公开(公告)号：CN116130515A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211678524.7

申请日：2022-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘启军 ,  罗海辉 ,  李诚瞻 ,  赵艳黎 ,  郑昌伟 ,  马亚超 ,  黄爱权

IPC: H01L29/45

Abstract: 本发明提供了一种欧姆接触的退火方法及功率半导体器件，解决了由于激光退火温度较高，导致退火工艺完成后合金层的表面状态糟糕，从而影响器件电学性能与可靠性的问题。该欧姆接触的退火方法，包括：提供一晶圆；在所述晶圆的退火面形成第一金属层；在所述第一金属层远离所述晶圆的一侧形成隔离金属层；在所述隔离金属的表面进行激光退火，以将所述第一金属层和部分所述晶圆形成欧姆接触层；去除所述隔离金属层。

公开(公告)号：CN114566429A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202011362084.5

申请日：2020-11-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘启军 ,  郑昌伟 ,  丁杰钦 ,  卢吴越 ,  黄爱权 ,  赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC: H01L21/266 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供一种改善晶圆翘曲的方法、半导体器件制备方法及半导体器件。该改善晶圆翘曲的方法包括：提供一翘曲的晶圆；其中，所述晶圆由于在其正面进行的离子注入或刻蚀工艺发生边缘向下的翘曲，且所述晶圆各位置处的翘曲度随其与所述晶圆的中心之间的距离的增大而增大；对所述晶圆的背面进行离子注入，以在所述晶圆的背面形成若干以所述晶圆的中心为中心且间隔设置的环形离子注入区，从而使背面离子注入与正面离子注入或刻蚀工艺产生的应力相互抵消；其中，各个所述环形离子注入区的径向宽度随其与所述晶圆的中心之间的距离的增大而增大。该方法能精准消除由正面工艺带来的晶圆翘曲，避免对后续工艺造成较大影响。

公开(公告)号：CN113130304A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201911391962.3

申请日：2019-12-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘启军 ,  马亚超 ,  刘锐鸣 ,  赵艳黎 ,  周正东 ,  刘芹 ,  黄爱权 ,  李诚瞻

IPC: H01L21/04

Abstract: 本公开提供一种碳化硅器件电极金属层的湿法刻蚀方法。该方法包括：调整待刻蚀的碳化硅晶圆的位置，使所述碳化硅晶圆上的待刻蚀电极金属层垂直于刻蚀液的液面且所述碳化硅晶圆的主定位边与所述刻蚀液的液面呈第一预设角度；其中，所述第一预设角度为40°至50°；将所述碳化硅晶圆按照预设频率浸入到所述刻蚀液中，以对所述电极金属层进行刻蚀；其中，每次将浸入所述刻蚀液中的所述碳化硅晶圆取出静置预设时长。不仅可以消除所述电极金属层刻蚀过程中各管芯在纵向与横向的刻蚀差异，还可以消除在所述电极金属层刻蚀过程中产生的并附着于所述电极金属层表面的氢气气泡，避免造成刻蚀残留。提高了器件的电学性能与成品率，节约了制造成本。