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公开(公告)号：CN112216605B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201910616287.3
申请日：2019-07-09
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅沟槽，其具有侧壁陡直和底部圆滑的沟槽结构。本发明还提供了一种碳化硅沟槽的制备方法。本发明提供的侧壁陡直、底部圆滑的碳化硅沟槽既能够提升器件性能和可靠性，又可以为后续沟槽内的生长及填充工艺带来便捷。本发明提供的方法可以制备得到具有侧壁陡直和底部圆滑的沟槽结构，工艺步骤简单，能够极大地提高工艺效率和节约成本。
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公开(公告)号：CN116300349A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310186382.0
申请日：2023-03-01
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G03F9/00 , H01L23/544 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种SiC功率器件背面光刻的对准方法和SiC功率器件，利用SiC晶圆的透明的特性，背面光刻中使用正面的标记进行对准。在正面光刻中在晶圆表面沉积特定的不透光或者明显颜色差异的膜层，因膜层特性，经过刻蚀后可以得到对准所需的标记，在背面光刻时可选择合适波段的探测光，当扫描到该标记时会得到更强的对准信号，和其他区域形成一个信号差，通过这个的信号差可以获取正面标记的位置，实现和正面标记对准的目的，再经过多个位置的对准后，提升对准精度。
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公开(公告)号：CN116130515A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211678524.7
申请日：2022-12-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/45
Abstract: 本发明提供了一种欧姆接触的退火方法及功率半导体器件，解决了由于激光退火温度较高，导致退火工艺完成后合金层的表面状态糟糕，从而影响器件电学性能与可靠性的问题。该欧姆接触的退火方法，包括：提供一晶圆；在所述晶圆的退火面形成第一金属层；在所述第一金属层远离所述晶圆的一侧形成隔离金属层；在所述隔离金属的表面进行激光退火，以将所述第一金属层和部分所述晶圆形成欧姆接触层；去除所述隔离金属层。
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公开(公告)号：CN112993009B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201911302916.1
申请日：2019-12-17
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供了一种功率器件结终端结构，场限环包括第一组场限环和第二组场限环，第一组场限环和第二组场限环中，每个场限环的宽度加上靠近主结方向且与其相邻的间隔的宽度为一常数；其中，第一组场限环相邻的场限环之间的间距以及主结与其相邻的场限环之间的间距中，每两个或多个相邻的所述间距相等，且沿从主结至场限环的方向依次递增；第二组场限环相邻的场限环之间的间距以及第二组场限环与第一组场限环相邻的场限环之间的间距中，沿从主结至场限环的方向，所述间距依次递增。本申请的结终端结构避免了主结附近和结终端外边缘附近的局部电场过大导致的器件击穿现象，使功率器件耐压性能和可靠性提升。
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公开(公告)号：CN114578651A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011389376.8
申请日：2020-12-02
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于投影光刻最佳焦距测定的掩膜版，包括包括掩膜版本体，掩膜版本体上均匀设有n条相互平行的分割线，将n条所述分割线均分为p个曝光场，所述分割线呈矩形，分割线的线宽为光刻机的极限解析度的0.8‑1.8倍，相邻两条分割线的间距为曝光场上的透光区域，所述间距等于线宽；本发明提供的用于投影光刻最佳焦距测定的掩膜版能快速的完成光刻机最佳焦距的测定，并且可以对未知工艺的最佳曝光条件进行快速测定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112216605A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910616287.3
申请日：2019-07-09
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅沟槽，其具有侧壁陡直和底部圆滑的沟槽结构。本发明还提供了一种碳化硅沟槽的制备方法。本发明提供的侧壁陡直、底部圆滑的碳化硅沟槽既能够提升器件性能和可靠性，又可以为后续沟槽内的生长及填充工艺带来便捷。本发明提供的方法可以制备得到具有侧壁陡直和底部圆滑的沟槽结构，工艺步骤简单，能够极大地提高工艺效率和节约成本。
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公开(公告)号：CN112083305B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010739182.X
申请日：2020-07-28
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本公开提供一种SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括对处于不同测试温度下的参考SiC MOSFET器件施加预设栅源负电压和预设源漏电流，以测量所述参考SiC MOSFET器件在不同测试温度下的源‑漏二极管结电压；对所有测试温度及其对应的所述参考SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压进行线性拟合，得到源‑漏二极管结电压与温度的线性关系；对待测SiC MOSFET器件施加所述预设栅源负电压和所述预设源漏电流，以测量所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压；利用所述线性关系，根据所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压确定其结温。该方法利用SiC MOSFET器件的结电压在一定的栅源负电压下具有良好线性温敏特性的特点，能够实现器件结温的准确测量。
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公开(公告)号：CN111986991B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202010838550.6
申请日：2020-08-19
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/04 , H01L21/033 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供一种沟槽的刻蚀方法、碳化硅器件的制备方法及碳化硅器件，所述碳化硅器件的制备方法包括：通过湿法刻蚀工艺和化学机械平坦化在漂移层上的氧化层上于所述屏蔽区的对应位置处形成第三刻蚀窗口；其中，所述第三刻蚀窗口的侧壁相对于其底部的倾角为130°至140°；通过所述第三刻蚀窗口，采用干法刻蚀的工艺在漂移层表面内于所述屏蔽区的对应位置处形成呈等腰梯形的沟槽，所述屏蔽区的剩余部分位于所述沟槽下方；其中，所述沟槽的侧壁相对于其底部的倾角等于所述第三刻蚀窗口的侧壁相对于其底部的倾角；在沟槽的侧壁和底部形成与漂移层形成肖特基接触的肖特基金属层。这种方法实现了MOSFET与SBD集成后通态电流和阻断电压之间最优的折中关系。
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公开(公告)号：CN114220736A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111539827.6
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/04 , H01L21/762 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423
Abstract: 本申请提供一种沟槽的形成方法、半导体器件的制备方法及半导体器件，该沟槽的形成方法包括在所述衬底上方形成第一掩膜层和第二掩膜层；其中，所述第一掩膜层上设置有贯穿所述第一掩膜层的第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口，所述第二掩膜层至少覆盖所述第二刻蚀窗口的底部且不覆盖所述第一刻蚀窗口，所述第二掩膜层的厚度小于所述第一掩膜层的厚度；通过所述第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口，以第一掩膜层为掩膜，同时对所述第二掩膜层和所述衬底进行刻蚀，以分别在所述第一刻蚀窗口和所述第二刻蚀窗口下方形成深度不同的第一沟槽和第二沟槽。该方法对衬底的进行一次刻蚀同时形成不同深度的双沟槽结构，工艺流程简单，简化了双沟槽的制备工艺。
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公开(公告)号：CN114121618A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010900701.6
申请日：2020-08-31
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/04 , H01L29/78 , H01L23/544
Abstract: 本说明书公开一种碳化硅晶体管及其制备方法。具体地，所述制备方法包括：在所述碳化硅外延层上形成Poly薄层和第一掩膜层；所述第一掩膜层包括第一注入窗口和掩膜标记；利用所述第一掩膜层对所述Poly薄层进行非穿透刻蚀形成Poly注入掩蔽层；注入第一离子，在所述碳化硅外延层与所述第一导电类型掩蔽区对应的位置形成第一导电类型区；以所述Poly层标记为对准参照，在所述第一导电类型区内形成第二导电类型区；其中，所述第一导电类型区超出所述第二导电类型区的区域为沟道结构。本说明书的技术方案，能够有效控制所述第二导电类型区相对所述第一导电类型区的偏差，从而提高晶体管的对准精度，有益于短沟道碳化硅晶体管的制备。
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