公开(公告)号：CN116130352A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211680179.0

申请日：2022-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 岳金亮 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  罗湘 ,  王志轮

IPC: H01L21/308

Abstract: 本发明提供一种晶圆及其刻蚀方法，该晶圆刻蚀方法包括：在晶圆的边缘制作抗刻蚀保护层，抗刻蚀保护层用于在刻蚀过程中保护晶圆的边缘不被刻蚀；对晶圆的表面涂覆光刻胶；对晶圆的表面进行刻蚀处理，晶圆的边缘在抗刻蚀保护层对应的位置形成隔断圈部，在晶圆的表面刻蚀出沟槽，至少一个沟槽被隔断圈部隔断；去除在晶圆的边缘的抗刻蚀保护层。通过在晶圆的表面设置抗刻蚀保护层，使得晶圆的边缘收到保护，使得晶圆表面的沟槽能够被隔断，阻挡沟槽贯穿至晶圆的边缘，使得该沟槽能够在晶圆的边缘得到隔断和封闭，避免沟槽内的填充物从沟槽内脱落，从而避免晶圆的边缘产生缺陷，提高晶圆的良率。

公开(公告)号：CN114597120A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202011392736.X

申请日：2020-12-02

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 喻乐贤 ,  何逸涛 ,  程银华 ,  王志轮 ,  张乐 ,  谭灿健 ,  姚尧 ,  罗海辉

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种提高IGBT沟槽尺寸精度的方法，包括S1，P+推阱，生长厚氧化层；S2，光刻沟槽图形；S3，进行沟槽氧化层刻蚀，刻蚀后去除表面光刻胶；S4，BUSBAR图形光刻，BUSBAR氧化层光刻，保护BUSBAR氧化层；S5，使用氧化层作为硬掩膜，进行沟槽硅刻蚀；S6，表面多余氧化层去除，去除表面光刻胶；S7，薄氧化层生长；S8，沟槽内光刻胶填充；S9，表面部分光刻胶去除，保留沟槽内的光刻胶；S10，PWELL注入，形成PWELL层；S11，沟槽内光刻胶去除；S12，薄氧化层去除；本发明提供的提高IGBT沟槽尺寸精度的方法通过调整工艺步骤、使用硬掩膜、使用光刻胶进行深孔填充等方法，消除BUSBAR台阶对沟槽尺寸的影响，使沟槽尺寸有良好的均匀性。

公开(公告)号：CN114059048A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111319051.7

申请日：2021-11-09

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 岳金亮 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  曹胜良 ,  程银华 ,  王志轮 ,  田文星

IPC: C23C18/16

Abstract: 本发明公开了一种化学镀缺陷优化装置及方法，涉及半导体制造技术领域，该化学镀缺陷优化装置包括：支撑部件和涂液部件，所述支撑部件具有至少一个与晶圆接触的内侧面，所述涂液部件设置于所述内侧面，且所述涂液部件用于对晶圆涂抹绝缘液体。应用本发明的化学镀缺陷优化装置及方法，在化学镀工艺中，对晶圆的目标区域进行绝缘处理；对所述晶圆的非目标区域进行化学镀工艺处理。可以看出，在化学镀工艺前对晶圆经过一次边缘区域和侧壁区域的绝缘处理，这样在化学镀工艺时边缘和侧壁受胶保护区域不会生长金属颗粒，进而不会对晶圆产生颗粒污染。