公开(公告)号：CN111933710A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010768456.8

申请日：2020-08-03

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王亚飞 ,  刘启军 ,  马亚超 ,  陈喜明 ,  刘坤 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本公开提供一种碳化硅器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅器件，所述元胞结构包括：多个间隔设置于所述漂移层表面内的第二导电类型阱区；位于所述阱区表面内的第二导电类型第一源区和第一导电类型第二源区；位于相邻两个所述阱区之间的第一栅极沟槽；位于所述漂移层内且位于所述第一栅极沟槽下方的第二导电类型第一屏蔽区；设置于所述第一栅极沟槽内并分别位于所述第一栅极沟槽两侧的第一栅极和第二栅极。通过在第一栅极沟槽底部设置第一屏蔽区，可大幅降低阻断状态下器件的栅极氧化层的电场应力，大幅提高器件的长期使用可靠性。且通过在栅极沟槽内设置通过层间介质层隔离的第一栅极和第二栅极，即形成分裂状的栅极，可降低栅极寄生电容。

公开(公告)号：CN111933710B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202010768456.8

申请日：2020-08-03

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王亚飞 ,  刘启军 ,  马亚超 ,  陈喜明 ,  刘坤 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本公开提供一种碳化硅器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅器件，所述元胞结构包括：多个间隔设置于所述漂移层表面内的第二导电类型阱区；位于所述阱区表面内的第二导电类型第一源区和第一导电类型第二源区；位于相邻两个所述阱区之间的第一栅极沟槽；位于所述漂移层内且位于所述第一栅极沟槽下方的第二导电类型第一屏蔽区；设置于所述第一栅极沟槽内并分别位于所述第一栅极沟槽两侧的第一栅极和第二栅极。通过在第一栅极沟槽底部设置第一屏蔽区，可大幅降低阻断状态下器件的栅极氧化层的电场应力，大幅提高器件的长期使用可靠性。且通过在栅极沟槽内设置通过层间介质层隔离的第一栅极和第二栅极，即形成分裂状的栅极，可降低栅极寄生电容。

公开(公告)号：CN114220735A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111537622.4

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 赵艳黎 ,  马亚超 ,  陈喜明 ,  王亚飞 ,  刘启军 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件的制作方法及功率半导体器件，解决了碳化硅功率半导体容易沟槽底角形成电场集中，从而导致栅氧击穿失效的问题。功率半导体器件的制作方法包括：提供一衬底；在衬底上形成第一外延层；在第一外延层的上表面形成第一导电类型阱区；在第一导电类型阱区的部分区域形成第一导电类型掺杂层和第二导电类型掺杂层；在第一导电类型阱区的上表面形成第二外延层；刻蚀第二外延层、第一导电类型阱区、第一导电类型掺杂层和第二导电类型掺杂层以形成斜坡结构，斜坡结构沿第二外延层的侧壁向第二导电类型掺杂层延伸；在第二外延层的上表面形成栅氧层；在栅氧层上形成栅极和源极，在衬底远离第一外延层的一侧形成漏极。

公开(公告)号：CN113035951A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201911355637.1

申请日：2019-12-25

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 丁杰钦 ,  周正东 ,  施剑华 ,  焦莎莎 ,  罗烨辉 ,  刘启军 ,  周才能 ,  马亚超 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明公开了一种MOSFET结构及其制备方法和应用。该MOSFET结构包括具有沟槽的碳化硅晶圆，以及沉积于所述沟槽的侧壁和底部的栅极氧化层，且沟槽底部的栅极氧化层厚度大于沟槽侧壁的栅极氧化层厚度。本发明的MOSFET结构能够避免底部栅极氧化层厚度偏薄导致器件提前击穿的问题，提高了半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：CN116130515A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211678524.7

申请日：2022-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘启军 ,  罗海辉 ,  李诚瞻 ,  赵艳黎 ,  郑昌伟 ,  马亚超 ,  黄爱权

IPC: H01L29/45

Abstract: 本发明提供了一种欧姆接触的退火方法及功率半导体器件，解决了由于激光退火温度较高，导致退火工艺完成后合金层的表面状态糟糕，从而影响器件电学性能与可靠性的问题。该欧姆接触的退火方法，包括：提供一晶圆；在所述晶圆的退火面形成第一金属层；在所述第一金属层远离所述晶圆的一侧形成隔离金属层；在所述隔离金属的表面进行激光退火，以将所述第一金属层和部分所述晶圆形成欧姆接触层；去除所述隔离金属层。

公开(公告)号：CN113130304A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201911391962.3

申请日：2019-12-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘启军 ,  马亚超 ,  刘锐鸣 ,  赵艳黎 ,  周正东 ,  刘芹 ,  黄爱权 ,  李诚瞻

IPC: H01L21/04

Abstract: 本公开提供一种碳化硅器件电极金属层的湿法刻蚀方法。该方法包括：调整待刻蚀的碳化硅晶圆的位置，使所述碳化硅晶圆上的待刻蚀电极金属层垂直于刻蚀液的液面且所述碳化硅晶圆的主定位边与所述刻蚀液的液面呈第一预设角度；其中，所述第一预设角度为40°至50°；将所述碳化硅晶圆按照预设频率浸入到所述刻蚀液中，以对所述电极金属层进行刻蚀；其中，每次将浸入所述刻蚀液中的所述碳化硅晶圆取出静置预设时长。不仅可以消除所述电极金属层刻蚀过程中各管芯在纵向与横向的刻蚀差异，还可以消除在所述电极金属层刻蚀过程中产生的并附着于所述电极金属层表面的氢气气泡，避免造成刻蚀残留。提高了器件的电学性能与成品率，节约了制造成本。