公开(公告)号：CN105405867B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201510564038.6

申请日：2015-09-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  M·戴内塞 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/76 ,  H01L21/764

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76248 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/562 ,  H01L27/0922 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0649

Abstract: 本公开涉及形成具有隐埋腔和介电支持结构的半导体衬底的方法。具体地，公开了一种用于形成半导体器件的方法，包括形成从半导体衬底的第一表面延伸到半导体衬底中的多个沟槽。每一个沟槽都包括与宽部开放连通的窄部，宽部通过窄部与第一表面隔开。相邻沟槽的窄部通过半导体衬底的第一区域横向隔开。相邻沟槽的宽部通过半导体衬底的第二区域横向隔开，第二区域窄于第一区域。该方法还包括通过沟槽的窄部向沟槽的宽部引入氧化剂以氧化相邻沟槽之间的半导体衬底的第二区域，从而形成支持半导体衬底的第一区域的介电支持结构。

公开(公告)号：CN107272396B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201710618804.1

申请日：2012-09-21

Applicant: 意法半导体(鲁塞)公司

Inventor： F·拉罗萨 ,  P·福尔纳拉

IPC: G04F13/00 ,  G11C27/02 ,  H01L21/84 ,  H01L23/522 ,  H01L27/08 ,  H01L27/12 ,  H01L29/94 ,  H01L49/02

CPC classification number: G01R27/2605 ,  G01R17/02 ,  G04F10/10 ,  G04F13/00 ,  G11C11/24 ,  G11C27/024 ,  H01G4/005 ,  H01G4/018 ,  H01G4/38 ,  H01L21/84 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/40 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于时间测量的电荷流电路，包括电串联的多个基本电容性元件，每个基本电容性元件经过它的电介质空间泄漏。

公开(公告)号：CN105321886B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201410235895.7

申请日：2014-05-29

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 毛永吉

IPC: H01L21/84 ,  H01G4/002

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/115 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56 ,  H01L28/86 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种电容器结构及其制造方法，所述电容器结构包括衬底、导体层、中间介电材料层、第一介电材料层与第二介电材料层。所述导体层包括第一电极与第二电极，位于所述衬底上。所述中间介电材料层位于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一介电材料层，位于所述中间介电材料层与所述第一电极之间。所述第二介电材料层位于所述中间介电材料层与所述第二电极之间。所述中间介电材料层的介电常数，与所述第一介电材料层以及所述第二介电材料层的介电常数不同。本发明实施例可以提升电容器单位面积的电容量。

公开(公告)号：CN106463618B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201580025110.6

申请日：2015-05-12

Applicant: 柯帕瑟特科学有限责任公司

Inventor： 帕维尔·伊万·拉扎列夫

IPC: H01L49/02 ,  H01L29/00

CPC classification number: H01G4/14 ,  H01G4/008 ,  H01G4/186 ,  H01L28/40 ,  H01L29/00

Abstract: 本发明一般性地涉及电气工程和电子学。更详细地说，本发明涉及电子电路的无源器件，更详细地说，涉及旨在用于储存能量的电容器及其生产方法。

公开(公告)号：CN109712874A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811242775.4

申请日：2018-10-24

Applicant: 水晶镜像解决方案有限公司

Inventor： 加勒特·科尔 ,  克里斯托夫·多伊奇 ,  大卫·福尔曼 ,  宝拉·赫

IPC: H01L21/18 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L27/18 ,  G06N10/00 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L39/025 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  H01L39/2493

Abstract: 一种用于制造用于量子集成电路(特别是超导量子集成电路)的电容器结构的方法，包括：提供第一晶圆结构，第一晶圆结构包括第一基板；提供第二晶圆结构，第二晶圆结构包括第二基板、第二基板上的异质结构，所述异质结构包括埋设的蚀刻停止层、蚀刻停止层上的电介质层以及沉积在异质结构的蚀刻停止层上的第二金属膜；通过使用第二金属膜作为粘合介质将第一晶圆结构和第二晶圆结构粘合在一起，从而形成夹在第一基板和第二基板之间的粘合层叠层，所述粘合层叠层包括所述埋设的蚀刻停止层、电介质层和第二金属膜；从第二晶圆结构剥离第二基板，在埋设的蚀刻停止层上停止；从粘合层叠层选择性地移除埋设蚀刻停止层，从而暴露第二晶圆的电介质层；在第二晶圆的暴露的电介质层上形成顶部电极层；将多个平行沟槽构图到第二金属膜中；其中构图步骤要么是在粘合步骤之前执行的，要么是在顶部电极层形成之后执行的，其中平行沟槽延伸通过顶部电极层和粘合层叠层。

公开(公告)号：CN109427785A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710717139.1

申请日：2017-08-21

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 方玲刚

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/64 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10829 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11573 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L27/10805 ,  H01L23/642 ,  H01L27/10847

Abstract: 本发明公开一种包含电容的装置及其形成方法。包含一电容的装置，包含有一绝缘结构、一第一控制栅极、一第一选择栅极以及一第一介电层。绝缘结构设置于一基底中。第一控制栅极及第一选择栅极直接设置于绝缘结构的正上方。第一介电层垂直夹置于第一控制栅极及第一选择栅极之间，因而构成电容。本发明还提供形成包含此电容的装置的方法。

公开(公告)号：CN109148427A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811146228.6

申请日：2018-09-29

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 王晓玲

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/1085 ,  H01L27/10805 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供一种电容结构及其形成方法，该电容结构包括：一基板，具有多个间隔的电容触点；多个电容柱，电容柱形成于基板上，并与电容触点接合，电容柱由内而外包括第一上电极层、第一介电层、下电极层、第二介电层及第二上电极层；固定层，平行于所述基板，多个电容柱贯穿于所述固定层，形成位于固定层上方的电容柱延伸部和下方的电容柱本体部，固定层在垂直于所述基板方向上全部或部分地覆盖所述电容柱延伸部。该电容结构改善了加高的空心电容柱本身不稳定、易倒塌的问题，避免了形成过程中湿法刻蚀易出现的晃动及倒塌现象，此外，该电容结构无顶部支撑层，在保证电容器件性能稳定的前提下又节约了工艺成本，具有很好的工业化前景。

公开(公告)号：CN109148426A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811146201.7

申请日：2018-09-29

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 王晓玲

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/1085 ,  H01L27/10805 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供一种电容结构及其形成方法，该电容结构包括：一基板，具有多个间隔的电容触点；多个电容柱，电容柱形成于所述基板上，并与电容触点接合，电容柱由内而外包括第一上电极层、第一介电层、下电极层、第二介电层及第二上电极层；顶部支撑层，平行于所述基板，多个电容柱贯穿于顶部支撑层，形成位于顶部支撑层上方的电容柱延伸部和下方的电容柱本体部；固定层，形成于所述电容柱延伸部的外围，固定层在垂直于所述基板方向上全部或部分地覆盖所述电容柱延伸部。该电容结构改善了加高的空心电容柱本身不稳定、易倒塌的问题，同时也避免了其形成过程中湿法刻蚀易出现的晃动及倒塌现象，大大提高了电容结构的稳定性和器件性能。

公开(公告)号：CN109065521A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810938609.1

申请日：2018-08-17

Applicant: 安徽信息工程学院

Inventor： 王晓云 ,  杜正宽 ,  范宇平

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明公开改善MIM电容器制作中电弧放电缺陷的方法和电容器，包括：1，在半导体基底(1)上设置有金属间介质层(2)，在金属间介质层(2)的上表面设置有通孔和光刻对准标记沟槽，并在通孔的上表面和光刻对准标记等沟槽的上表面预填有导电层(4)；2，将下电极板金属层包覆于半导体基底(1)的上表面和导电层(4)的上表面，并在下电极板金属层的上表面形成光刻对位标记填充层(6)，光刻对位标记填充层(6)能够充分填满光刻对位标记沟槽；3，平坦化除光刻对位标记沟槽之外的光刻对位标记填充层(6)直至下电极板金属层的顶部。本发明克服了现有技术中的MIM电容器过程中产生的的电弧放电缺陷，避免了电弧放电。

公开(公告)号：CN109037445A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810862733.4

申请日：2018-08-01

Applicant: 德淮半导体有限公司

Inventor： 杨鸣鹤 ,  金子貴昭 ,  黄晓橹

IPC: H01L49/02

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91

Abstract: 一种MIM电容器及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底的表面形成下极板铜金属层；在所述下极板铜金属层的表面形成第一铝金属薄膜；在所述第一铝金属薄膜的表面形成氧化铝介质层；在所述氧化铝介质层的表面形成第二铝金属薄膜；在所述第二铝金属薄膜的表面形成上极板铜金属层。本发明方案可以提高铜金属层的导电性能，有助于提高MIM电容器的品质。