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公开(公告)号：CN112490724B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202011362657.4
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碟簧组件，包括轴、套设在轴上的碟簧，还包括导电柱和母排，所述母排环绕设置在碟簧侧围，且母排上设置有至少三条槽，所述导电柱与轴滑动配合，且导电柱的一端与母排连接；本发明还提供了一种功率半导体模块，包括导电顶盖和导电底座，还包括多个功率子单元和多个上述的碟簧组件，功率子单元与导电柱通过插接一一导通，单个所述功率子单元的侧围设置有绝缘胶体，两两功率子单元之间设置有间隔；本发明的母排具有至少三条通流旁路，且本发明的功率半导体模块热传递性能好，整体的失效通流能力更好。
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公开(公告)号：CN112636054A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011362069.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供了一种半导体设备组件、压接式功率模块及制造方法，该半导体设备组件包括主电路子组件和栅极子组件，所述主电路子组件包括多个主电路导电机构和主电路旁路机构，所述主电路导电机构包括半导体芯片以及一端通过垫片与所述半导体芯片接触的主电路导电柱；其中，所述主电路旁路机构为一体式结构，并且套设在多个所述主电路导电柱上，与每个所述主电路导电柱形成并联连接。通过该半导体设备组件，将所有芯片的旁路结构连通，当某一个导体芯片失效时，与其并联的芯片旁路结构能够继续提供电流导通路径，并且短路结构能够提升通流大小，提升旁路结构的失效通流能力。
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公开(公告)号：CN112635404A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011355642.5
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率子模块、其制作方法以及转模压接式功率模块，涉及电力电子技术领域，用于解决结构复杂、封装可靠性较差的技术问题。本发明的功率子单元包括绝缘胶框以及芯片，由于绝缘胶框是用胶体在所述芯片组件上以直接转模的方式而形成，避免了现有技术中将单个的芯片、上钼片和下钼片等部件逐一地放入侧框中并对其一一进行定位的多道工序，因此不仅简化了定位工序；还由于绝缘胶框为一体形成的，因此其并不存在装配缝隙，也无需后续的涂胶处理，从而也简化了涂胶工序，因此本发明的功率子单元的工序简单易操作；并且使功率子单元能够实现功率子单元一体化绝缘的保护方式，从而保证良好的绝缘效果和封装可靠性。
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公开(公告)号：CN117393520A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311432574.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/48
Abstract: 本发明提供了一种压接式功率模块的压接结构、功率模块及功率器件，该压接结构包括电极座，所述电极座的压接区域中具有多个压接凸台，所述压接凸台具有用于与对应的功率芯片模组相接触的台面；其中，自所述压接区域的中心沿径向向外的方向上，所述压接凸台的台面的面积逐渐减小。基于本发明的技术方案，通过对电极座上不同位置的压接凸台的台面面积的差异化设计，可以对外部输入压力差异进行补偿，提升功率模块内部的压力均衡性，保证功率模块的均流特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112636054B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011362069.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供了一种半导体设备组件、压接式功率模块及制造方法，该半导体设备组件包括主电路子组件和栅极子组件，所述主电路子组件包括多个主电路导电机构和主电路旁路机构，所述主电路导电机构包括半导体芯片以及一端通过垫片与所述半导体芯片接触的主电路导电柱；其中，所述主电路旁路机构为一体式结构，并且套设在多个所述主电路导电柱上，与每个所述主电路导电柱形成并联连接。通过该半导体设备组件，将所有芯片的旁路结构连通，当某一个导体芯片失效时，与其并联的芯片旁路结构能够继续提供电流导通路径，并且短路结构能够提升通流大小，提升旁路结构的失效通流能力。
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公开(公告)号：CN112635404B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202011355642.5
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率子模块、其制作方法以及转模压接式功率模块，涉及电力电子技术领域，用于解决结构复杂、封装可靠性较差的技术问题。本发明的功率子单元包括绝缘胶框以及芯片，由于绝缘胶框是用胶体在所述芯片组件上以直接转模的方式而形成，避免了现有技术中将单个的芯片、上钼片和下钼片等部件逐一地放入侧框中并对其一一进行定位的多道工序，因此不仅简化了定位工序；还由于绝缘胶框为一体形成的，因此其并不存在装配缝隙，也无需后续的涂胶处理，从而也简化了涂胶工序，因此本发明的功率子单元的工序简单易操作；并且使功率子单元能够实现功率子单元一体化绝缘的保护方式，从而保证良好的绝缘效果和封装可靠性。
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公开(公告)号：CN116053233A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211656951.5
申请日：2022-12-22
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供压接式子模组及压接式IGBT模块，其中该子模组包括发射极板、一体式旁路结构、导电弹性支撑部件、导电柱和上钼板，其中，一体式旁路结构设置在发射极板与导电柱之间以形成第一通流路径，导电弹性支撑部件位于一体式旁路结构内，导电柱位于一体式旁路结构与上钼板之间，并且导电柱与导电弹性支撑部件对应连接以传导电流形成第二通流路径。本发明中导电弹性支撑部件在受压形变到位后彼此间可以形成良好的电基础以传导电流，在提升传统通流路径的基础上新增基于导电弹性支撑部件的通流路径，既维持了基于弹性支撑部件的柔性技术路线，又在对通流路径合理优化的基础上显著增加了模块的失效通流能力。
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公开(公告)号：CN114220774A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111539832.7
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/492 , H01L25/07
Abstract: 本发明涉及一种子模块结构和压接式功率模块。其中子模块结构包括下导电基板、至少一个芯片、至少一个金属垫块、侧框绝缘胶层和塑料侧框；所述至少一个芯片通过其上下表面焊接在至少一个金属垫块和下导电基板之间；所述塑料侧框为镂空结构，且置于所述至少一个芯片之上；所述侧框绝缘胶层涂覆于所述至少一个芯片的边缘与所述塑料侧框之间，实现对所述至少一个芯片的绝缘保护。上述方案中多个芯片与下导电基板通过一次焊接完成，优化了封装工艺，简化了封装流程，提升效率，降低制造成本；且多芯片采用一次焊接工艺实现并联，焊接一致性较好，模组化程度高，便于统一测试；由于采用侧框涂胶工艺，简化了侧框结构，提高了绝缘保护可靠性。
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公开(公告)号：CN112490724A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011362657.4
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碟簧组件，包括轴、套设在轴上的碟簧，还包括导电柱和母排，所述母排环绕设置在碟簧侧围，且母排上设置有至少三条槽，所述导电柱与轴滑动配合，且导电柱的一端与母排连接；本发明还提供了一种功率半导体模块，包括导电顶盖和导电底座，还包括多个功率子单元和多个上述的碟簧组件，功率子单元与导电柱通过插接一一导通，单个所述功率子单元的侧围设置有绝缘胶体，两两功率子单元之间设置有间隔；本发明的母排具有至少三条通流旁路，且本发明的功率半导体模块热传递性能好，整体的失效通流能力更好。
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