公开(公告)号：CN111129132B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201811277607.9

申请日：2018-10-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 唐龙谷 ,  吴煜东 ,  戴小平 ,  罗海辉 ,  刘国友 ,  张泉 ,  覃荣震 ,  彭勇殿

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提出了一种IGBT器件，其包括：从下至上依次设置的集电极金属层、P+区、N′区以及N‑区，N‑区的顶部形成有台阶型的沟槽，沟槽的不同台阶上形成有沟槽栅和平面栅。使用本发明的优点在于，相比于单一结构的沟槽型IGBT器件，本器件结合了沟槽栅和平面栅两种栅极结构，因此具有平面栅IGBT和沟槽栅IGBT两种工作机制。平面栅IGBT部分和沟槽栅IGBT部分的栅极氧化过程可以同时完成，可以具有同样的栅极氧化层厚度。

公开(公告)号：CN107785270B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201610786019.2

申请日：2016-08-31

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王弋宇 ,  李诚瞻 ,  吴佳 ,  史晶晶 ,  高云斌 ,  陈喜明 ,  赵艳黎 ,  吴煜东 ,  刘可安

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/223

Abstract: 本发明提供了一种MOSFET器件氮化方法，包括使用含氮气气体对所述MOSFET器件进行氮化处理，优选所述氮化处理在1200‑1500℃，优选1250‑1450℃的温度下进行。根据本发明提供的功率器件氮化方法，通过在器件的氧化过程和/或氧化后在高温下采用氮气进行氮化，简化了氮化钝化气体体系，避免栅介质可靠性和击穿电场强度的降低，避免了氮化气体产生的潜在毒性和毒气泄漏风险，简化了尾气处理系统。

公开(公告)号：CN111129131B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201811277094.1

申请日：2018-10-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 唐龙谷 ,  戴小平 ,  罗海辉 ,  吴煜东 ,  刘国友 ,  张泉 ,  覃荣震

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种平面栅IGBT器件，涉及半导体功率器件技术领域，用于解决现有技术中关断损耗较大的技术问题。本发明的平面栅IGBT器件，包括第一关断通路和第二关断通路，由于第一关断通路和第二关断通路是IGBT关断过程中载流子抽取的通道，因此通过增加一条额外的关断通路，从而提高了抗闩锁能力，因此既可缩短关断时间，也可增大可关断电流，从而减少关断损耗。

公开(公告)号：CN111129130B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201811276601.X

申请日：2018-10-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 唐龙谷 ,  罗海辉 ,  戴小平 ,  吴煜东 ,  刘国友 ,  张泉 ,  覃荣震

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供的一种沟槽栅IGBT器件，该沟槽栅IGBT器件包括第一关断通路和第二关断通路，第一关断通路和第二关断通路均为IGBT关断过程中载流子抽取的通道，相对于现有技术新增了一条额外的关断通路，新增的关断通路和原关断通路同时工作能够加快对漂移区的载流子的抽取，使载流子快速复合，提高了抗闩锁能力，缩短了关断时间，同时也增大了可关断电流。

公开(公告)号：CN111128725B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN201811273209.X

申请日：2018-10-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 唐龙谷 ,  吴煜东 ,  戴小平 ,  刘国友 ,  罗海辉 ,  张泉 ,  覃荣震

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/167

公开(公告)号：CN111128900B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201811275230.3

申请日：2018-10-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 戴小平 ,  王亚飞 ,  王彦刚 ,  窦泽春 ,  吴煜东

IPC: H01L23/29 ,  H01L29/739 ,  H01L21/56

Abstract: 本申请提供了一种IGBT芯片子单元封装结构及其制造方法，该封装结构包括IGBT芯片、设置在该IGBT芯片上的栅极、分别与该IGBT芯片的上表面发射极和下表面集电极电连接的上钼片和下钼片以及封装器，其中，在上表面发射极上沿着该IGBT芯片的终端区涂覆有硅橡胶。通过本申请的封装结构及其制造方法，能够对该IGBT芯片终端结构进行钝化保护，避免了外界因素对芯片终端的污染而引起电击穿，提高了芯片的耐压性和长期工作的可靠性。

公开(公告)号：CN107785250B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201610785226.6

申请日：2016-08-31

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 周正东 ,  李诚瞻 ,  刘可安 ,  吴煜东 ,  饶伟 ,  史晶晶 ,  杨程 ,  吴佳

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅肖特基接触制作方法，包括以下步骤：a.在碳化硅基体表面溅射肖特基接触金属材料；b.将步骤a处理后的碳化硅基体进行加热处理；c.使步骤b处理后的碳化硅基体在惰性气氛下冷却；d.在冷却后的碳化硅基体表面进一步溅射阳极金属材料；e.先后刻蚀除去非肖特基接触区的阳极金属材料和肖特基接触材料，形成肖特基接触区。本发明还提供了一种碳化硅肖特基二极管的制造方法。本发明在形成肖特基接触图形中只需进行一次光刻，简化了肖特基接触的形成步骤。本发明提供的肖特基接触制作方法可有效防止肖特基接触金属被自然氧化，同时防止肖特基接触金属表面的有机物及颗粒的污染，从而提高肖特基接触和相应二极管的品质。