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公开(公告)号：CN119447079A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411582240.7
申请日：2024-11-07
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种功率模块，包括基板、衬板、作为上管的芯片单元一和作为下管的芯片单元二，芯片单元一布置在衬板靠近AC端子的一端，芯片单元二布置在衬板靠近DC端子的一端；芯片单元一和芯片单元二均包括两对以上的IGBT和二极管芯片，IGBT和二极管芯片均为一字型布置，且芯片单元二中的IGBT位于靠近芯片单元一的一侧；衬板位于芯片单元一和芯片单元二之间的区域设置有孤岛铜皮一，衬板上连接下管G极辅助端子的下管铜皮一位于AC端子所在的一端，芯片单元二中IGBT的门极均与孤岛铜皮一互连，孤岛铜皮一与下管铜皮一互连。本发明适用于低感封装，可减小电磁干扰和控制回路杂感，提高响应速度。
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公开(公告)号：CN116995052A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310991918.6
申请日：2023-08-08
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L23/498 , H01L25/18 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供了一种半导体功率模块，解决了目前功率器件可靠性低的问题。该半导体功率模块包括：衬板，包括衬板发射极；芯片，设置在所述衬板上，所述芯片包括芯片发射极；绑定端子，用于连接所述芯片发射极和所述衬板发射极，所述绑定端子具有绑定结构，用于调整所述芯片发射极的电感。
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公开(公告)号：CN116053246A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310036088.1
申请日：2023-01-06
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/14
Abstract: 本发明提供了一种半导体功率模块及功率器件，该功率模块包括衬板，衬板表面具有多个沿第一方向依次分布的金属层，金属层至少包括依次分布的第一金属层、第二金属层以及第三金属层；第一金属层与第三金属层均为沿垂直于第一方向的第二方向延伸的条状，第二金属层与第一金属层以及第三金属紧邻且第二金属层与衬板在第二方向上的宽度彼此匹配。基于本发明的技术方案，通过对金属层进行布局设计，减少小面积金属孤岛的数量并进行整合，提高衬板表面空间的利用率，最大限度地扩大其中一个至少金属层的面积，作为芯片焊接区域，从而降低器件的热阻，能够提升器件的电流等级，满足承受大电流高电压的半导体功率模块的要求。
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公开(公告)号：CN115985856A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211669039.3
申请日：2022-12-23
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供功率半导体模块及其制造方法，包括顶板和壳体，其中，顶板设置在壳体顶部，顶板和壳体之间形成密闭空腔，密闭空腔内从上而下依次设置有电极、半导体芯片和底板，电极与半导体芯片对应设置。本发明将模块内部形成一个完全密封的空腔，在完全密封的环境下，有效阻止外部物质进入功率半导体模块内心成损伤，良好地保护以防腐蚀和/或由于湿气和/或其他围绕功率半导体模块的有害物质可能引起的其他损坏。
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公开(公告)号：CN113053831A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911381706.6
申请日：2019-12-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/043 , H01L25/07
Abstract: 本申请提供了一种压接式IGBT模块，包括多个能够相对于管壳上下移动的子模组，子模组包括：并排间隔设置在导电基板上的多个芯片；能够容置在管壳中或者延伸出管壳的下表面的承压件；设置在芯片的上方的旁路母排，且其上部抵接在承压件的上表面；设置在旁路母排和所述导电盖板之间的弹性件；当压装力不大于弹性件的弹力时，导电盖板延伸出所述管壳的上表面，导电基板和承压件均延伸出管壳的下表面，且导电基板的下表面和承压件的下表面齐平，当压装力大于弹性件的弹力时，导电基板的下表面和承压件的下表面与管壳的下表面齐平，导电盖板的上表面与管壳的上表面齐平。本申请的压接式IGBT模块能够保证芯片受力的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112635404A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011355642.5
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率子模块、其制作方法以及转模压接式功率模块，涉及电力电子技术领域，用于解决结构复杂、封装可靠性较差的技术问题。本发明的功率子单元包括绝缘胶框以及芯片，由于绝缘胶框是用胶体在所述芯片组件上以直接转模的方式而形成，避免了现有技术中将单个的芯片、上钼片和下钼片等部件逐一地放入侧框中并对其一一进行定位的多道工序，因此不仅简化了定位工序；还由于绝缘胶框为一体形成的，因此其并不存在装配缝隙，也无需后续的涂胶处理，从而也简化了涂胶工序，因此本发明的功率子单元的工序简单易操作；并且使功率子单元能够实现功率子单元一体化绝缘的保护方式，从而保证良好的绝缘效果和封装可靠性。
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公开(公告)号：CN117393520A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311432574.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/48
Abstract: 本发明提供了一种压接式功率模块的压接结构、功率模块及功率器件，该压接结构包括电极座，所述电极座的压接区域中具有多个压接凸台，所述压接凸台具有用于与对应的功率芯片模组相接触的台面；其中，自所述压接区域的中心沿径向向外的方向上，所述压接凸台的台面的面积逐渐减小。基于本发明的技术方案，通过对电极座上不同位置的压接凸台的台面面积的差异化设计，可以对外部输入压力差异进行补偿，提升功率模块内部的压力均衡性，保证功率模块的均流特性。
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公开(公告)号：CN112636054B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011362069.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供了一种半导体设备组件、压接式功率模块及制造方法，该半导体设备组件包括主电路子组件和栅极子组件，所述主电路子组件包括多个主电路导电机构和主电路旁路机构，所述主电路导电机构包括半导体芯片以及一端通过垫片与所述半导体芯片接触的主电路导电柱；其中，所述主电路旁路机构为一体式结构，并且套设在多个所述主电路导电柱上，与每个所述主电路导电柱形成并联连接。通过该半导体设备组件，将所有芯片的旁路结构连通，当某一个导体芯片失效时，与其并联的芯片旁路结构能够继续提供电流导通路径，并且短路结构能够提升通流大小，提升旁路结构的失效通流能力。
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公开(公告)号：CN111524877B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201910108735.9
申请日：2019-02-03
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种双面散热功率模块，包括上衬板、下衬板、至少两颗芯片、主端子、控制端子和封装外壳，下衬板与上衬板平行设置，且与上衬板的相应端口电连接；至少两颗芯片分别设置在上衬板和下衬板上；主端子分别设置在上衬板和下衬板上；控制端子分别设置在上衬板和下衬板上，且控制端子分别与上衬板和下衬板上的对应芯片电连接。本发明有效解决了双面散热模块上下两侧热阻不均匀的问题，散热效率更高，且模块内部空间大，利于填充物填充上下衬板之间的间隙，提升了模块可靠性。
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公开(公告)号：CN111146169B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201811315635.5
申请日：2018-11-06
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/488 , H01R4/48
Abstract: 本发明公开了一种压接模块用导电碟簧组件，其特征在于，包括：第一导电部；第二导电部，其与所述第一导电部呈间隔设置；碟簧，其设置在所述第一导电部和所述第二导电部之间；其中，所述碟簧形变前，所述第一导电部和所述第二导电部分离时，所述导电碟簧组件呈断开状态；所述碟簧受压形变后，所述第一导电部和所述第二导电部接触时，所述导电碟簧组件呈导电状态。本发明结构简单，组装方便，可靠性好。
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