公开(公告)号：CN114597120A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202011392736.X

申请日：2020-12-02

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 喻乐贤 ,  何逸涛 ,  程银华 ,  王志轮 ,  张乐 ,  谭灿健 ,  姚尧 ,  罗海辉

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种提高IGBT沟槽尺寸精度的方法，包括S1，P+推阱，生长厚氧化层；S2，光刻沟槽图形；S3，进行沟槽氧化层刻蚀，刻蚀后去除表面光刻胶；S4，BUSBAR图形光刻，BUSBAR氧化层光刻，保护BUSBAR氧化层；S5，使用氧化层作为硬掩膜，进行沟槽硅刻蚀；S6，表面多余氧化层去除，去除表面光刻胶；S7，薄氧化层生长；S8，沟槽内光刻胶填充；S9，表面部分光刻胶去除，保留沟槽内的光刻胶；S10，PWELL注入，形成PWELL层；S11，沟槽内光刻胶去除；S12，薄氧化层去除；本发明提供的提高IGBT沟槽尺寸精度的方法通过调整工艺步骤、使用硬掩膜、使用光刻胶进行深孔填充等方法，消除BUSBAR台阶对沟槽尺寸的影响，使沟槽尺寸有良好的均匀性。

公开(公告)号：CN114236338A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111539279.7

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 陆金辉 ,  周望君 ,  罗海辉 ,  宋舸 ,  鲁迪旺 ,  周亮

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供了一种热循环试验方法、装置、存储介质及电子设备，涉及热循环试验技术领域，所述方法应用于热循环试验系统，该系统包括：待测器件、液槽组件和多个可控温容器；所述方法包括：获取试验温度变化曲线；在该曲线中的每一时刻，执行以下操作，以使待测器件的温度随时间的变化与该曲线一致：获取试验温度变化曲线中当前时刻对应的温度作为当前目标温度；基于当前目标温度和每个可控温容器中的流体的温度，获得每个可控温容器向液槽组件注入流体时的流量比；控制每个可控温容器基于该流量比向液槽组件中注入流体，以使待测器件的温度达到当前目标温度。本发明提供的技术方案，能够更加精确地控制待测器件的温度，以获得更准确的试验结果。

公开(公告)号：CN114220852A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111536522.X

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 姚尧 ,  罗海辉 ,  肖强 ,  梁利晓 ,  刘葳 ,  管佳宁 ,  覃荣震 ,  何逸涛

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供的栅极总线结构及沟槽栅芯片，所述栅极总线结构包括：形成于第一导电类型的漂移区上方的具有第二导电类型的阱区，阱区与元胞区延伸出的元胞区沟槽相交，且阱区内形成有多条与元胞区沟槽方向成设定角度的栅极总线沟槽，以缓解沟槽栅芯片的翘曲；形成于阱区上方的绝缘层；以及形成于绝缘层上方的栅极信号传导层。通过在阱区内引入了与元胞区沟槽成一定角度的多条栅极总线沟槽，可以有效缓解沟槽栅芯片在加工过程中带来的翘曲，且制备流程与原流程完全兼容，对原有工艺无影响，容易实现。

公开(公告)号：CN114220774A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111539832.7

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 李星峰 ,  石廷昌 ,  罗海辉 ,  常桂钦 ,  彭勇殿 ,  李寒 ,  张文浩

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/492 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明涉及一种子模块结构和压接式功率模块。其中子模块结构包括下导电基板、至少一个芯片、至少一个金属垫块、侧框绝缘胶层和塑料侧框；所述至少一个芯片通过其上下表面焊接在至少一个金属垫块和下导电基板之间；所述塑料侧框为镂空结构，且置于所述至少一个芯片之上；所述侧框绝缘胶层涂覆于所述至少一个芯片的边缘与所述塑料侧框之间，实现对所述至少一个芯片的绝缘保护。上述方案中多个芯片与下导电基板通过一次焊接完成，优化了封装工艺，简化了封装流程，提升效率，降低制造成本；且多芯片采用一次焊接工艺实现并联，焊接一致性较好，模组化程度高，便于统一测试；由于采用侧框涂胶工艺，简化了侧框结构，提高了绝缘保护可靠性。

公开(公告)号：CN114220736A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111539827.6

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 赵艳黎 ,  龚芷玉 ,  王志成 ,  杨毅 ,  潘昭海 ,  罗海辉

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/04 ,  H01L21/762 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423

Abstract: 本申请提供一种沟槽的形成方法、半导体器件的制备方法及半导体器件，该沟槽的形成方法包括在所述衬底上方形成第一掩膜层和第二掩膜层；其中，所述第一掩膜层上设置有贯穿所述第一掩膜层的第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口，所述第二掩膜层至少覆盖所述第二刻蚀窗口的底部且不覆盖所述第一刻蚀窗口，所述第二掩膜层的厚度小于所述第一掩膜层的厚度；通过所述第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口，以第一掩膜层为掩膜，同时对所述第二掩膜层和所述衬底进行刻蚀，以分别在所述第一刻蚀窗口和所述第二刻蚀窗口下方形成深度不同的第一沟槽和第二沟槽。该方法对衬底的进行一次刻蚀同时形成不同深度的双沟槽结构，工艺流程简单，简化了双沟槽的制备工艺。

公开(公告)号：CN114121915A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010900712.4

申请日：2020-08-31

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 李道会 ,  谭琨 ,  李想 ,  马特·帕克伍德 ,  王彦刚 ,  罗海辉 ,  刘国友

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/552 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供氮化镓宽禁带功率模块封装结构，包括：封装基板、封装管壳和氮化镓宽禁带功率模块；封装管壳的边框围设封装基板，形成容纳槽；功率模块设置在容纳槽内，形成低电感对称换流及控制电路结构；氮化镓宽禁带功率模块包括具有金属层的衬板和对称键合在金属层上的至少两个氮化镓芯片组、多个弹簧插针、对称型母排功率端子、多个电容以及设置在衬板上方的驱动控制板；衬板键合在基板上；氮化镓芯片组对称键合在金属层中部；多个弹簧插针设置在氮化镓芯片组的两侧；每个氮化镓芯片组均与对称型母排功率端子和弹簧插针连接通过金属层连接；与驱动控制板通过弹簧插针电连接；多个电容对称地键合在金属层的两个周向边缘侧，以形成低电感功率回路。

公开(公告)号：CN114121618A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010900701.6

申请日：2020-08-31

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 罗烨辉 ,  魏伟 ,  赵艳黎 ,  王志成 ,  郑昌伟 ,  龚芷玉 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/78 ,  H01L23/544

Abstract: 本说明书公开一种碳化硅晶体管及其制备方法。具体地，所述制备方法包括：在所述碳化硅外延层上形成Poly薄层和第一掩膜层；所述第一掩膜层包括第一注入窗口和掩膜标记；利用所述第一掩膜层对所述Poly薄层进行非穿透刻蚀形成Poly注入掩蔽层；注入第一离子，在所述碳化硅外延层与所述第一导电类型掩蔽区对应的位置形成第一导电类型区；以所述Poly层标记为对准参照，在所述第一导电类型区内形成第二导电类型区；其中，所述第一导电类型区超出所述第二导电类型区的区域为沟道结构。本说明书的技术方案，能够有效控制所述第二导电类型区相对所述第一导电类型区的偏差，从而提高晶体管的对准精度，有益于短沟道碳化硅晶体管的制备。

公开(公告)号：CN114059048A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111319051.7

申请日：2021-11-09

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 岳金亮 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  曹胜良 ,  程银华 ,  王志轮 ,  田文星

IPC: C23C18/16

Abstract: 本发明公开了一种化学镀缺陷优化装置及方法，涉及半导体制造技术领域，该化学镀缺陷优化装置包括：支撑部件和涂液部件，所述支撑部件具有至少一个与晶圆接触的内侧面，所述涂液部件设置于所述内侧面，且所述涂液部件用于对晶圆涂抹绝缘液体。应用本发明的化学镀缺陷优化装置及方法，在化学镀工艺中，对晶圆的目标区域进行绝缘处理；对所述晶圆的非目标区域进行化学镀工艺处理。可以看出，在化学镀工艺前对晶圆经过一次边缘区域和侧壁区域的绝缘处理，这样在化学镀工艺时边缘和侧壁受胶保护区域不会生长金属颗粒，进而不会对晶圆产生颗粒污染。

公开(公告)号：CN113066861A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN201911296084.7

申请日：2019-12-16

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 罗海辉 ,  姚尧 ,  肖强 ,  肖海波 ,  覃荣震 ,  谭灿健

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提出了一种沟槽栅功率半导体器件及制作方法，该方法包括，在衬底表面形成第一导电类型区域和第二导电类型区域；在衬底表面刻蚀方形沟槽栅极和方形沟槽陪栅，陪栅位于栅极围成的区域内；在衬底表面和沟槽内部形成栅氧；在衬底表面及沟槽内部淀积多晶硅；在栅极围成的区域内表面形成第一导电类型源区；在栅氧表面及沟槽栅围成的区域表面沉积绝缘介质层；刻蚀沟槽栅极与沟槽陪栅之间的部分区域、沟槽陪栅之间的所有区域、沟槽陪栅及其上方的绝缘介质层，在刻蚀的窗口区域形成第二导电类型源区；在刻蚀的窗口内部及衬底表面形成发射极，并将多晶硅通过金属引出形成栅极；在衬底背面形成第一导电类型缓冲层、第二导电类型发射区及集电极。

公开(公告)号：CN113054016A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201911370082.8

申请日：2019-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王亚飞 ,  陈喜明 ,  郑昌伟 ,  焦莎莎 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构，包括：位于衬底层上的漂移区，位于漂移区内的第二导电类型阱区和第一JFET区，位于阱区表面内的增强区，位于第一导电类型增强区、阱区以及第一JFET区上且与它们同时接触的栅极绝缘层及其之上的栅极，位于增强区上的源极金属，位于第二电类型增强区和漂移区上的肖特基金属，位于肖特基金属之间漂移区表面的第二JFET区，以及漏极金属。本发明通过在碳化硅MOSFET元胞结构内集成SBD，抑制了体二极管的开启，提高了器件可靠性，通过SBD集成于MOSFET元胞结构的第二导电类型增强区之间，增加了芯片整体功率密度，且肖特基金属与第二JFET区进行间隔设置，实现了导通电阻和漏电流较好的折中关系。