公开(公告)号：CN116008764A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211678684.1

申请日：2022-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 张盼 ,  周望君 ,  陆金辉 ,  苗笑宇 ,  罗海辉 ,  任亚东

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/04 ,  G01R1/067 ,  G01R1/02

Abstract: 本发明提供了一种功率芯片功率循环试验装置及方法，该试验装置包括由上至下依次设置的压装组件、电极组件、芯片定位组件以及换热底座；芯片定位组件具有用于安装待测芯片的DCB衬底，DCB衬底的底部与换热底座接触，换热底座上设置有温度传感器，电极组件具有多个弹性探针，弹性探针正对DCB衬底所在的区域。基于本发明的技术方案，基于DCB衬底与弹性探针电极设计出针对芯片级样本的功率循环试验装置，开发了简易的工装实现样本的电气和散热接触路径连接，进而实现针对芯片样本的功率循环试验并保证试验结果的准确性；并且在DCB衬底的散热路径上叠加散热界面材料，调整散热路径上总体热阻值，使芯片结温满足试验需求。

公开(公告)号：CN114236338A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111539279.7

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 陆金辉 ,  周望君 ,  罗海辉 ,  宋舸 ,  鲁迪旺 ,  周亮

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供了一种热循环试验方法、装置、存储介质及电子设备，涉及热循环试验技术领域，所述方法应用于热循环试验系统，该系统包括：待测器件、液槽组件和多个可控温容器；所述方法包括：获取试验温度变化曲线；在该曲线中的每一时刻，执行以下操作，以使待测器件的温度随时间的变化与该曲线一致：获取试验温度变化曲线中当前时刻对应的温度作为当前目标温度；基于当前目标温度和每个可控温容器中的流体的温度，获得每个可控温容器向液槽组件注入流体时的流量比；控制每个可控温容器基于该流量比向液槽组件中注入流体，以使待测器件的温度达到当前目标温度。本发明提供的技术方案，能够更加精确地控制待测器件的温度，以获得更准确的试验结果。

公开(公告)号：CN112098789A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010771882.7

申请日：2020-08-04

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 周望君 ,  陆金辉 ,  罗海辉 ,  周亮 ,  鲁迪旺

IPC: G01R31/26 ,  G06F17/10

Abstract: 本公开提供一种IGBT模块寿命的统计方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括获取待测IGBT模块的集电极与发射极之间的电压值随功率循环次数变化的变化曲线；以所述待测IGBT模块内的所有键合点为子样本，获取所述变化曲线上每个电压突变点对应的功率循环次数和键合点的总失效率；根据所述变化曲线上所有电压突变点对应的功率循环次数和键合点的总失效率，得到键合点的总失效率与功率循环次数的关系式；根据键合点的总失效率与功率循环次数的关系式，获得预设键合点失效率对应的功率循环次数，以得到所述待测IGBT模块的循环寿命。该方法可以减少IGBT模块样本数量并节省大量的试验时间，经济成本和时间成本得到很好的控制。

公开(公告)号：CN112098789B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202010771882.7

申请日：2020-08-04

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 周望君 ,  陆金辉 ,  罗海辉 ,  周亮 ,  鲁迪旺

IPC: G01R31/26 ,  G06F17/10

Abstract: 本公开提供一种IGBT模块寿命的统计方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括获取待测IGBT模块的集电极与发射极之间的电压值随功率循环次数变化的变化曲线；以所述待测IGBT模块内的所有键合点为子样本，获取所述变化曲线上每个电压突变点对应的功率循环次数和键合点的总失效率；根据所述变化曲线上所有电压突变点对应的功率循环次数和键合点的总失效率，得到键合点的总失效率与功率循环次数的关系式；根据键合点的总失效率与功率循环次数的关系式，获得预设键合点失效率对应的功率循环次数，以得到所述待测IGBT模块的循环寿命。该方法可以减少IGBT模块样本数量并节省大量的试验时间，经济成本和时间成本得到很好的控制。

公开(公告)号：CN116087730A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211707188.4

申请日：2022-12-29

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 罗哲雄 ,  周望君 ,  陆金辉 ,  罗海辉 ,  任亚东

IPC: G01R31/26 ,  G01L5/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件功率试验装置及试验方法，该方法包括：获取对待测器件施压的上散热器的各个位置所受到的压力的压力数据；根据所述压力数据，判断所述上散热器各个位置受力的均匀性是否满足要求；在所述上散热器各个位置受力的均匀性不满足要求时，依次调节施压模块的与所述上散热器的各个位置相对应接触的多个调节螺杆的扭矩；在所述均匀性满足要求时，通电进行功率试验。基于本发明的技术方案，提供一种双面散热功率半导体器件在功率试验中的压力均匀性测试与修正控制策略，提升双面散热功率半导体器件的散热可靠性。