公开(公告)号：CN116300349A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310186382.0

申请日：2023-03-01

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 曾亮 ,  程银华 ,  王惠珍 ,  张乐 ,  龚芷玉 ,  赵艳黎 ,  潘昭海

IPC: G03F9/00 ,  H01L23/544 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种SiC功率器件背面光刻的对准方法和SiC功率器件，利用SiC晶圆的透明的特性，背面光刻中使用正面的标记进行对准。在正面光刻中在晶圆表面沉积特定的不透光或者明显颜色差异的膜层，因膜层特性，经过刻蚀后可以得到对准所需的标记，在背面光刻时可选择合适波段的探测光，当扫描到该标记时会得到更强的对准信号，和其他区域形成一个信号差，通过这个的信号差可以获取正面标记的位置，实现和正面标记对准的目的，再经过多个位置的对准后，提升对准精度。

公开(公告)号：CN114220736A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111539827.6

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 赵艳黎 ,  龚芷玉 ,  王志成 ,  杨毅 ,  潘昭海 ,  罗海辉

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/04 ,  H01L21/762 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423

Abstract: 本申请提供一种沟槽的形成方法、半导体器件的制备方法及半导体器件，该沟槽的形成方法包括在所述衬底上方形成第一掩膜层和第二掩膜层；其中，所述第一掩膜层上设置有贯穿所述第一掩膜层的第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口，所述第二掩膜层至少覆盖所述第二刻蚀窗口的底部且不覆盖所述第一刻蚀窗口，所述第二掩膜层的厚度小于所述第一掩膜层的厚度；通过所述第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口，以第一掩膜层为掩膜，同时对所述第二掩膜层和所述衬底进行刻蚀，以分别在所述第一刻蚀窗口和所述第二刻蚀窗口下方形成深度不同的第一沟槽和第二沟槽。该方法对衬底的进行一次刻蚀同时形成不同深度的双沟槽结构，工艺流程简单，简化了双沟槽的制备工艺。

公开(公告)号：CN116313752A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310112837.4

申请日：2023-02-14

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 张东华 ,  朱奇伟 ,  刘芹 ,  王志成 ,  程银华 ,  赵艳黎 ,  潘昭海

IPC: H01L21/04

Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种沟槽型器件沉积碳膜的方法和沟槽型器件，所述方法包括在所述沟槽型器件的晶圆表面旋涂一光刻胶层，形成第一晶圆；将所述第一晶圆进行厚度为T1的第一次碳膜沉积，形成第二晶圆；去除所述第二晶圆表面沉积的光刻胶层和碳膜层，形成第三晶圆；将所述第三晶圆进行厚度为T2的第二次碳膜沉积，形成目标晶圆，其中，c为所述沟槽型器件的台阶覆盖率。通过上述两次碳膜沉积，使得沟槽型器件的晶圆表面、沟槽侧壁和沟槽底部的碳膜厚度相同，具有相同的碳保护能力，确保了碳膜对沟槽型器件不同位置的碳保护能力的一致性。

公开(公告)号：CN113798658A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202111266328.4

申请日：2021-10-28

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 潘昭海 ,  方杰 ,  冯加云 ,  徐凝华 ,  贺新强 ,  张贤坤 ,  曾雄 ,  翁嘉男

IPC: B23K20/26 ,  B23K20/10 ,  B23K101/36

Abstract: 本发明提供了一种Pin针超声焊接的焊接头结构、Pin针结构及焊接装置、方法，该焊接头结构包括焊接头本体，所述焊接头本体呈柱状，其内部中心处具有沿其轴向延伸的空腔，所述空腔的一端延伸至所述焊接头本体一端的端面并在所述端面的中心形成开口；所述焊接头本体的内部在靠近所述空腔的另一端处开设有气体通道，所述气体通道连通所述空腔；或所述空腔的内壁上在靠近所述开口处设置有至少一个弹性圈，所述弹性圈嵌设于所述空腔的内壁且其表面凸出于所述空腔的内壁面。基于本发明的技术方案，焊接头利用真空吸附结构或弹性圈结构对Pin针进行吸附并固定，保证了Pin针在焊接头本体内部以及后续超声焊接过程中的衬板或模块上的定位精度。