Patent search cpc:"H01L2924/20642" Page 1

1.

发明授权
半导体装置、半导体装置的制造方法有权

公开(公告)号：CN104603921B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201280075614.5

申请日：2012-09-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 , 多留谷政良

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/498 , H01L24/01 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/034 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/16113 , H01L2224/16245 , H01L2224/29101 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73251 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/07025 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2924/20645 , H01L2924/20646 , H01L2924/20647 , H01L2924/20648 , H01L2924/20649 , H01L2924/2065 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/01201 , H01L2924/01014

Abstract: 本申请的发明所涉及的半导体装置，其特征在于，具有：半导体元件；表面电极，其形成在该半导体元件的表面；金属膜，其形成在该表面电极上，具有接合部、以及以与该接合部接触并且包围该接合部的方式形成的应力缓和部；焊料，其避开该应力缓和部而与该接合部接合；以及外部电极，其经由该焊料而与该接合部接合。

2.

发明授权
镀铝铜条带失效

公开(公告)号：CN104285287B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201380023826.3

申请日：2013-05-07

Applicant: 贺利氏材料工艺有限责任两合公司

Inventor： E.米尔克 , P.普雷诺西尔 , S.托马斯

IPC: H01L21/60 , H01L23/49 , H01B1/02

CPC classification number: H01L24/48 , B21C1/003 , B21C9/00 , B32B15/01 , H01B1/023 , H01B1/026 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L25/165 , H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43848 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45033 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45624 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/4569 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/85051 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/1203 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/16151 , H01L2924/20303 , H01L2924/20304 , H01L2924/20305 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/207 , H01L2924/2075 , Y10T29/49117 , Y10T428/1275 , H01L2924/01028 , H01L2924/01014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01008 , H01L2924/01205 , H01L2924/01204 , H01L2924/01203 , H01L2924/01201 , H01L2924/01206 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2224/05599 , H01L2924/00013 , H01L2924/01049

Abstract: 本发明涉及一种条带，优选地用于微电子学中的结合的结合条带，包括包含具有表面的铜的第一层（2）和被叠加在第一层（2）的表面上的至少一个涂层（3）以及中间层（7），其中，该涂层（3）包括铝，其中，在条带的截面图中，基于条带的截面的总面积，第一层（2）的面积份额在从50至96%范围内，其中，截面图中的条带的宽度和高度之间的纵横比在从0.03至小于0.8范围内，其中，所述条带具有在从25000µm2至800000µm2范围内的截面面积，其中，所述中间层（7）被布置在第一层（2）与涂层（7）之间。其中，所述中间层（7）包括至少一个金属间相，其包括第一层（2）的材料和涂层（3）的材料。本发明还涉及一种用于制作导线的工艺、由所述工艺可获得的导线、包括至少两个元件和至少上述导线的电设备、包括所述电设备的推进设备和由楔结合通过上述导线来连接两个元件的工艺。

3.

发明公开
预制结构及其形成方法、和焊接半导体芯片布置的方法有权

公开(公告)号：CN105405824A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510554070.6

申请日：2015-09-02

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.克勒纳

IPC: H01L23/488 , H01L23/495 , H01L21/58

CPC classification number: H01L24/29 , B23K1/0016 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/0244 , B23K35/302 , B23K35/32 , B23K35/36 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/03462 , H01L2224/04026 , H01L2224/05647 , H01L2224/05747 , H01L2224/05893 , H01L2224/06181 , H01L2224/271 , H01L2224/2711 , H01L2224/2712 , H01L2224/27442 , H01L2224/2746 , H01L2224/276 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29157 , H01L2224/29193 , H01L2224/29247 , H01L2224/29271 , H01L2224/29393 , H01L2224/29447 , H01L2224/29471 , H01L2224/32013 , H01L2224/32014 , H01L2224/32057 , H01L2224/32058 , H01L2224/32245 , H01L2224/831 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83447 , H01L2224/83693 , H01L2224/8382 , H01L2224/83825 , H01L2924/0105 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及预制结构及其形成方法、和焊接半导体芯片布置的方法。用于焊接半导体芯片布置的预制结构包括碳纤维复合片以及在碳纤维复合片之上形成的焊料层。

4.

发明公开
Ag球、Ag芯球、助焊剂涂布Ag球、助焊剂涂布Ag芯球、焊料接头、成形焊料、焊膏有权复审申请

公开(公告)号：CN104816104A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510059764.2

申请日：2015-02-04

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 赤川隆 , 川崎浩由 , 松井和彦 , 小池田佑一 , 佐佐木优 , 山崎裕之 , 六本木贵弘 , 相马大辅 , 佐藤勇

IPC: B23K35/14 , B23K35/30 , B22F1/02

CPC classification number: B23K35/025 , B22F1/0062 , B22F1/0074 , B22F1/02 , B23K35/00 , B23K35/0244 , B23K35/3006 , B23K35/3033 , B23K35/3046 , C22C5/06 , C22C13/00 , C22C19/03 , C22C19/07 , H01B1/02 , H01L24/13 , H01L2224/13014 , H01L2224/13139 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2924/20645 , H01L2924/20646 , H01L2924/20647 , H01L2924/20648 , H01L2924/20649 , H01L2924/2065

Abstract: 本发明涉及Ag球、Ag芯球、助焊剂涂布Ag球、助焊剂涂布Ag芯球、焊料接头、成形焊料、焊膏、Ag糊剂以及Ag芯糊剂。提供即使含有一定量以上的Ag以外的杂质元素也α射线量少且球形度高的Ag球。为了抑制软错误并减少连接不良，将U的含量设为5ppb以下，将Th的含量设为5ppb以下，将纯度设为99.9％以上且99.9995％以下，将α射线量设为0.0200cph/cm2以下，将Pb或Bi任一者的含量、或者Pb和Bi的总含量设为1ppm以上，将球形度设为0.90以上。

5.

发明公开
集成电路装置及封装组件无效复审申请

公开(公告)号：CN102201375A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201010257039.3

申请日：2010-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄见翎 , 吴逸文 , 王俊杰 , 刘重希

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L21/76885 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/023 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03614 , H01L2224/03901 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05016 , H01L2224/05024 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05578 , H01L2224/05647 , H01L2224/0569 , H01L2224/10126 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1182 , H01L2224/11827 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/11912 , H01L2224/13099 , H01L2224/13147 , H01L2224/13561 , H01L2224/13562 , H01L2224/13564 , H01L2224/13565 , H01L2224/13582 , H01L2224/13583 , H01L2224/13609 , H01L2224/13611 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/1369 , H01L2224/16238 , H01L2224/81024 , H01L2224/81191 , H01L2224/814 , H01L2224/81411 , H01L2224/81413 , H01L2224/81416 , H01L2224/81439 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/206 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/01028 , H01L2924/01022 , H01L2924/01046 , H01L2924/01083 , H01L2924/01051 , H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电路装置及封装组件，该集成电路装置包括：半导体基板；第一凸块底金属层形成于半导体基板之上；第二凸块底金属层形成于第一凸块底金属层之上且具有侧面；导电柱形成于第二凸块底金属层之上且具有侧面与顶面；保护结构形成于导电柱的侧面与第二凸块底金属层的侧面之上；其中保护结构由非金属材料所形成而导电柱由含铜层所形成。本发明提供了用于铜柱凸块技术的侧壁保护工艺，其于铜柱凸块的侧壁上形成由例如一介电材料层、一聚合物层或上述膜层的组合的至少一种非金属的材料膜层所形成的一保护结构。本发明可调整基板的应力，避免了于回焊工艺中沿着凸块底金属层的周围的铜柱的焊锡湿润情形，因此适用于精细间距凸块技术。

6.

发明授权
Ag球、Ag芯球、助焊剂涂布Ag球、助焊剂涂布Ag芯球、焊料接头、成形焊料、焊膏有权复审申请

公开(公告)号：CN104816104B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201510059764.2

申请日：2015-02-04

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 赤川隆 , 川崎浩由 , 松井和彦 , 小池田佑一 , 佐佐木优 , 山崎裕之 , 六本木贵弘 , 相马大辅 , 佐藤勇

IPC: B23K35/14 , B23K35/30 , B22F1/02

CPC classification number: B23K35/025 , B22F1/0062 , B22F1/0074 , B22F1/02 , B23K35/00 , B23K35/0244 , B23K35/3006 , B23K35/3033 , B23K35/3046 , C22C5/06 , C22C13/00 , C22C19/03 , C22C19/07 , H01B1/02 , H01L24/13 , H01L2224/13014 , H01L2224/13139 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2924/20645 , H01L2924/20646 , H01L2924/20647 , H01L2924/20648 , H01L2924/20649 , H01L2924/2065

Abstract: 本发明涉及Ag球、Ag芯球、助焊剂涂布Ag球、助焊剂涂布Ag芯球、焊料接头、成形焊料、焊膏、Ag糊剂以及Ag芯糊剂。提供即使含有一定量以上的Ag以外的杂质元素也α射线量少且球形度高的Ag球。为了抑制软错误并减少连接不良，将U的含量设为5ppb以下，将Th的含量设为5ppb以下，将纯度设为99.9％以上且99.9995％以下，将α射线量设为0.0200cph/cm2以下，将Pb或Bi任一者的含量、或者Pb和Bi的总含量设为1ppm以上，将球形度设为0.90以上。

7.

发明授权
包括电介质材料的半导体器件有权

公开(公告)号：CN104867859B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201510133063.9

申请日：2015-02-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·菲尔古特 , B·戈勒 , E-M·黑斯 , C·施魏格

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76251 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L24/02 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/97 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/0231 , H01L2224/04105 , H01L2224/24011 , H01L2224/24105 , H01L2224/24226 , H01L2224/245 , H01L2224/82106 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/06 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/201 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/00 , H01L2224/82 , H05K3/467 , H01L2224/03 , H01L2924/01029

Abstract: 本发明涉及包括电介质材料的半导体器件。一种用于制造半导体器件的方法，包括提供载体及具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧的半导体晶片。该方法包括向该载体或该半导体晶片施加电介质材料并通过该电介质材料将该半导体晶片接合至该载体。该方法包括处理半导体晶片并从该半导体晶片移除该载体，以使该电介质材料保留在该半导体晶片上以提供包括该电介质材料的半导体器件。

8.

发明授权
一种覆晶薄膜及显示装置有权

公开(公告)号：CN104022098B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201410235672.0

申请日：2014-05-29

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 栗首 , 王泓 , 郑喆奎

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49838 , H01L23/49811 , H01L23/4985 , H01L24/32 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32227 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种覆晶薄膜及显示装置，覆晶薄膜包括具有输入端引线和输出端引线的基材；其中，输入端引线所在区域和输出端引线所在区域为绑定区域；由于绑定区域的最大厚度大于基材在除绑定区域以外的区域的最大厚度，这样，可以增大输入端引线和输出端引线的强度，使输入端引线和输出端引线表面具有良好的平整度，在利用各向异性导电胶膜通过压接的方式将输入端引线与印刷电路板、输出端引线与显示面板中玻璃基板的引脚电性连接时，可以避免在压接过程中产生气泡、对位偏移等问题，从而避免影响显示器件的良率。