公开(公告)号：CN116130352A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211680179.0

申请日：2022-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 岳金亮 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  罗湘 ,  王志轮

IPC: H01L21/308

Abstract: 本发明提供一种晶圆及其刻蚀方法，该晶圆刻蚀方法包括：在晶圆的边缘制作抗刻蚀保护层，抗刻蚀保护层用于在刻蚀过程中保护晶圆的边缘不被刻蚀；对晶圆的表面涂覆光刻胶；对晶圆的表面进行刻蚀处理，晶圆的边缘在抗刻蚀保护层对应的位置形成隔断圈部，在晶圆的表面刻蚀出沟槽，至少一个沟槽被隔断圈部隔断；去除在晶圆的边缘的抗刻蚀保护层。通过在晶圆的表面设置抗刻蚀保护层，使得晶圆的边缘收到保护，使得晶圆表面的沟槽能够被隔断，阻挡沟槽贯穿至晶圆的边缘，使得该沟槽能够在晶圆的边缘得到隔断和封闭，避免沟槽内的填充物从沟槽内脱落，从而避免晶圆的边缘产生缺陷，提高晶圆的良率。

公开(公告)号：CN114059048A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111319051.7

申请日：2021-11-09

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 岳金亮 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  曹胜良 ,  程银华 ,  王志轮 ,  田文星

IPC: C23C18/16

Abstract: 本发明公开了一种化学镀缺陷优化装置及方法，涉及半导体制造技术领域，该化学镀缺陷优化装置包括：支撑部件和涂液部件，所述支撑部件具有至少一个与晶圆接触的内侧面，所述涂液部件设置于所述内侧面，且所述涂液部件用于对晶圆涂抹绝缘液体。应用本发明的化学镀缺陷优化装置及方法，在化学镀工艺中，对晶圆的目标区域进行绝缘处理；对所述晶圆的非目标区域进行化学镀工艺处理。可以看出，在化学镀工艺前对晶圆经过一次边缘区域和侧壁区域的绝缘处理，这样在化学镀工艺时边缘和侧壁受胶保护区域不会生长金属颗粒，进而不会对晶圆产生颗粒污染。