公开(公告)号：CN113054009B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201911374310.9

申请日：2019-12-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 宁旭斌 ,  谭真华 ,  李迪 ,  肖海波 ,  肖强

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本申请提供了一种沟槽IGBT芯片，包括N‑型漂移层；多个并联的元胞，元胞包括两个设置于N‑型漂移层上表面的第一沟槽内的主栅极，两个主栅极沿N‑型漂移层的表面延伸且平行分布；虚栅极，位于元胞之间并设置于N‑型漂移层上表面的第二沟槽内，虚栅极平行于主栅极；虚栅极通过虚栅主线引出电位，主栅极和虚栅极之间的第一虚栅P阱或者两个虚栅P阱之间的第二虚栅P阱中的虚栅P+接触区通过虚栅P阱主线引出电位。利用该沟槽IGBT芯片，通过引出虚栅以及虚栅P阱，使其分别能够施加不同的电位，避免了虚栅和P阱浮空时因Cgc较大产生的位移电流导致关断瞬间Vge抬升而减小了器件关断能力，在不降低性能的情况下有效地避免了开关过程中的电压或电流过冲。

公开(公告)号：CN113054009A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201911374310.9

申请日：2019-12-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 宁旭斌 ,  谭真华 ,  李迪 ,  肖海波 ,  肖强

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本申请提供了一种沟槽IGBT芯片，包括N‑型漂移层；多个并联的元胞，元胞包括两个设置于N‑型漂移层上表面的第一沟槽内的主栅极，两个主栅极沿N‑型漂移层的表面延伸且平行分布；虚栅极，位于元胞之间并设置于N‑型漂移层上表面的第二沟槽内，虚栅极平行于主栅极；虚栅极通过虚栅主线引出电位，主栅极和虚栅极之间的第一虚栅P阱或者两个虚栅P阱之间的第二虚栅P阱中的虚栅P+接触区通过虚栅P阱主线引出电位。利用该沟槽IGBT芯片，通过引出虚栅以及虚栅P阱，使其分别能够施加不同的电位，避免了虚栅和P阱浮空时因Cgc较大产生的位移电流导致关断瞬间Vge抬升而减小了器件关断能力，在不降低性能的情况下有效地避免了开关过程中的电压或电流过冲。

公开(公告)号：CN111628007B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202010357947.3

申请日：2020-04-29

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 张中华 ,  罗海辉 ,  覃荣震 ,  肖强 ,  谭真华

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/66 ,  H01L29/417

Abstract: 本公开提供一种功率二极管及其制造方法。该功率二极管包括第一导电类型衬底以及设置于所述衬底上的阳极区和终端保护区；所述阳极区包括设置于所述衬底表面内的第二导电类型第一掺杂区和设置于所述第一掺杂区表面内的第二导电类型第二掺杂区；其中，所述第二掺杂区的离子掺杂浓度和深度被选择成使得所述功率二极管在额定电流下能够保持相同的导通压降与关断损耗。通过所述第二掺杂区的引入，实现大电流下更大的阳极注入效率，降低导通损耗，降低浪涌电流下器件发热量，从而提升浪涌电流能力。且通过调控表面面积和形状，还可以实现浪涌电流能力与安全工作区的折中。

公开(公告)号：CN111628007A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010357947.3

申请日：2020-04-29

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 张中华 ,  罗海辉 ,  覃荣震 ,  肖强 ,  谭真华

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/66 ,  H01L29/417

Abstract: 本公开提供一种功率二极管及其制造方法。该功率二极管包括第一导电类型衬底以及设置于所述衬底上的阳极区和终端保护区；所述阳极区包括设置于所述衬底表面内的第二导电类型第一掺杂区和设置于所述第一掺杂区表面内的第二导电类型第二掺杂区；其中，所述第二掺杂区的离子掺杂浓度和深度被选择成使得所述功率二极管在额定电流下能够保持相同的导通压降与关断损耗。通过所述第二掺杂区的引入，实现大电流下更大的阳极注入效率，降低导通损耗，降低浪涌电流下器件发热量，从而提升浪涌电流能力。且通过调控表面面积和形状，还可以实现浪涌电流能力与安全工作区的折中。