功率半导体模块子单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板，相对设置的两所述衬板之间通过主功率端子和模块级键合线连接，所述主功率端子的顶部外延伸出所述壳体的顶部；辅助端子，用于将驱动信号引入所述功率半导体模块子单元，所述辅助端子的底部引脚与所述衬板连接，所述辅助端子的顶部外延伸出所述壳体的顶部。本发明能够提高功率半导体模块的散热效率，均衡寄生电感或电阻参数，提高工艺的一致性，损耗低，可靠性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113035787B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201911359251.8
申请日：2019-12-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/043 , H01L23/367 , H01L21/52 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供了一种逆导型功率半导体模块封装结构及其封装方法，该封装结构包括基板，所述基板上设置有多个功能单元，所述功能单元包括相对设置的第一衬板与第二衬板，所述第一衬板上设置有第一金属层，所述第二衬板上设置有第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层上均设置有芯片模块，所述芯片模块由轴对称分布的由多个逆导型芯片组成，所述逆导型芯片的栅极区域位于其边角处且所述多个逆导型芯片的栅极区关于芯片模块的中心呈中心对称；本发明中采用对称且栅极中心对称布局的逆导型芯片，可以极大地减小模块中的电感。本发明的封装方法用于制作以上封装结构。
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公开(公告)号：CN111916422B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202010668595.3
申请日：2020-07-13
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L23/00 , H01L25/04 , H01L25/07 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供一种功率模块封装结构，包括基板、陶瓷衬板、直流功率端子和交流功率端子。其中，陶瓷衬板键合在基板上。直流功率端子和交流功率端子键合在陶瓷衬板上。直流功率端子不少于两个，直流功率端子之间具有沿水平方向相对重合的部分，并且直流功率端子上沿水平方向相对重合的部分之间具有间隙。本发明提供的功率模块封装结构，通过直流功率端子之间间隔设置的沿水平方向大面积重合的部分，能够有效降低功率模块封装的整体电感。
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公开(公告)号：CN113035787A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911359251.8
申请日：2019-12-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/043 , H01L23/367 , H01L21/52 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供了一种逆导型功率半导体模块封装结构及其封装方法，该封装结构包括基板，所述基板上设置有多个功能单元，所述功能单元包括相对设置的第一衬板与第二衬板，所述第一衬板上设置有第一金属层，所述第二衬板上设置有第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层上均设置有芯片模块，所述芯片模块由轴对称分布的由多个逆导型芯片组成，所述逆导型芯片的栅极区域位于其边角处且所述多个逆导型芯片的栅极区关于芯片模块的中心呈中心对称；本发明中采用对称且栅极中心对称布局的逆导型芯片，可以极大地减小模块中的电感。本发明的封装方法用于制作以上封装结构。
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公开(公告)号：CN113035847B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN201911355472.8
申请日：2019-12-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体模块技术领域，提出一种功率半导体模块低电感封装结构，包括基板和设置在所述基板上的功率半导体模块单元，所述功率半导体模块单元用于形成可降低电感的双开关电路结构，所述功率半导体模块单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板，相邻所述衬板之间通过第一键合线连接，相连的两所述衬板上连接有延伸出外管壳的功率端子组，所述功率端子组包括两个部分重叠设置但互不接触的子功率端子，用于使两个所述子功率端子导通不同方向电流时产生电磁耦合以降低电感；还提出一种功率半导体模块低电感封装方法，其用于制造本发明提出的功率半导体模块低电感封装结构。本发明具有高可靠性、高功率密度和低电感的优点。
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公开(公告)号：CN116613156A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310524487.2
申请日：2023-05-10
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L25/07 , H01L23/485 , H01L23/367 , H01L23/14 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装结构，包括基板以及均布在所述基板上的多个衬板，所述衬板上具有多个金属层。多个所述衬板形成在所述基板上并列分布且彼此并联的多个功能单元，每个所述功能单元均包括两个相对设置的所述衬板，同一个所述功能单元中的两个所述衬板上的所述金属层的布局结构关于所述功能单元的中心中心对称，多个所述功能单元的所述金属层的布局结构以及相对所述基板的布局方位相同。本发明通过设计封装结构中的衬板、芯片的布局，以及改进键合结构和功率端子的结构，能够实现各种功率容量的低电感封装。
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