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公开(公告)号：CN113054009B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201911374310.9
申请日：2019-12-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本申请提供了一种沟槽IGBT芯片，包括N‑型漂移层；多个并联的元胞，元胞包括两个设置于N‑型漂移层上表面的第一沟槽内的主栅极，两个主栅极沿N‑型漂移层的表面延伸且平行分布；虚栅极，位于元胞之间并设置于N‑型漂移层上表面的第二沟槽内，虚栅极平行于主栅极；虚栅极通过虚栅主线引出电位，主栅极和虚栅极之间的第一虚栅P阱或者两个虚栅P阱之间的第二虚栅P阱中的虚栅P+接触区通过虚栅P阱主线引出电位。利用该沟槽IGBT芯片，通过引出虚栅以及虚栅P阱，使其分别能够施加不同的电位，避免了虚栅和P阱浮空时因Cgc较大产生的位移电流导致关断瞬间Vge抬升而减小了器件关断能力，在不降低性能的情况下有效地避免了开关过程中的电压或电流过冲。
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公开(公告)号：CN113066861B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911296084.7
申请日：2019-12-16
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本发明提出了一种沟槽栅功率半导体器件及制作方法，该方法包括，在衬底表面形成第一导电类型区域和第二导电类型区域；在衬底表面刻蚀方形沟槽栅极和方形沟槽陪栅，陪栅位于栅极围成的区域内；在衬底表面和沟槽内部形成栅氧；在衬底表面及沟槽内部淀积多晶硅；在栅极围成的区域内表面形成第一导电类型源区；在栅氧表面及沟槽栅围成的区域表面沉积绝缘介质层；刻蚀沟槽栅极与沟槽陪栅之间的部分区域、沟槽陪栅之间的所有区域、沟槽陪栅及其上方的绝缘介质层，在刻蚀的窗口区域形成第二导电类型源区；在刻蚀的窗口内部及衬底表面形成发射极，并将多晶硅通过金属引出形成栅极；在衬底背面形成第一导电类型缓冲层、第二导电类型发射区及集电极。
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公开(公告)号：CN113054009A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911374310.9
申请日：2019-12-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本申请提供了一种沟槽IGBT芯片，包括N‑型漂移层；多个并联的元胞，元胞包括两个设置于N‑型漂移层上表面的第一沟槽内的主栅极，两个主栅极沿N‑型漂移层的表面延伸且平行分布；虚栅极，位于元胞之间并设置于N‑型漂移层上表面的第二沟槽内，虚栅极平行于主栅极；虚栅极通过虚栅主线引出电位，主栅极和虚栅极之间的第一虚栅P阱或者两个虚栅P阱之间的第二虚栅P阱中的虚栅P+接触区通过虚栅P阱主线引出电位。利用该沟槽IGBT芯片，通过引出虚栅以及虚栅P阱，使其分别能够施加不同的电位，避免了虚栅和P阱浮空时因Cgc较大产生的位移电流导致关断瞬间Vge抬升而减小了器件关断能力，在不降低性能的情况下有效地避免了开关过程中的电压或电流过冲。
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公开(公告)号：CN114121946B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010879846.2
申请日：2020-08-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体集成芯片和IGBT模块，通过在所述第一半导体器件的第一电极裸露的第一部分上设置第二半导体器件，所述第一半导体器件表面除第一电极外不需要布局其它电极，有利于所述第二半导体器件的位置和电极布局的灵活性设置，包含所述半导体集成芯片的IGBT模块由于温度传感器不需要占用IGBT芯片的元胞区的面积，从而不会引起IGBT芯片电流密度的下降和饱和压降的增加，提高了IGBT模块的性能；而且温度传感器和快速恢复二极管之间的隔离简单，工艺成本低；此外，FRD芯片结温要比IGBT芯片结温高，将温度传感放置在FRD芯片上，避免IGBT芯片超过最高工作结温，引起模块失效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113066861A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201911296084.7
申请日：2019-12-16
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本发明提出了一种沟槽栅功率半导体器件及制作方法，该方法包括，在衬底表面形成第一导电类型区域和第二导电类型区域；在衬底表面刻蚀方形沟槽栅极和方形沟槽陪栅，陪栅位于栅极围成的区域内；在衬底表面和沟槽内部形成栅氧；在衬底表面及沟槽内部淀积多晶硅；在栅极围成的区域内表面形成第一导电类型源区；在栅氧表面及沟槽栅围成的区域表面沉积绝缘介质层；刻蚀沟槽栅极与沟槽陪栅之间的部分区域、沟槽陪栅之间的所有区域、沟槽陪栅及其上方的绝缘介质层，在刻蚀的窗口区域形成第二导电类型源区；在刻蚀的窗口内部及衬底表面形成发射极，并将多晶硅通过金属引出形成栅极；在衬底背面形成第一导电类型缓冲层、第二导电类型发射区及集电极。
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公开(公告)号：CN114628530A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011474140.4
申请日：2020-12-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本公开提供一种快恢复二极管、芯片及其制作方法，包括：P+型阳极区、基区和N+型阴极区，在所述基区靠近所述N+阴极区的部分还包括：至少一个埋层区，所述至少一个埋层区包括具有第一掺杂类型的第一部分和具有第二掺杂类型的第二部分，所述第一部分与所述第二部分构成PN结。
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公开(公告)号：CN114121946A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010879846.2
申请日：2020-08-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体集成芯片和IGBT模块，通过在所述第一半导体器件的第一电极裸露的第一部分上设置第二半导体器件，所述第一半导体器件表面除第一电极外不需要布局其它电极，有利于所述第二半导体器件的位置和电极布局的灵活性设置，包含所述半导体集成芯片的IGBT模块由于温度传感器不需要占用IGBT芯片的元胞区的面积，从而不会引起IGBT芯片电流密度的下降和饱和压降的增加，提高了IGBT模块的性能；而且温度传感器和快速恢复二极管之间的隔离简单，工艺成本低；此外，FRD芯片结温要比IGBT芯片结温高，将温度传感放置在FRD芯片上，避免IGBT芯片超过最高工作结温，引起模块失效。
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公开(公告)号：CN113035949A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911354828.6
申请日：2019-12-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供一种IGBT芯片。本公开的IGBT芯片包括：元胞区和位于所述元胞区周围的终端保护区；其中，所述元胞区包括IGBT元胞区和温度传感区，所述温度传感区包括第一导电类型衬底、位于所述衬底内的第二导电类型第一阱区、在所述第一阱区内间隔设置的第一导电类型源区和第二导电类型源区、位于所述衬底上方并与所述第一导电类型源区形成电连接的阴极和位于所述衬底上方并与所述第二导电类型源区形成电连接的阳极，以构成温度传感器。本公开将温度传感器集成在IGBT芯片的元胞区内，可利用温度传感器在反向截止状态下的漏电流随温度增加呈指数倍增加的特性，实现对芯片和模块的过温保护，进一步提升IGBT芯片的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN221668781U
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202323426386.6
申请日：2023-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本实用新型属于晶圆缺陷检测技术领域，具体涉及一种晶圆缺陷检测及标记工装，包括支撑座、晶圆载台、记号笔和激光指示器，所述晶圆载台可在支撑座顶部移动，晶圆载台上用于放置晶圆的位置设置有通孔，且通孔的尺寸小于晶圆的尺寸；所述支撑座上设置有安装腔，且支撑座顶部开设有与安装腔连通的开口，开口位于晶圆载台通孔的下方，所述记号笔设置在安装腔内，记号笔的笔头朝向开口设置，且记号笔可朝开口所在方向移动，所述激光指示器位于晶圆载台的上方，激光指示器的激光发射端与记号笔的笔头相对。本实用新型降低了人工目检时晶圆背面缺陷在晶圆正面的投影标记及判别缺陷具体所在芯片的难度，提高人工目检的操作效率，成本低且应用范围广。
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