公开(公告)号：CN105047651B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201410848062.8

申请日：2014-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  陈明发 ,  吕文森 ,  邱文智 ,  蔡文景

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/525 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/36 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/89 ,  H01L24/92 ,  H01L25/00 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/37 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/8203

Abstract: 本文公开的封装件包括具有在第一衬底的第一侧上设置的第一再分布层(RDL)的第一管芯和具有在第二衬底的第一侧上设置的第二RDL的第二管芯，第一RDL接合至第二RDL。第三管芯具有在第三衬底的第一侧上设置的第三RDL。第三管芯在第二管芯上方安装，第二管芯设置在第一管芯和第三管芯之间。第一通孔延伸穿过第二衬底并且与第二衬底电隔离，每个第一通孔均接触第一RDL或第二RDL中的导电元件。第二通孔延伸穿过第三衬底并且与第三衬底电隔离，每个第二通孔均接触第三RDL中的导电元件或其中一个第一通孔。本发明还涉及3D堆叠芯片封装件。

公开(公告)号：CN104733435B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201410086767.0

申请日：2014-03-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡纾婷 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  陈愉婷 ,  周世培

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/91 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/8203

Abstract: 本发明提供了一种互连装置及形成该互连装置的方法。两个集成电路接合在一起。形成穿过其中一个衬底的第一开口。沿着第一开口的侧壁形成多层介电膜。一个或多个蚀刻工艺沿着第一开口的侧壁形成一个或多个间隔件型结构。形成从第一开口延伸至集成电路中的焊盘的第二开口。形成介电内衬，且用导电材料填充开口以形成导电插塞。

公开(公告)号：CN104835746B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201510071017.0

申请日：2015-02-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.海因里希 ,  P.帕尔姆 ,  T.西姆贝克 ,  H.托维斯滕

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/2926 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83931 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023

Abstract: 具有被结合到金属箔的半导体管芯的半导体模块。一种制造半导体模块的方法包括提供包括被附着于金属层的金属箔的金属复合材料衬底，该金属箔比金属层更薄且包括与之不同的材料，在将金属箔结构化之前将多个半导体管芯的第一表面附着于金属箔，并将被附着于金属箔的半导体管芯装入电绝缘材料中。在用电绝缘材料包住半导体管芯之后将金属层和金属箔结构化，使得电绝缘材料的表面区没有金属箔和金属层。沿着没有金属箔和金属层的表面区划分电绝缘材料以形成单个模块。

公开(公告)号：CN103165505B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201210530236.7

申请日：2012-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴辰遇 ,  宋昊建 ,  李锡贤

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L23/02 ,  H01L23/04 ,  H01L23/053 ,  H01L23/055 ,  H01L23/057 ,  H01L23/08 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/34 ,  H01L23/4926 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了制造扇出晶片级封装的方法以及由该方法形成的封装。该扇出晶片级封装包括：至少两个半导体芯片；绝缘层，覆盖第一半导体芯片的部分；模制层，覆盖第二半导体芯片的部分；再分布线图案，在绝缘层中；和/或外部端子，在绝缘层上。第一半导体芯片可以相对于第二半导体芯片堆叠。再分布线图案可以电连接到该至少两个半导体芯片。外部端子可以电连接到再分布线图案。扇出晶片级封装可以包括：至少三个半导体芯片；绝缘层，覆盖第一半导体芯片的部分；模制层，覆盖第二半导体芯片的部分；再分布线图案，在绝缘层中；和/或在绝缘层上的外部端子。第一半导体芯片可以相对于第二半导体芯片堆叠。

公开(公告)号：CN102956588B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210327420.1

申请日：2012-08-09

Applicant: 马克西姆综合产品公司

Inventor： A·V·萨莫伊洛夫 ,  T·帕伦特 ,  X·郢

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/544 ,  H01L24/00 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及一种具有在其中形成的穿衬底通孔的半导体器件。在一个或多个实施方式中，所述半导体器件包括利用构图的粘结材料接合在一起的顶部晶片和底部晶片。所述顶部晶片和所述底部晶片包括在其中形成的一个或多个集成电路。所述集成电路连接至配置在所述顶部和所述底部晶片的表面上的一个或多个导电层。形成贯穿所述顶部晶片和所述构图的粘结材料的过孔，使得可以在形成在所述顶部晶片中的所述集成电路与形成在所述底部晶片中的所述集成电路之间形成电互连。所述过孔包括在所述顶部与所述底部晶片之间提供电互连的导电材料。

公开(公告)号：CN105655321A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510863302.6

申请日：2015-12-01

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.史密斯 ,  C.J.卡普斯塔 ,  G.A.福曼 ,  E.P.戴维斯

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/486 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L22/22 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/82138 ,  H01L2224/83129 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386

Abstract: 本发明题为电子封装及其制作和使用方法。提供电子封装及其制作方法。该电子封装包含介电层以及设置在介电层的至少一部分上的共形掩蔽层。该电子封装进一步包含设置在掩蔽层的至少一部分上的布线层以及至少部分设置在共形掩蔽层和布线层中的微通孔。此外，布线层的至少一部分形成微通孔的至少一部分中的共形导电层。另外，共形掩蔽层配置成限定微通孔的尺寸。该电子封装进一步包含操作上耦合到微通孔的半导体小片。

公开(公告)号：CN102738116B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201210093530.6

申请日：2012-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 露谷和俊 ,  铃木义弘

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H05K1/185 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/3511 ,  H05K3/32 ,  Y10T29/49146 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供能够防止电子部件的损伤并且能够减小电子部件与配线的连接部位上的电阻，从而改善导电特性以及进一步还能够提高IC端子与树脂绝缘层的紧密附着性的电子部件内藏基板以及其制造方法。在将电子部件(1)等载置于基板(20)上面并且在其之上设置绝缘层(31)之后，将贯通孔(V)穿设于电子部件(1)的端子(2)上的绝缘层(31)。电子部件(1)的端子(2)具有例如第1金属层(201)、第2金属层(202)以及第3金属层(203)的层叠构造。在贯通孔(V)形成的时候，除去电阻比较高的第3金属层(203)的一部分，并将包含贯通导体的配线层连接于该部位。另外，第3金属层(203)优选使用与绝缘层(31)的紧密附着性优异的材料。

公开(公告)号：CN103811433A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310572275.8

申请日：2013-11-13

Applicant: 通用电气公司

Inventor： E.C.德尔加多 ,  J.S.格拉泽 ,  B.L.劳登

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/06 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种表面安装封装件，其包括至少一个半导体装置和POL封装和互连系统，所述POL封装和互连系统围绕所述至少一个半导体装置形成且被构造成使表面安装封装件能够安装到外部电路。POL系统包括上覆一个或多个半导体装置的第一表面的介电层和金属互连结构，该金属互连结构延伸通过穿过介电层形成的通路或开口以便电联接到一个或多个半导体装置上的连接垫。金属化层形成于包括平坦的平面结构的金属互连结构上方，并且双面陶瓷基板定位在一个或多个半导体装置的第二表面上，其中双面陶瓷基板被构造成当表面安装封装件接合到其上时使一个或多个半导体装置的漏极与外部电路电隔离并且将热量传导离开一个或多个半导体装置。

公开(公告)号：CN105321896B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201510350690.8

申请日：2015-06-23

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： M·斯坦丁 ,  A·罗伯茨

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L21/4857 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24101 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01029 ,  H05K1/184 ,  H05K1/186 ,  H05K2201/10166 ,  H05K3/4661 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82

Abstract: 本公开涉及嵌入式芯片封装技术。器件和技术的代表性的实施方式提供了一种包括层压基板的半导体封装。层压基板包括层压到绝缘芯的表面的至少一个导电层。层压基板还包括其中定位一个或者多个半导体裸片的一个或者多个裸片开口。

公开(公告)号：CN104321864B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201280073065.8

申请日：2012-06-08

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·胡

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L23/298 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有包封的基板的微电子封装，包括包封在包封材料内的多个微电子器件，其中，包封结构可以具有邻近多个微电子器件的有源面的有源面，并且其中，所述多个微电子器件中的至少一个微电子器件可以具有大于所述多个微电子器件中另一个微电子器件的高度(例如非共面)。微电子封装进一步包括邻近包封结构的有源面而形成的无焊内建层结构。微电子封装还可以包括邻近在包封结构的有源面上设置的、并与包封的基板的多个微电子器件中的至少一个微电子器件电接触的具有有源面的微电子器件。