公开(公告)号：CN116300349A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310186382.0

申请日：2023-03-01

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 曾亮 ,  程银华 ,  王惠珍 ,  张乐 ,  龚芷玉 ,  赵艳黎 ,  潘昭海

IPC: G03F9/00 ,  H01L23/544 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种SiC功率器件背面光刻的对准方法和SiC功率器件，利用SiC晶圆的透明的特性，背面光刻中使用正面的标记进行对准。在正面光刻中在晶圆表面沉积特定的不透光或者明显颜色差异的膜层，因膜层特性，经过刻蚀后可以得到对准所需的标记，在背面光刻时可选择合适波段的探测光，当扫描到该标记时会得到更强的对准信号，和其他区域形成一个信号差，通过这个的信号差可以获取正面标记的位置，实现和正面标记对准的目的，再经过多个位置的对准后，提升对准精度。

公开(公告)号：CN114597120A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202011392736.X

申请日：2020-12-02

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 喻乐贤 ,  何逸涛 ,  程银华 ,  王志轮 ,  张乐 ,  谭灿健 ,  姚尧 ,  罗海辉

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种提高IGBT沟槽尺寸精度的方法，包括S1，P+推阱，生长厚氧化层；S2，光刻沟槽图形；S3，进行沟槽氧化层刻蚀，刻蚀后去除表面光刻胶；S4，BUSBAR图形光刻，BUSBAR氧化层光刻，保护BUSBAR氧化层；S5，使用氧化层作为硬掩膜，进行沟槽硅刻蚀；S6，表面多余氧化层去除，去除表面光刻胶；S7，薄氧化层生长；S8，沟槽内光刻胶填充；S9，表面部分光刻胶去除，保留沟槽内的光刻胶；S10，PWELL注入，形成PWELL层；S11，沟槽内光刻胶去除；S12，薄氧化层去除；本发明提供的提高IGBT沟槽尺寸精度的方法通过调整工艺步骤、使用硬掩膜、使用光刻胶进行深孔填充等方法，消除BUSBAR台阶对沟槽尺寸的影响，使沟槽尺寸有良好的均匀性。

公开(公告)号：CN114059048A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111319051.7

申请日：2021-11-09

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 岳金亮 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  曹胜良 ,  程银华 ,  王志轮 ,  田文星

IPC: C23C18/16

Abstract: 本发明公开了一种化学镀缺陷优化装置及方法，涉及半导体制造技术领域，该化学镀缺陷优化装置包括：支撑部件和涂液部件，所述支撑部件具有至少一个与晶圆接触的内侧面，所述涂液部件设置于所述内侧面，且所述涂液部件用于对晶圆涂抹绝缘液体。应用本发明的化学镀缺陷优化装置及方法，在化学镀工艺中，对晶圆的目标区域进行绝缘处理；对所述晶圆的非目标区域进行化学镀工艺处理。可以看出，在化学镀工艺前对晶圆经过一次边缘区域和侧壁区域的绝缘处理，这样在化学镀工艺时边缘和侧壁受胶保护区域不会生长金属颗粒，进而不会对晶圆产生颗粒污染。

公开(公告)号：CN116313752A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310112837.4

申请日：2023-02-14

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 张东华 ,  朱奇伟 ,  刘芹 ,  王志成 ,  程银华 ,  赵艳黎 ,  潘昭海

IPC: H01L21/04

Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种沟槽型器件沉积碳膜的方法和沟槽型器件，所述方法包括在所述沟槽型器件的晶圆表面旋涂一光刻胶层，形成第一晶圆；将所述第一晶圆进行厚度为T1的第一次碳膜沉积，形成第二晶圆；去除所述第二晶圆表面沉积的光刻胶层和碳膜层，形成第三晶圆；将所述第三晶圆进行厚度为T2的第二次碳膜沉积，形成目标晶圆，其中，c为所述沟槽型器件的台阶覆盖率。通过上述两次碳膜沉积，使得沟槽型器件的晶圆表面、沟槽侧壁和沟槽底部的碳膜厚度相同，具有相同的碳保护能力，确保了碳膜对沟槽型器件不同位置的碳保护能力的一致性。