公开(公告)号：CN104816104B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201510059764.2

申请日：2015-02-04

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 赤川隆 ,  川崎浩由 ,  松井和彦 ,  小池田佑一 ,  佐佐木优 ,  山崎裕之 ,  六本木贵弘 ,  相马大辅 ,  佐藤勇

IPC: B23K35/14 ,  B23K35/30 ,  B22F1/02

CPC classification number: B23K35/025 ,  B22F1/0062 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/02 ,  B23K35/00 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3033 ,  B23K35/3046 ,  C22C5/06 ,  C22C13/00 ,  C22C19/03 ,  C22C19/07 ,  H01B1/02 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/20645 ,  H01L2924/20646 ,  H01L2924/20647 ,  H01L2924/20648 ,  H01L2924/20649 ,  H01L2924/2065

Abstract: 本发明涉及Ag球、Ag芯球、助焊剂涂布Ag球、助焊剂涂布Ag芯球、焊料接头、成形焊料、焊膏、Ag糊剂以及Ag芯糊剂。提供即使含有一定量以上的Ag以外的杂质元素也α射线量少且球形度高的Ag球。为了抑制软错误并减少连接不良，将U的含量设为5ppb以下，将Th的含量设为5ppb以下，将纯度设为99.9％以上且99.9995％以下，将α射线量设为0.0200cph/cm2以下，将Pb或Bi任一者的含量、或者Pb和Bi的总含量设为1ppm以上，将球形度设为0.90以上。

公开(公告)号：CN103943574B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201410022616.9

申请日：2014-01-17

Applicant: 肖特公开股份有限公司

Inventor： 罗伯特·黑特勒 ,  肯尼斯·谭 ,  格奥尔格·米特迈尔 ,  卡斯滕·德勒格米勒

IPC: H01L23/045 ,  H01L23/66 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/08 ,  H01L23/045 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/64 ,  H01L23/66 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/2065 ,  H01L2924/20649 ,  H01L2924/20645 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种TO壳体及其制造方法，在该壳体中，在上侧，焊线的长度缩短并且联接线路在与联接接头对置的一侧上具有凸出部。

公开(公告)号：CN104584210A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201380043805.8

申请日：2013-12-20

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 泽田享 ,  中谷诚一 ,  山下嘉久 ,  川北晃司

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L21/288 ,  H01L21/4878 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/367 ,  H01L23/433 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/20645 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11

Abstract: 用于制造本发明的电子部件封装件的方法，在载体上进行了第1电子部件以及第2电子部件的配置以及密封树脂层的形成之后将该载体剥离除去，由此得到第1电子部件以及第2电子部件被埋设于密封树脂层并使得第1电子部件的电极以及第2电子部件的至少一方的电极从密封树脂层的表面露出的封装件前体。在本发明的电子部件封装件的制造方法中，在第1电子部件以及第2电子部件的配置时，将第1电子部件以及第2电子部件定位成第1电子部件以及第2电子部件的高度水平相互不同。此外，在载体除去后，按照与第1电子部件的电极露出面以及第2电子部件的电极露出面相接的方式形成金属镀敷层。

公开(公告)号：CN104603921B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201280075614.5

申请日：2012-09-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  多留谷政良

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/498 ,  H01L24/01 ,  H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/20645 ,  H01L2924/20646 ,  H01L2924/20647 ,  H01L2924/20648 ,  H01L2924/20649 ,  H01L2924/2065 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01014

Abstract: 本申请的发明所涉及的半导体装置，其特征在于，具有：半导体元件；表面电极，其形成在该半导体元件的表面；金属膜，其形成在该表面电极上，具有接合部、以及以与该接合部接触并且包围该接合部的方式形成的应力缓和部；焊料，其避开该应力缓和部而与该接合部接合；以及外部电极，其经由该焊料而与该接合部接合。

公开(公告)号：CN105405824A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510554070.6

申请日：2015-09-02

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.克勒纳

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/495 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/29 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/302 ,  B23K35/32 ,  B23K35/36 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05747 ,  H01L2224/05893 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2711 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/27442 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/276 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29271 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/29471 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83693 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及预制结构及其形成方法、和焊接半导体芯片布置的方法。用于焊接半导体芯片布置的预制结构包括碳纤维复合片以及在碳纤维复合片之上形成的焊料层。

公开(公告)号：CN104900616A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510098930.X

申请日：2015-03-06

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 温英男 ,  刘建宏 ,  姚皓然

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/268 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/20645 ,  H01L2924/20646 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法。该晶片封装体包含半导体晶片、第一凹部、第一重布局线路层、第二凹部、第二重布局线路层以及封装层；半导体晶片具有电子元件以及导电垫，导电垫与电子元件电性连接且配置于半导体晶片的上表面；第一凹部自上表面朝半导体晶片的下表面延伸；第一重布局线路层自上表面朝下表面延伸，第一重布局线路层与导电垫电性连接且部分第一重布局线路层配置于第一凹部内；第二凹部自下表面朝上表面延伸且与第一凹部通过连通部连通；第二重布局线路层自下表面朝上表面延伸，部分第二重布局线路层配置于第二凹部内且第二重布局线路层通过连通部与第一重布局线路层电性连接；封装层配置于下表面。本发明可降低制程难度。

公开(公告)号：CN104816104A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510059764.2

申请日：2015-02-04

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 赤川隆 ,  川崎浩由 ,  松井和彦 ,  小池田佑一 ,  佐佐木优 ,  山崎裕之 ,  六本木贵弘 ,  相马大辅 ,  佐藤勇

IPC: B23K35/14 ,  B23K35/30 ,  B22F1/02

CPC classification number: B23K35/025 ,  B22F1/0062 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/02 ,  B23K35/00 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3033 ,  B23K35/3046 ,  C22C5/06 ,  C22C13/00 ,  C22C19/03 ,  C22C19/07 ,  H01B1/02 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/20645 ,  H01L2924/20646 ,  H01L2924/20647 ,  H01L2924/20648 ,  H01L2924/20649 ,  H01L2924/2065

Abstract: 本发明涉及Ag球、Ag芯球、助焊剂涂布Ag球、助焊剂涂布Ag芯球、焊料接头、成形焊料、焊膏、Ag糊剂以及Ag芯糊剂。提供即使含有一定量以上的Ag以外的杂质元素也α射线量少且球形度高的Ag球。为了抑制软错误并减少连接不良，将U的含量设为5ppb以下，将Th的含量设为5ppb以下，将纯度设为99.9％以上且99.9995％以下，将α射线量设为0.0200cph/cm2以下，将Pb或Bi任一者的含量、或者Pb和Bi的总含量设为1ppm以上，将球形度设为0.90以上。

公开(公告)号：CN104835746B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201510071017.0

申请日：2015-02-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.海因里希 ,  P.帕尔姆 ,  T.西姆贝克 ,  H.托维斯滕

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/2926 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83931 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023

Abstract: 具有被结合到金属箔的半导体管芯的半导体模块。一种制造半导体模块的方法包括提供包括被附着于金属层的金属箔的金属复合材料衬底，该金属箔比金属层更薄且包括与之不同的材料，在将金属箔结构化之前将多个半导体管芯的第一表面附着于金属箔，并将被附着于金属箔的半导体管芯装入电绝缘材料中。在用电绝缘材料包住半导体管芯之后将金属层和金属箔结构化，使得电绝缘材料的表面区没有金属箔和金属层。沿着没有金属箔和金属层的表面区划分电绝缘材料以形成单个模块。

公开(公告)号：CN104584210B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201380043805.8

申请日：2013-12-20

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 泽田享 ,  中谷诚一 ,  山下嘉久 ,  川北晃司

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L21/288 ,  H01L21/4878 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/367 ,  H01L23/433 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/20645 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11

Abstract: 用于制造本发明的电子部件封装件的方法，在载体上进行了第1电子部件以及第2电子部件的配置以及密封树脂层的形成之后将该载体剥离除去，由此得到第1电子部件以及第2电子部件被埋设于密封树脂层并使得第1电子部件的电极以及第2电子部件的至少一方的电极从密封树脂层的表面露出的封装件前体。在本发明的电子部件封装件的制造方法中，在第1电子部件以及第2电子部件的配置时，将第1电子部件以及第2电子部件定位成第1电子部件以及第2电子部件的高度水平相互不同。此外，在载体除去后，按照与第1电子部件的电极露出面以及第2电子部件的电极露出面相接的方式形成金属镀敷层。

公开(公告)号：CN107046014A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201611180344.0

申请日：2016-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯皓程 ,  郑荣伟 ,  王宗鼎 ,  刘名哲

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/19 ,  H01L25/00 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/20645 ,  H01L2924/20646 ,  H01L2924/20647 ,  H01L2924/20648 ,  H01L2924/20649 ,  H01L23/488 ,  H01L2224/02

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件包括半导体衬底、在半导体衬底上的导电焊盘、在导电焊盘上方的导体。半导体器件进一步具有环绕半导体衬底、导电焊盘和导体的模塑料。在半导体器件中，导体具有短钉形状。本发明的实施例还提供了另一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。