公开(公告)号：CN109072328A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680079807.6

申请日：2016-12-23

Applicant: POSCO公司

Inventor： 洪盛喆 ,  金在谦 ,  闵基荣 ,  朴世珉 ,  千明植 ,  李圭泽 ,  权五烈 ,  朴炫哲

IPC: C21D8/12 ,  B23K26/08 ,  B23K26/16 ,  B23K26/352 ,  B23K26/354 ,  B23K26/364 ,  B23K26/70 ,  B23K37/047 ,  C21D10/00

CPC classification number: C21D10/00 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/03 ,  B23K26/048 ,  B23K26/0821 ,  B23K26/0846 ,  B23K26/0876 ,  B23K26/123 ,  B23K26/127 ,  B23K26/142 ,  B23K26/16 ,  B23K26/354 ,  B23K26/359 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/706 ,  B23K37/047 ,  B23K2101/16 ,  B23K2103/04 ,  C21D8/12 ,  C21D8/1244 ,  C21D8/1277 ,  C21D8/1294 ,  C21D2201/05

Abstract: 本发明提供一种取向电工钢板的磁畴细化方法，对设备和工艺进行优化，以提高磁畴细化效率以及改善操作性，使得能够扩大处理能力，该方法包括：支撑钢板并控制所述钢板的上下方向位置的钢板支撑辊位置调整步骤；通过照射激光束使所述钢板熔化以在所述钢板的表面形成沟槽的激光照射步骤；以及设置及维持执行激光照射的激光室的内部操作环境的设置维持步骤。

公开(公告)号：CN108780778A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780019350.4

申请日：2017-03-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·朴 ,  类维生 ,  J·S·帕帕努 ,  B·伊顿 ,  A·库玛

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/76 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

CPC classification number: B23K26/064 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/355 ,  B23K26/359 ,  B23K26/364 ,  B23K26/402 ,  B23K2101/40 ,  B23K2101/42 ,  H01L21/78

Abstract: 描述了切割半导体晶片的方法，每个晶片具有多个集成电路。在一示例中，一种切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法涉及：在该半导体晶片上方形成掩模，该掩模由覆盖且保护集成电路的一层组成。接着利用旋转激光光束激光刻划工艺图案化该掩模，以提供具有间隙的经图案化掩模，暴露该半导体晶片的集成电路之间的区域。接着穿过该经图案化掩模中的间隙等离子体蚀刻该半导体晶片以将集成电路切单。

公开(公告)号：CN108687446A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810295763.1

申请日：2018-03-30

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 伴祐人

IPC: B23K26/362 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/82 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0676 ,  B23K26/083 ,  B23K26/352 ,  B23K26/359 ,  B23K26/364 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/52 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/673 ,  B23K26/361 ,  H01L21/78

Abstract: 提供晶片的激光加工方法，抑制因先行的激光束的照射而产生的碎屑等对后续的激光束照射造成妨碍。晶片的激光加工方法使用激光加工装置对晶片进行加工，该晶片由呈格子状设定于正面的多条分割预定线划分，该激光加工装置具有激光束照射单元，该激光束照射单元通过聚光透镜对保持于卡盘工作台的晶片照射由激光束振荡器振荡并由激光束分支单元分支而形成的多个激光束，该晶片的激光加工方法具有加工槽形成步骤，沿着该分割预定线对该晶片照射该多个激光束，在该晶片上形成沿着该分割预定线的加工槽，在该加工槽形成步骤中，使由该激光束分支单元分支而得的该多个激光束呈列状排列在与该多个激光束所照射的该分割预定线的延伸方向非平行的方向上。

公开(公告)号：CN108367962A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680070925.0

申请日：2016-12-01

Applicant: 肖特股份有限公司

Inventor： M·斯皮尔 ,  F·瓦格纳 ,  A·奥特纳 ,  G·哈塞豪斯特 ,  V·普拉珀

IPC: C03B33/02 ,  B23K26/00 ,  C03B33/04 ,  C03B32/00 ,  C03B32/02 ,  B23K26/0622 ,  B23K103/00

CPC classification number: C03B33/0222 ,  B23K26/359 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/52 ,  B23K2103/54 ,  C03B32/00 ,  C03B32/02 ,  C03B33/04

Abstract: 本发明提供一种用于沿预定的分离线(21)从片状玻璃元件或玻璃陶瓷元件(2)分离部段的方法，该分离线(21)将所述玻璃元件或玻璃陶瓷元件(2)分成待分离的局部部段(4)和待余留的主体部分(3)，其中沿着分离线(21)在玻璃元件或玻璃陶瓷元件(2)的体积中产生彼此紧邻的丝状损伤(20)，并且丝状损伤(20)通过激光器(10)的激光脉冲(12)产生，其中所述玻璃元件或玻璃陶瓷元件(2)的材料对激光脉冲(12)是透明的，并且激光脉冲(12)在玻璃元件或玻璃陶瓷元件(2)上的入射点在其表面(22)上沿分离线(21)移动，在产生沿分离线(21)彼此紧邻布置的丝状损伤(20)之后，位于所述局部部段(4)的区域中的玻璃元件或玻璃陶瓷元件(2)的材料经受相变，并且导致收缩，使得所述局部部段(4)沿着分离线(21)在彼此紧邻布置的丝状损伤(20)处从所述主体部分(3)分离，其中至少所述主体部分(3)作为整体保持。

公开(公告)号：CN107406293A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680015214.3

申请日：2016-01-11

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： M·恩格姆 ,  G·A·皮奇 ,  J·J·沃特金斯 ,  K·A·威尔兰 ,  C·M·威尔考克斯

IPC: C03B33/02

CPC classification number: C03B33/0222 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/359 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/54 ,  Y02P40/57

Abstract: 公开了用于对经热回火的基板进行激光切割的系统和方法。在一个实施例中，一种分离经热回火的基板的方法包括：引导激光束焦线，从而使得所述激光束焦线的至少一部分在所述经热回火的基板的主体内。使所述聚焦脉冲激光束脉动以便形成包括一个或多个子脉冲的脉冲串序列。所述激光束焦线沿着所述激光束焦线在所述经热回火的基板的所述主体内产生损伤轨迹。在所述聚焦脉冲激光束与所述经回火的基板之间提供相对运动，从而使得所述脉冲激光束在所述经回火的基板内形成损伤轨迹序列。所述损伤轨迹序列中的单独损伤轨迹通过横向间隔分离开，并且一个或多个微裂纹连接所述损伤轨迹序列中的相邻损伤轨迹。使用所述多光子吸收方法来对经热回火的基板进行激光切割。

公开(公告)号：CN104755822B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201380057303.0

申请日：2013-10-30

Applicant: 法克有限公司

Inventor： J·沃克尔 ,  B·肖 ,  M·科瑞比尔

IPC: F16K17/14 ,  F16K17/40

CPC classification number: F16K17/1606 ,  B23K26/359 ,  B23K26/364 ,  F16K17/16 ,  Y10T137/0491 ,  Y10T137/1744

Abstract: 本发明提供一种泄压装置和制作泄压装置的方法。该泄压装置包括具有多个共线间隔开的凹槽位于其中的过压释放区。间隙段穿插在凹槽之间，以在过压释放区的打开期间限定具有所需的性能特性的打开线。

公开(公告)号：CN104813447B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201380044187.9

申请日：2013-08-23

Applicant: 麦克·晓晅·杨

Inventor： 麦克·晓晅·杨

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/02

CPC classification number: B23K26/364 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/359 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  B28D5/00 ,  B32B37/28 ,  B32B38/0004 ,  B32B38/0008 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/46 ,  H01L21/463 ,  H01L21/67 ,  H01L21/78 ,  H01L31/04 ,  Y10T29/41

Abstract: 本发明涉及一项基底材料分离技术在电子元器件、光电元器件和微机电元器件，尤其是两面元器件加工中的应用。本发明提出的方法适用于多种晶硅太阳能电池制造流程。本发明还涉及通过激光照射在一薄基板侧壁将其分离的装置。此装置可以包含两个面对面放置的基板吸盘，基板从两个基板吸盘之间的空隙通过。本发明进一步指向通过激光照射从一根转动的晶棒的侧壁上分离出一个连续的薄层材料的方法和装置。在晶棒上分离出材料薄层之前可以将一层薄膜沉积在或粘黏在晶棒侧壁。

公开(公告)号：CN106876266A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201611142764.X

申请日：2016-12-09

Applicant: SUSS麦克瑞泰克光子系统公司

Inventor： 哈比卜·希什里

IPC: H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/0206 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/08 ,  B23K26/142 ,  B23K26/16 ,  B23K26/18 ,  B23K26/355 ,  B23K26/359 ,  B23K26/36 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  B23K2101/34 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31058

Abstract: 本申请案涉及用于激光后碎屑移除系统和方法的牺牲层。作为实施例，从晶片移除激光后碎屑的方法包含：在待图案化层上方形成牺牲层；使用激光烧蚀图案化所述牺牲层和所述待图案化层；和用水移除所述牺牲层和沉积在所述牺牲层上的碎屑。所述牺牲层包含水溶性粘合剂和水溶性紫外光UV吸收剂。还描述用于移除所述激光后碎屑的系统。

公开(公告)号：CN104583146B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201380044983.2

申请日：2013-08-20

Applicant: 法国圣戈班玻璃厂

Inventor： D.沃尔法伊尔 ,  I.阿尔斯兰 ,  I.冯德魏登 ,  M.贝姆克 ,  S.德罗斯特

IPC: C03C17/36 ,  C03C23/00 ,  H01Q15/00 ,  B32B17/10

CPC classification number: B23K26/08 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/082 ,  B23K26/359 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/34 ,  B23K2101/35 ,  B23K2103/16 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  B32B17/10192 ,  C03C17/36 ,  C03C23/0025 ,  C03C2218/328 ,  H01Q15/0006 ,  H05B3/84 ,  Y10T428/24917

Abstract: 本发明涉及具有通信窗口(7)的经涂覆的玻璃板，其至少包含：a. 基底玻璃板(1)，b. 含金属的涂层(2)，c. 在含金属的涂层(2)内的第一格栅区(3.1)和第二格栅区(3.2)，d. 其中第一格栅区(3.1)和第二格栅区(3.2)具有以网状布置的格栅线(4.1,4.2)形式的去涂层区域，e. 第一格栅区(3.1)中的格栅线(4.1)在至少一条长边上过渡成具有梳齿(5)的开放梳形结构(6)，且第二格栅区(3.2)中的格栅线(4.2)在至少一条长边上过渡成封闭梳形结构(8)，其中f. 第一格栅区(3.1)经开放梳形结构(6)的至少一个梳齿连。(5)与第二格栅区(3.2)的封闭梳形结构(8)相

公开(公告)号：CN106341012A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610511517.6

申请日：2016-06-30

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 前田治

IPC: H02K15/16

CPC classification number: F01D5/027 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0823 ,  B23K26/0876 ,  B23K26/352 ,  B23K26/355 ,  B23K26/359 ,  B23K26/361 ,  B23K2101/001 ,  B23K2103/26 ,  B23K2103/50 ,  B23P15/006 ,  F05D2220/40 ,  F05D2230/13 ,  F05D2270/821 ,  G01M1/326 ,  G01M1/34 ,  H02K15/165

Abstract: 公开了一种用于转子的平衡校正设备。计算单体平衡校正区域，单体平衡校正区域的重量通过对作为单体的涡轮机转轮(201)(转子)所执行的单体平衡校正而被移除；计算在涡轮机转轮在单体平衡校正区域和装配平衡校正区域彼此交叠的情况下执行装配平衡校正，使得通过移除涡轮机转轮头部(201a)的内侧部分而设置的弧形装配平衡校正凹槽的外径(Rb)小于单体平衡校正区域的剩余高度a。通过这样的校正处理，可以通过排除其中的重量已经通过单体平衡校正被移除的区域来执行针对装配平衡校正的重量移除，从而使得可以抑制重量移除量的指示值偏离实际重量移除量。(201)的装配状态下的装配平衡校正区域；以及