公开(公告)号：CN116008764A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211678684.1

申请日：2022-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 张盼 ,  周望君 ,  陆金辉 ,  苗笑宇 ,  罗海辉 ,  任亚东

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/04 ,  G01R1/067 ,  G01R1/02

Abstract: 本发明提供了一种功率芯片功率循环试验装置及方法，该试验装置包括由上至下依次设置的压装组件、电极组件、芯片定位组件以及换热底座；芯片定位组件具有用于安装待测芯片的DCB衬底，DCB衬底的底部与换热底座接触，换热底座上设置有温度传感器，电极组件具有多个弹性探针，弹性探针正对DCB衬底所在的区域。基于本发明的技术方案，基于DCB衬底与弹性探针电极设计出针对芯片级样本的功率循环试验装置，开发了简易的工装实现样本的电气和散热接触路径连接，进而实现针对芯片样本的功率循环试验并保证试验结果的准确性；并且在DCB衬底的散热路径上叠加散热界面材料，调整散热路径上总体热阻值，使芯片结温满足试验需求。