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公开(公告)号:CN112098789B
公开(公告)日:2023-06-13
申请号:CN202010771882.7
申请日:2020-08-04
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本公开提供一种IGBT模块寿命的统计方法、装置、电子设备及存储介质,所述方法包括获取待测IGBT模块的集电极与发射极之间的电压值随功率循环次数变化的变化曲线;以所述待测IGBT模块内的所有键合点为子样本,获取所述变化曲线上每个电压突变点对应的功率循环次数和键合点的总失效率;根据所述变化曲线上所有电压突变点对应的功率循环次数和键合点的总失效率,得到键合点的总失效率与功率循环次数的关系式;根据键合点的总失效率与功率循环次数的关系式,获得预设键合点失效率对应的功率循环次数,以得到所述待测IGBT模块的循环寿命。该方法可以减少IGBT模块样本数量并节省大量的试验时间,经济成本和时间成本得到很好的控制。
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公开(公告)号:CN114236338A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202111539279.7
申请日:2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种热循环试验方法、装置、存储介质及电子设备,涉及热循环试验技术领域,所述方法应用于热循环试验系统,该系统包括:待测器件、液槽组件和多个可控温容器;所述方法包括:获取试验温度变化曲线;在该曲线中的每一时刻,执行以下操作,以使待测器件的温度随时间的变化与该曲线一致:获取试验温度变化曲线中当前时刻对应的温度作为当前目标温度;基于当前目标温度和每个可控温容器中的流体的温度,获得每个可控温容器向液槽组件注入流体时的流量比;控制每个可控温容器基于该流量比向液槽组件中注入流体,以使待测器件的温度达到当前目标温度。本发明提供的技术方案,能够更加精确地控制待测器件的温度,以获得更准确的试验结果。
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公开(公告)号:CN112098789A
公开(公告)日:2020-12-18
申请号:CN202010771882.7
申请日:2020-08-04
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本公开提供一种IGBT模块寿命的统计方法、装置、电子设备及存储介质,所述方法包括获取待测IGBT模块的集电极与发射极之间的电压值随功率循环次数变化的变化曲线;以所述待测IGBT模块内的所有键合点为子样本,获取所述变化曲线上每个电压突变点对应的功率循环次数和键合点的总失效率;根据所述变化曲线上所有电压突变点对应的功率循环次数和键合点的总失效率,得到键合点的总失效率与功率循环次数的关系式;根据键合点的总失效率与功率循环次数的关系式,获得预设键合点失效率对应的功率循环次数,以得到所述待测IGBT模块的循环寿命。该方法可以减少IGBT模块样本数量并节省大量的试验时间,经济成本和时间成本得到很好的控制。
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