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公开(公告)号：CN116130520A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211678724.2
申请日：2022-12-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明创造属于半导体制造的技术领域，具体涉及了一种碳化硅沟槽栅MOSFET器件及其制作方法。一种碳化硅沟槽栅MOSFET器件，包括：N型衬底和位于所述衬底上的N‑外延层；所述外延层作为MOSFET的漂移区；所述外延层上方存在有多个P阱区；在每个所述P阱区的上方都相对应的存在有N+源区；多个所述P阱区之间通过碳化硅沟槽相隔；在所述碳化硅沟槽中沿着沟槽方向间隔存在有多个沟槽台面。本申请利用沟槽底部与沟槽台面的P+电场屏蔽层对沟槽栅氧电场进行有效屏蔽，解决沟槽栅氧化层内电场应力过大的问题，提升栅氧可靠性。而且还通过沟槽台面P+电场屏蔽层将源极与沟槽底部P+电场屏蔽层连接，解决沟槽栅底部P+电场屏蔽层无法有效引出接地的问题。
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公开(公告)号：CN116130515A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211678524.7
申请日：2022-12-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/45
Abstract: 本发明提供了一种欧姆接触的退火方法及功率半导体器件，解决了由于激光退火温度较高，导致退火工艺完成后合金层的表面状态糟糕，从而影响器件电学性能与可靠性的问题。该欧姆接触的退火方法，包括：提供一晶圆；在所述晶圆的退火面形成第一金属层；在所述第一金属层远离所述晶圆的一侧形成隔离金属层；在所述隔离金属的表面进行激光退火，以将所述第一金属层和部分所述晶圆形成欧姆接触层；去除所述隔离金属层。
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公开(公告)号：CN116130432A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211679329.6
申请日：2022-12-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有温度传感器的芯片封装结构及其制造方法，芯片封装结构包括：芯片本体和温度传感器；芯片本体的中部设置有源区，有源区的外侧设置终端区，终端区围绕有源区设置；芯片本体包括晶体管和设置于晶体管上的钝化层，温度传感器包括传感器本体以及与传感器本体连接的传感器电极，传感器电极连接于钝化层上，传感器本体设置于终端区，且设置于钝化层上。温度传感器集成在芯片内部，可以实现对芯片温度的精准监测，此外温度传感器集成在终端区的钝化层之上，不占用有源区的面积，不影响芯片原本的电特性，且将温度传感器集成在终端区的钝化层上，不影响芯片原本的封装打线，便于标准化封装。
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公开(公告)号：CN114038748A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111255231.3
申请日：2021-10-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/04 , H01L21/67 , B24B37/04
Abstract: 本申请提供一种晶圆减薄方法、半导体器件的制备方法及半导体器件。所述第一研磨工艺研磨后，所述晶圆的所述第二表面包括多个应力不同的区域；采用第二研磨工艺，对所述晶圆的所述第二表面再次进行研磨，以将所述晶圆减薄至第二预设厚度；其中，所述第二研磨工艺中，在所述第二表面上应力增大的方向上，各个所述区域对应的研磨精度逐渐增加。该方法通过对半导体器件制备过程中，晶圆减薄面进行区域化不同程度的应力释放，能够精准改善或消除衬底减薄过程产生的翘曲度，避免对后续工艺造成严重影响。该方法充分考虑了晶圆翘曲的分布情况，针对性改善晶圆翘曲的同时不会造成晶圆反向翘曲。该方法简单便捷，成本低，效果好，易实现。
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公开(公告)号：CN111986991B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202010838550.6
申请日：2020-08-19
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/04 , H01L21/033 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供一种沟槽的刻蚀方法、碳化硅器件的制备方法及碳化硅器件，所述碳化硅器件的制备方法包括：通过湿法刻蚀工艺和化学机械平坦化在漂移层上的氧化层上于所述屏蔽区的对应位置处形成第三刻蚀窗口；其中，所述第三刻蚀窗口的侧壁相对于其底部的倾角为130°至140°；通过所述第三刻蚀窗口，采用干法刻蚀的工艺在漂移层表面内于所述屏蔽区的对应位置处形成呈等腰梯形的沟槽，所述屏蔽区的剩余部分位于所述沟槽下方；其中，所述沟槽的侧壁相对于其底部的倾角等于所述第三刻蚀窗口的侧壁相对于其底部的倾角；在沟槽的侧壁和底部形成与漂移层形成肖特基接触的肖特基金属层。这种方法实现了MOSFET与SBD集成后通态电流和阻断电压之间最优的折中关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114220844A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111539417.1
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/78 , H01L29/872 , H01L27/07 , H01L21/82 , H01L21/336 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种集成SBD的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，包括衬底、N‑外延层、P阱区、结型场效应区的P+区、源极槽区的P+区和N+区、第一欧姆接触金属层、第一肖特基接触金属层、第二欧姆接触金属层和第二肖特基接触金属层；结型场效应区的P+区位于P阱区远离N+区的一侧；第二欧姆接触金属层覆盖结型场效应区的P+区背离N‑外延层的一面；第一肖特基接触金属层位于第二欧姆接触金属层远离P阱区的一侧；第二肖特基接触金属层设置在第二欧姆接触金属层背离结型场效应区的P+区的一侧，与结型场效应区的P+区平行。本发明在能够降低源极接触电阻，提升碳化硅器件的通流能力，提高碳化硅器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN113130304A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911391962.3
申请日：2019-12-30
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本公开提供一种碳化硅器件电极金属层的湿法刻蚀方法。该方法包括：调整待刻蚀的碳化硅晶圆的位置，使所述碳化硅晶圆上的待刻蚀电极金属层垂直于刻蚀液的液面且所述碳化硅晶圆的主定位边与所述刻蚀液的液面呈第一预设角度；其中，所述第一预设角度为40°至50°；将所述碳化硅晶圆按照预设频率浸入到所述刻蚀液中，以对所述电极金属层进行刻蚀；其中，每次将浸入所述刻蚀液中的所述碳化硅晶圆取出静置预设时长。不仅可以消除所述电极金属层刻蚀过程中各管芯在纵向与横向的刻蚀差异，还可以消除在所述电极金属层刻蚀过程中产生的并附着于所述电极金属层表面的氢气气泡，避免造成刻蚀残留。提高了器件的电学性能与成品率，节约了制造成本。
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公开(公告)号：CN114121639B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202010881132.5
申请日：2020-08-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/762 , H10D62/10 , H10D64/27 , H10D64/01
Abstract: 本发明提供了一种圆滑沟槽的制作方法及圆滑沟槽结构，所述制作方法包括：首先由经所述掩膜层，利用以各向异性为主的第一次干法刻蚀蚀刻所述半导体晶圆，以形成侧壁陡直和底部平滑的沟槽结构，然后去除所述第一层掩膜，并在没有掩膜层的保护情况下，利用以各向同性为主的第二次干法刻蚀蚀刻所述半导体晶圆，以圆滑所述沟槽的顶部和底部，最终形成侧壁陡直、顶部和底部圆滑的沟槽。因此，本发明提供的沟槽制作方法工艺步骤简单，能够极大地提高工艺效率和节约成本，本发明提供的圆滑沟槽结构既能够提升器件性能和可靠性，又可以为后续沟槽内的生长及填充工艺带来便捷。
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公开(公告)号：CN119050156A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411278696.4
申请日：2024-09-12
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L27/07 , H01L29/872 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及一种SiC MOSFET结构及其制造方法，所述SiC MOSFET结构的元胞包括：从下到上依次设置的N+衬底、N‑外延层、P肼区和N+区；延伸到N‑外延层内的至少1个沟槽，每个沟槽具有相对的侧壁和底部；位于N‑外延层内的所述沟槽的侧壁和底部具有P+注入区；所述沟槽内表面设置有栅氧层和栅极，所述栅极包括两部分，背离N‑外延层方向的栅极部分的宽度大于靠近N‑外延层方向的栅极部分的宽度；所述栅氧层和栅极的上方设置有层间介质；位于沟槽两端且位于N+区的上方设置有源极区；所述层间介质和源极区上方设置有源极；本发明降低栅漏寄生电容CGD，提高开关特性，降低功耗，提高芯片可靠性。
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公开(公告)号：CN114203542A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010875112.7
申请日：2020-08-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , B24B37/04
Abstract: 本发明提供了一种晶圆表面的处理方法，通过在所述晶圆表面进行减薄工艺处理期间，先采用第一类研磨工艺进行研磨，使得所述第二区域的减薄厚度大于所述第一区域的减薄厚度，然后采用第二类研磨工艺仅对所述第一区域进行研磨，从而对所述第二表面进行了区域选择性应力释放，使所述第二表面的应力分布得到互补，进而显著性改善SiC晶圆减薄后的翘曲度，减小翘曲度对后续工艺的影响。
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