Patent search cpc:"H01L2224/81439" Page 1

1.

发明授权
用于PoP封装的基板块失效

公开(公告)号：CN106463493B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201580023775.3

申请日：2015-05-05

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： H·B·蔚 , D·W·金 , J·S·李 , S·顾 , R·拉多伊契奇

IPC: H01L23/495 , H01L21/98 , H01L25/10

CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/31127 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/498 , H01L23/49866 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/5385 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13118 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16235 , H01L2224/81411 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81466 , H01L2224/81484 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/141 , H01L2924/143 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/20648 , H01L2924/3511 , H05K1/09 , H05K1/115 , H05K2201/09563 , H01L2924/014 , H01L2224/81

Abstract: 提供了具有增大的宽度的基板块。该基板块包括两个基板条，并且这些基板条各自包括基板以及穿过该基板的多个经填充通孔。该基板块可被用于制造封装基板，并且这些封装基板可以被纳入到PoP结构中。该封装基板包括具有多个垂直互连的载体以及耦合至该垂直互连的条。

2.

发明公开
安装结构体、超声波器件、超声波探头及超声波装置有权

公开(公告)号：CN108878637A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810418879.X

申请日：2018-05-03

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 大桥幸司 , 小岛力 , 松田洋史 , 铃木博则 , 田中秀一

IPC: H01L41/047 , H01L41/053 , H01L41/23 , H01L41/25 , H01L41/29

CPC classification number: B06B1/067 , A61B8/14 , A61B8/4427 , A61B8/4455 , A61B8/4494 , B06B1/0629 , B06B2201/76 , G01N29/245 , G01N2291/02466 , G01N2291/02475 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L41/0475 , H01L41/053 , H01L41/0825 , H01L41/23 , H01L41/29 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/81193 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/81466 , H01L2224/81471 , H01L2224/81484 , H01L2224/81901 , H01L2924/14 , H01L2924/01074 , H01L2924/01024 , H01L41/25

Abstract: 本发明涉及安装结构体、超声波器件、超声波探头及超声波装置。安装结构体具备：第一基板，具有设置有功能元件的第一面；配线部，设置在第一面的与功能元件不同的位置上，并连接于功能元件；第二基板，具有与第一面相对的第二面；以及导通部，设置于第二面，与配线部连接，并连接于功能元件，其中，功能元件与第二基板的最短距离比配线部和导通部连接的位置与第二基板的距离更长。

3.

发明公开
倒装芯片接合合金有权

公开(公告)号：CN106356366A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610557647.3

申请日：2016-07-15

Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

Inventor： M·J·塞登 , F·J·卡尔尼

IPC: H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/62 , H01L33/48

CPC classification number: H01L24/17 , H01L23/49811 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/1131 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13294 , H01L2224/13311 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16245 , H01L2224/16503 , H01L2224/81024 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81211 , H01L2224/81411 , H01L2224/81439 , H01L2224/81447 , H01L2224/8181 , H01L2224/81815 , H01L2224/81825 , H01L2224/97 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L33/005 , H01L25/0753 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L2225/10 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066

Abstract: 本公开涉及倒装芯片接合合金。一种用于将在管芯表面上具有第一及第二金属层的多个管芯接合至板件的方法，包括将第一管芯安置于包括具有可焊表面的陶瓷板或基材板或者金属引线框之一的板件之上，并且将第一管芯和板件安置于回流炉内。该方法包括在第一回流温度进行回流达第一时段，直到第一金属板层以及第一管芯的第一及第二金属管芯层中的至少一个形成合金，以将第一管芯粘附于板件。新形成的合金具有比第一回流温度更高的熔化温度。因此，如果使用同样的回流温度，则额外的管芯会被回流并被贴附于板件，而不导致第一管芯到板件的接合失败。

4.

发明授权
钝化后互连结构及其形成方法有权

公开(公告)号：CN103247593B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210192129.8

申请日：2012-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 , 吴逸文

IPC: H01L23/522 , H01L21/768

CPC classification number: H01L24/11 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/768 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0231 , H01L2224/02311 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05082 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05572 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05686 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/13005 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/81011 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81413 , H01L2224/81416 , H01L2224/81439 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2224/05552 , H01L2924/00

Abstract: 半导体器件包括形成在钝化后互连(PPI)结构的表面上的介电层。聚合物层形成在介电层上方并且将该聚合物层图案化为具有开口以露出介电层的一部分。然后去除介电层的露出部分以露出PPI结构的一部分。然后在PPI结构的第一部分的上方形成焊料凸块并且焊料凸块与PPI结构的第一部分电连接。本发明还提供了钝化后互连结构及其形成方法。

5.

发明公开
半导体封装件及其制法无效

公开(公告)号：CN103258932A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201210044834.3

申请日：2012-02-24

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 王云汉 , 卢胜利 , 王日富 , 陈贤文 , 杨贯榆

IPC: H01L33/48 , H01L33/62

CPC classification number: H01L33/486 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/1132 , H01L2224/131 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/1403 , H01L2224/16238 , H01L2224/81193 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81815 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H05K1/05 , H05K3/3431 , H05K2201/09781 , H05K2201/10106 , H05K2201/2054 , Y02P70/613 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/00

Abstract: 一种半导体封装件及其制法，通过以焊锡材料结合基板与发光二极管芯片，以增加两者间结合处的厚度，而降低因芯片与基板间的热膨胀系数不相配所产生的应力，因而于后续可靠度试验之后，可避免芯片与基板间的结合处发生剥离现象。

6.

发明公开
线路基板及线路基板制作工艺有权

公开(公告)号：CN103151330A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310067423.0

申请日：2013-03-04

Applicant: 威盛电子股份有限公司

Inventor： 宫振越 , 张文远

IPC: H01L23/498 , H05K1/02 , H01L21/48 , H05K3/46

CPC classification number: H01L21/4857 , H01L21/32 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L23/48 , H01L23/49822 , H01L24/81 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/16238 , H01L2224/81385 , H01L2224/81395 , H01L2224/81411 , H01L2224/81418 , H01L2224/81423 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81449 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/81469 , H01L2224/8148 , H01L2924/12042 , H01L2924/381 , H05K1/113 , H05K3/243 , H05K3/4007 , H05K3/423 , H05K3/429 , H05K3/4682 , H05K2201/09518 , H05K2201/09563 , H05K2201/096 , H05K2203/016 , H05K2203/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种线路基板及线路基板制作工艺。线路基板包括一介电层以及多个导电结构。介电层具有多个导电开口、一第一表面及相对第一表面的一第二表面。各导电开口连接第一表面及第二表面。导电结构分别填充于导电开口内。各导电结构为一体成型且包括一接垫部、一连接部及一凸出部。各连接部连接对应的接垫部及凸出部。各凸出部具有一曲面，凸出于第二表面。制造此种线路基板的线路基板制作工艺也被提出。

7.

发明公开
半导体器件、电子器件以及半导体器件制造方法失效

公开(公告)号：CN103123916A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201210376141.4

申请日：2012-09-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水浩三 , 作山诚树 , 赤松俊也

IPC: H01L23/488 , H01L23/48 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/50 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/5383 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05647 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16506 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/81002 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81191 , H01L2224/8121 , H01L2224/8142 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81457 , H01L2224/81464 , H01L2224/81469 , H01L2224/81805 , H01L2224/81893 , H01L2224/81931 , H01L2224/83815 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083

Abstract: 本发明涉及半导体器件、电子器件以及半导体器件制造方法。所述半导体器件包括：连接构件，该连接构件包括形成在连接构件的主表面上的第一焊垫；半导体芯片，该半导体芯片包括其上形成第二焊垫的电路形成表面，该芯片安装在连接构件上使得电路形成表面面向主表面；以及钎料凸块，该钎料凸块连接第一焊垫和第二焊垫并且由包含Bi和Sn的金属制成，其中该块包括形成为靠近第二焊垫的第一界面层、形成为靠近第一焊垫的第二界面层、形成为靠近界面层中的任一个的第一中间区域，以及形成为靠近界面层中的另一个并且形成为靠近第一中间区域的第二中间区域；在第一中间区域中，Bi浓度高于Sn浓度；而在第二中间区域中，Sn浓度高于Bi浓度。