公开(公告)号：CN111916422B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202010668595.3

申请日：2020-07-13

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 李道会 ,  李想 ,  马特·帕克伍德 ,  王彦刚 ,  罗海辉 ,  刘国友

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L25/04 ,  H01L25/07 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明提供一种功率模块封装结构，包括基板、陶瓷衬板、直流功率端子和交流功率端子。其中，陶瓷衬板键合在基板上。直流功率端子和交流功率端子键合在陶瓷衬板上。直流功率端子不少于两个，直流功率端子之间具有沿水平方向相对重合的部分，并且直流功率端子上沿水平方向相对重合的部分之间具有间隙。本发明提供的功率模块封装结构，通过直流功率端子之间间隔设置的沿水平方向大面积重合的部分，能够有效降低功率模块封装的整体电感。

公开(公告)号：CN114121915A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010900712.4

申请日：2020-08-31

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 李道会 ,  谭琨 ,  李想 ,  马特·帕克伍德 ,  王彦刚 ,  罗海辉 ,  刘国友

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/552 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供氮化镓宽禁带功率模块封装结构，包括：封装基板、封装管壳和氮化镓宽禁带功率模块；封装管壳的边框围设封装基板，形成容纳槽；功率模块设置在容纳槽内，形成低电感对称换流及控制电路结构；氮化镓宽禁带功率模块包括具有金属层的衬板和对称键合在金属层上的至少两个氮化镓芯片组、多个弹簧插针、对称型母排功率端子、多个电容以及设置在衬板上方的驱动控制板；衬板键合在基板上；氮化镓芯片组对称键合在金属层中部；多个弹簧插针设置在氮化镓芯片组的两侧；每个氮化镓芯片组均与对称型母排功率端子和弹簧插针连接通过金属层连接；与驱动控制板通过弹簧插针电连接；多个电容对称地键合在金属层的两个周向边缘侧，以形成低电感功率回路。

公开(公告)号：CN114121923A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010898625.X

申请日：2020-08-31

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 李道会 ,  李想 ,  马特·帕克伍德 ,  谭琨 ,  王彦刚 ,  罗海辉 ,  刘国友

IPC: H01L25/18 ,  H01L25/07 ,  H01L23/367 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明提供一种功率半导体模块封装结构，包括：封装基板、封装管壳、半桥型功率半导体模块；封装管壳与封装基板紧固连接，形成容纳空间；半桥型功率半导体模块设置在容纳空间内；半桥型功率半导体模块包括并联设置在封装基板上的配对的上开关管和下开关管，且上开关管和下开关管在水平方向相对设置；上开关管包括键合在基板上的第一衬板和键合在第一衬板上的功率半导体芯片组、主功率端子和辅助控制端子；下开关管包括键合在基板上的第二衬板和键合在第二衬板上的功率半导体芯片组、主功率端子和辅助控制端子；第一衬板和第二衬板之间通过主功率端子、辅助控制端子和模块级键合线连接，主功率端子和辅助控制端子的顶部外延伸出封装管壳。

公开(公告)号：CN111916422A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010668595.3

申请日：2020-07-13

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 李道会 ,  李想 ,  马特·帕克伍德 ,  王彦刚 ,  罗海辉 ,  刘国友

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L25/04 ,  H01L25/07 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明提供一种功率模块封装结构，包括基板、陶瓷衬板、直流功率端子和交流功率端子。其中，陶瓷衬板键合在基板上。直流功率端子和交流功率端子键合在陶瓷衬板上。直流功率端子不少于两个，直流功率端子之间具有沿水平方向相对重合的部分，并且直流功率端子上沿水平方向相对重合的部分之间具有间隙。本发明提供的功率模块封装结构，通过直流功率端子之间间隔设置的沿水平方向大面积重合的部分，能够有效降低功率模块封装的整体电感。