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公开(公告)号：CN112992795B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201911297315.6
申请日：2019-12-17
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种压接式IGBT子模组结构和压接式IGBT器件，所述压接式IGBT子模组结构包括依次层叠设置的框体结构、IGBT芯片组件、电路旁路结构、碟簧组件和管盖，所述电路旁路结构分别与所述IGBT芯片组件和所述框体结构抵接，所述管盖和所述电路旁路结构之间具有间隙，所述碟簧组件使所述管盖具有背离所述电路旁路结构的方向运动的趋势，当对所述管盖施加朝向所述电路旁路结构方向的力时，所述管盖能够朝向所述电路旁路结构的方向移动，并能够与所述电路旁路结构相抵。本发明组装方便，能够节省封装空间，提升流通能力。
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公开(公告)号：CN112687676B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202011474379.1
申请日：2020-12-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本公开提供一种压接式IGBT子模组及压接式IGBT模块，该压接式IGBT子模组包括间隔设置于所述下电极板上方的若干IGBT芯片和若干FRD芯片。该压接式IGBT模块包括若干压接式IGBT子模组；管壳，包括管盖和管座；其中，所述管座为镂空结构，所述管座包括若干第五开孔和位于所述第五开孔周围的第三裙边结构；所述第五开孔用于裸露出各个所述压接式IGBT子模组的下电极板；所述第三裙边结构与所述下电极板的第一裙边结构接触，以实现密封封装。该压接式IGBT模块采用镂空结构的管座，降低了热流路径上的热阻，在这种结构下，可采用冷压焊或氩弧焊的方式实现模块密封，简化生产流程。
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公开(公告)号：CN116053233A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211656951.5
申请日：2022-12-22
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供压接式子模组及压接式IGBT模块，其中该子模组包括发射极板、一体式旁路结构、导电弹性支撑部件、导电柱和上钼板，其中，一体式旁路结构设置在发射极板与导电柱之间以形成第一通流路径，导电弹性支撑部件位于一体式旁路结构内，导电柱位于一体式旁路结构与上钼板之间，并且导电柱与导电弹性支撑部件对应连接以传导电流形成第二通流路径。本发明中导电弹性支撑部件在受压形变到位后彼此间可以形成良好的电基础以传导电流，在提升传统通流路径的基础上新增基于导电弹性支撑部件的通流路径，既维持了基于弹性支撑部件的柔性技术路线，又在对通流路径合理优化的基础上显著增加了模块的失效通流能力。
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公开(公告)号：CN115986445A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211615194.7
申请日：2022-12-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种一体化Pin针，包括Pin针主体和底座，其中，Pin针主体与底座之间通过限位结构和缓冲结构连接，缓冲结构上靠近底座的部分位于底座的外侧。本发明提供的一体化Pin针，在结构上具有纵向应力缓冲结构，能对纵向应力进行缓冲，同时有纵向限位结构部分，在保证刚度的同时能承受一定的纵向应力，并且缓冲结构与底座连接的部分位于底座的外侧，可以避免应力缓冲方向在焊接底座上方以有效减小对焊接底座的影响，从而极大程度上提高焊接界面的机械强度和可靠性。
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公开(公告)号：CN112992866A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911309383.X
申请日：2019-12-18
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/58 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种电流旁路结构，包括：插接式电极片，其包括底座和位于所述底座端部的接触片；以及带有插头的顶板，所述顶板设置在所述底座的上方，且所述插头插入所述接触片中并与所述接触片的内壁相接触。通过插接式电极片与插头相互配合，增强了大电流下电流旁路的可靠性；并且引入的集成式电流旁路，解决了独立电流失效后对应芯片不参与工作的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114613731A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011428689.X
申请日：2020-12-09
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L23/04 , H01L25/07 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种硬压接式IGBT模块，包括压接式子单元、管盖、管座和PCB，所述管盖与管座连接，中间形成容纳腔，所述压接式子单元和PCB均设于容纳腔内，所述管盖与压接式子单元的集电极接触，管座表面与所述压接式子单元的发射极接触，所述PCB与压接式子单元的栅极连接，所述管盖和/或管座上设有定向爆破结构；本发明提供的硬压接式IGBT模块加工方便、可靠性高、能实现管壳定向爆破。
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公开(公告)号：CN112992795A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911297315.6
申请日：2019-12-17
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种压接式IGBT子模组结构和压接式IGBT器件，所述压接式IGBT子模组结构包括依次层叠设置的框体结构、IGBT芯片组件、电路旁路结构、碟簧组件和管盖，所述电路旁路结构分别与所述IGBT芯片组件和所述框体结构抵接，所述管盖和所述电路旁路结构之间具有间隙，所述碟簧组件使所述管盖具有背离所述电路旁路结构的方向运动的趋势，当对所述管盖施加朝向所述电路旁路结构方向的力时，所述管盖能够朝向所述电路旁路结构的方向移动，并能够与所述电路旁路结构相抵。本发明组装方便，能够节省封装空间，提升流通能力。
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公开(公告)号：CN112687676A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011474379.1
申请日：2020-12-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本公开提供一种压接式IGBT子模组及压接式IGBT模块，该压接式IGBT子模组包括间隔设置于所述下电极板上方的若干IGBT芯片和若干FRD芯片。该压接式IGBT模块包括若干压接式IGBT子模组；管壳，包括管盖和管座；其中，所述管座为镂空结构，所述管座包括若干第五开孔和位于所述第五开孔周围的第三裙边结构；所述第五开孔用于裸露出各个所述压接式IGBT子模组的下电极板；所述第三裙边结构与所述下电极板的第一裙边结构接触，以实现密封封装。该压接式IGBT模块采用镂空结构的管座，降低了热流路径上的热阻，在这种结构下，可采用冷压焊或氩弧焊的方式实现模块密封，简化生产流程。
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公开(公告)号：CN112636054A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011362069.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供了一种半导体设备组件、压接式功率模块及制造方法，该半导体设备组件包括主电路子组件和栅极子组件，所述主电路子组件包括多个主电路导电机构和主电路旁路机构，所述主电路导电机构包括半导体芯片以及一端通过垫片与所述半导体芯片接触的主电路导电柱；其中，所述主电路旁路机构为一体式结构，并且套设在多个所述主电路导电柱上，与每个所述主电路导电柱形成并联连接。通过该半导体设备组件，将所有芯片的旁路结构连通，当某一个导体芯片失效时，与其并联的芯片旁路结构能够继续提供电流导通路径，并且短路结构能够提升通流大小，提升旁路结构的失效通流能力。
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公开(公告)号：CN112636054B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011362069.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供了一种半导体设备组件、压接式功率模块及制造方法，该半导体设备组件包括主电路子组件和栅极子组件，所述主电路子组件包括多个主电路导电机构和主电路旁路机构，所述主电路导电机构包括半导体芯片以及一端通过垫片与所述半导体芯片接触的主电路导电柱；其中，所述主电路旁路机构为一体式结构，并且套设在多个所述主电路导电柱上，与每个所述主电路导电柱形成并联连接。通过该半导体设备组件，将所有芯片的旁路结构连通，当某一个导体芯片失效时，与其并联的芯片旁路结构能够继续提供电流导通路径，并且短路结构能够提升通流大小，提升旁路结构的失效通流能力。
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