公开(公告)号：CN114220736A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111539827.6

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 赵艳黎 ,  龚芷玉 ,  王志成 ,  杨毅 ,  潘昭海 ,  罗海辉

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/04 ,  H01L21/762 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423

Abstract: 本申请提供一种沟槽的形成方法、半导体器件的制备方法及半导体器件，该沟槽的形成方法包括在所述衬底上方形成第一掩膜层和第二掩膜层；其中，所述第一掩膜层上设置有贯穿所述第一掩膜层的第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口，所述第二掩膜层至少覆盖所述第二刻蚀窗口的底部且不覆盖所述第一刻蚀窗口，所述第二掩膜层的厚度小于所述第一掩膜层的厚度；通过所述第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口，以第一掩膜层为掩膜，同时对所述第二掩膜层和所述衬底进行刻蚀，以分别在所述第一刻蚀窗口和所述第二刻蚀窗口下方形成深度不同的第一沟槽和第二沟槽。该方法对衬底的进行一次刻蚀同时形成不同深度的双沟槽结构，工艺流程简单，简化了双沟槽的制备工艺。