公开(公告)号：CN111081566B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201811217696.8

申请日：2018-10-18

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王亚飞 ,  王彦刚 ,  戴小平

IPC: H01L21/603

Abstract: 一种用于功率半导体芯片的压力辅助银烧结装置，包括纳米银膜转移工装和银烧结工装。纳米银膜转移工装用于将纳米银膜附着到垫片上，其上开设有用于释放该工装在纳米银膜转移工艺过程中因受热不均匀产生的内应力的第一释压结构。银烧结工装用于将附着有纳米银膜的垫片与芯片进行银烧结，其上开设有用于释放该工装在银烧结封装工艺过程中因受热不均匀产生的内应力的第二释压结构。由于纳米银膜转移工装和银烧结工装中均设置了释压结构，可以避免工装内金属元件在芯片银烧结封装的热处理过程中产生形变，从而提高芯片的烧结封装效率。

公开(公告)号：CN108520857B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201810295947.8

申请日：2018-03-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘国友 ,  朱利恒 ,  戴小平 ,  罗海辉 ,  黄建伟

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种快恢复二极管及其制造方法，其中制造方法包括：对二极管主体的背面的N型缓冲层表面进行氧化，形成氧化层；刻蚀二极管主体的背面的预定区域的氧化层，形成开窗口；通过开窗口对二极管主体进行P阱注入，形成P阱区；对剩余氧化层进行刻蚀，露来N++注入窗口；对N++注入窗口注入N++杂质，并进行激活，使得P阱区形成处于浮空状态，与阳极区和漂移区构成内置晶闸管。通过设形成P阱区，然后进行N++注入，使得P阱区形成处于浮空状态，与二极管主体的阳极区和漂移区构成内置晶闸管，协调二极管导通压降与软恢复性能之间的折中关系，使得无需减薄硅片即可获得更好的导通压降与软恢复特性之间的折中关系，获得高品质快恢复二极管。

公开(公告)号：CN109962016B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201711432026.3

申请日：2017-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘国友 ,  张泉 ,  戴小平 ,  唐龙谷 ,  罗海辉 ,  谭灿健

IPC: H01L21/331

Abstract: 一种功率半导体器件的制备方法，其包括：在衬底中制作场限环和有源区，其中，场限环和有源区具有第二导电类型，有源区设置在场限环所形成的环形内部。相较于现有的功率半导体器件，本发明所提供的功率半导体器件制作方法由于各个场限环的间距之间还可以存在基于间距调整系数的函数关系，因此设计人员在对功率半导体器件进行设计制作时，通过调整场限环结构调节因子(包括环宽调整系数和间距调整系数)，即可快速有效地调节场限环终端结构，从而获得各种具有不同环宽和环间距的终端结构作为NGV‑FLR终端设计的备选方案。

公开(公告)号：CN111834451A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201910332896.6

申请日：2019-04-23

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 陈勇民 ,  戴小平 ,  陈芳林 ,  蒋谊 ,  唐龙谷 ,  徐焕新

IPC: H01L29/749 ,  H01L29/745 ,  H01L29/08 ,  H01L21/332

Abstract: 本发明公开了一种逆阻型门极换流晶闸管及其制造方法。晶闸管的层状结构竖直方向自下而上依次包括：P+阳极发射区、P阳极区、N-基区、P基区、P+基区、半埋于所述P+基区顶部的多个N+发射区；其中，在从正上方俯视晶闸管的方向上，多个N+发射区在以晶闸管的芯片中心为圆心的多个同心圆内沿圆弧均匀排布；P+阳极发射区包括P1+阳极发射区和水平方向环绕P1+阳极发射区的P2+阳极发射区，所述P2+阳极发射区位于所述P+阳极发射区的在远离门极引出端位置的N+发射区下方的区域以及所述P+阳极发射区的在所述晶闸管边缘终端位置的区域。

公开(公告)号：CN111129132B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201811277607.9

申请日：2018-10-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 唐龙谷 ,  吴煜东 ,  戴小平 ,  罗海辉 ,  刘国友 ,  张泉 ,  覃荣震 ,  彭勇殿

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提出了一种IGBT器件，其包括：从下至上依次设置的集电极金属层、P+区、N′区以及N‑区，N‑区的顶部形成有台阶型的沟槽，沟槽的不同台阶上形成有沟槽栅和平面栅。使用本发明的优点在于，相比于单一结构的沟槽型IGBT器件，本器件结合了沟槽栅和平面栅两种栅极结构，因此具有平面栅IGBT和沟槽栅IGBT两种工作机制。平面栅IGBT部分和沟槽栅IGBT部分的栅极氧化过程可以同时完成，可以具有同样的栅极氧化层厚度。

公开(公告)号：CN111834451B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201910332896.6

申请日：2019-04-23

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 陈勇民 ,  戴小平 ,  陈芳林 ,  蒋谊 ,  唐龙谷 ,  徐焕新

IPC: H01L29/749 ,  H01L29/745 ,  H01L29/08 ,  H01L21/332

Abstract: 本发明公开了一种逆阻型门极换流晶闸管及其制造方法。晶闸管的层状结构竖直方向自下而上依次包括：P+阳极发射区、P阳极区、N‑基区、P基区、P+基区、半埋于所述P+基区顶部的多个N+发射区；其中，在从正上方俯视晶闸管的方向上，多个N+发射区在以晶闸管的芯片中心为圆心的多个同心圆内沿圆弧均匀排布；P+阳极发射区包括P1+阳极发射区和水平方向环绕P1+阳极发射区的P2+阳极发射区，所述P2+阳极发射区位于所述P+阳极发射区的在远离门极引出端位置的N+发射区下方的区域以及所述P+阳极发射区的在所述晶闸管边缘终端位置的区域。

公开(公告)号：CN110828413B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201810888827.9

申请日：2018-08-07

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王彦刚 ,  齐放 ,  黄玥 ,  李道会 ,  吴义伯 ,  戴小平

IPC: H01L23/495

Abstract: 本发明提供的一种引线框架，该引线框架通过连接杆将各引出端子相对外部框架固定，各引出端子与外部框架形成一个整体，各引出端子的具体位置根据实际情况预先设计布置，陶瓷衬板和引线框架间采用工装定位，通过陶瓷衬板相对引线框架的一次性定位就能准确定位出所有引出端子与陶瓷衬板的连接位置，简化了定位和连接工艺流程并提高了定位的准确性，提高了生产效率和产品成品率，降低了制造周期及自动化生产的复杂性，为实现一体化自动定位连接提供可能性。本发明还提供一种制作转模功率模块的方法，通过先将引出端子定位固定再将引出端子折弯的方式降低了烧结工艺的复杂度，保证了引出端子尺寸的精度，使操作及加工更为方便。

公开(公告)号：CN107564952B

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201610502531.X

申请日：2016-06-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘国友 ,  覃荣震 ,  朱利恒 ,  罗海辉 ,  黄建伟 ,  戴小平

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: 一种功率半导体，包括：衬底；形成在衬底中的第一导电区域，第一导电区域中形成有具有第一导电类型的源极区；形成在衬底一表面的栅氧化层，栅氧化层与源极区接触，其中，栅氧化层具有多种厚度，并且随着与第一导电区域之间距离的增大，栅氧化层的厚度呈现逐渐增大的趋势；形成在栅氧化层上的多晶硅层。相较于现有的功率半导体，该功率半导体更加平整，其工艺(记号对准、光刻及刻蚀等)难度得到有效降低，这样也就有助于提高功率半导体器件的性能以及芯片封装功能的可靠性。

公开(公告)号：CN109755110B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201711092207.6

申请日：2017-11-08

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 史晶晶 ,  李诚瞻 ,  周正东 ,  杨程 ,  戴小平 ,  刘国友

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种SiC JBS器件正面电极的制造方法，包括：在SiC JBS器件的有源层上利用离子注入掩膜进行离子注入，其中，有源层包括间隔排列的P型掺杂区和N型掺杂区；在离子注入掩膜和已经注入离子的P型掺杂区上沉积保护层；进行第一次退火；去除保护层；在离子注入掩膜和完成离子替位后的P型掺杂区上沉积第一金属层；进行第二次退火；去除第一金属层和离子注入掩膜；在P型掺杂区上的金属硅化物和N型掺杂区上沉积第二金属层；进行第三次退火；离子注入掩膜由上层和下层的双层结构构成，上层用于在第二次退火时隔离N型掺杂区和第一金属层，实现欧姆接触和肖特基接触的精确分区，下层在第一次退火时保护有源层。

公开(公告)号：CN107564954B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201610503258.2

申请日：2016-06-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘国友 ,  覃荣震 ,  朱利恒 ,  罗海辉 ,  黄建伟 ,  戴小平

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423

Abstract: 一种功率半导体，包括：衬底；形成在衬底中的第一导电区域，第一导电区域中形成有具有第一导电类型的源极区；形成在衬底一表面的栅氧化层，栅极氧化层与源极区接触；形成在栅氧化层上的第一多晶硅层；其中，栅氧化层内部形成有第二多晶硅层，第二多晶硅层的一端位于第一导电区域上方，另一端与功率半导体的元胞右边缘对齐。该功率半导体的栅氧化层内部形成有浮空多晶硅层，因此在栅氧化层内部形成了场板结构，提高了器件的耐压性能，使得增强型载流子层的掺杂浓度及元胞之间的距离可以进一步增大，减小了器件的基区电阻及JFET区电阻，从而降低了通态压降，并实现了通态压降与耐压的良好折中。