公开(公告)号：CN112083305A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010739182.X

申请日：2020-07-28

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 石帮兵 ,  丁杰钦 ,  李诚瞻 ,  赵艳黎 ,  郑昌伟 ,  焦莎莎 ,  罗烨辉 ,  罗海辉

IPC: G01R31/26

Abstract: 本公开提供一种SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括对处于不同测试温度下的参考SiC MOSFET器件施加预设栅源负电压和预设源漏电流，以测量所述参考SiC MOSFET器件在不同测试温度下的源‑漏二极管结电压；对所有测试温度及其对应的所述参考SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压进行线性拟合，得到源‑漏二极管结电压与温度的线性关系；对待测SiC MOSFET器件施加所述预设栅源负电压和所述预设源漏电流，以测量所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压；利用所述线性关系，根据所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压确定其结温。该方法利用SiC MOSFET器件的结电压在一定的栅源负电压下具有良好线性温敏特性的特点，能够实现器件结温的准确测量。

公开(公告)号：CN111987089A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010837962.8

申请日：2020-08-19

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 尚敬 ,  肖强 ,  朱利恒 ,  罗海辉 ,  覃荣震 ,  刘鹏飞

IPC: H01L25/18 ,  H01L27/02 ,  H01L29/739

Abstract: 本公开提供一种逆导型IGBT功率集成模块，包括衬板和设置于所述衬板上的逆导型IGBT芯片；所述衬板包括发射极导电层和集电极导电层；所述逆导型IGBT芯片包括终端区、若干IGBT器件和若干FRD器件；其中，所述IGBT器件的总面积为所述逆导型IGBT芯片的面积的50％至90％，所述IGBT器件的发射极PAD区与所述FRD器件的阳极PAD区通过绑定线与所述发射极导电层连接，所述IGBT器件的集电极PAD区和所述FRD器件的阴极PAD区通过焊层与所述集电极导电层连接。通过将若干IGBT器件和FRD器件集成在一个芯片上，形成逆导型IGBT芯片，使得IGBT器件和FRD器件共用芯片的终端区，提高了衬板通流能力。

公开(公告)号：CN109755300B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201811435318.7

申请日：2018-11-28

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 朱春林 ,  王亚飞 ,  王彦刚 ,  覃荣震 ,  戴小平 ,  罗海辉 ,  刘国友

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了一种沟槽IGBT芯片，包括：N型衬底；多个条形沟槽栅极，其沿N型衬底表面延伸且平行分布；多个辅助栅极，其垂直于条形沟槽栅极的长度方向，以将多个条形沟槽栅极之间的区域隔离为多个有源区和多个陪区，有源区和陪区交替排列；其中，有源区设置有N+区、P+区、P阱区和N阱区：陪区未设置N+区、P+区、P阱区和N阱区；发射极金属层，其与N+区和P+区接触。本发明可以通过在沟槽IGBT芯片单胞内有源区和陪区之间引入辅助栅极，从而对有源区和陪区两者间进行有效隔离，避免二者之间工作中相互干扰，进而可以分别对有源区和陪区有针对性设计以实现芯片性能的总体优化。

公开(公告)号：CN111223838A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN202010026532.8

申请日：2020-01-10

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 吴义伯 ,  时海定 ,  常桂钦 ,  徐凝华 ,  方杰 ,  童颜 ,  王玉麒 ,  彭勇殿 ,  罗海辉

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/473

Abstract: 本发明提出了一种高效散热绝缘衬板，包括依次层叠设置的上金属层、陶瓷层和下金属层，所述陶瓷层内设置有流道结构，所述流道结构布满半导体芯片的发热区域。本发明的绝缘衬板陶瓷层内部设置有通道结构，使得高效散热效果的绝缘衬板设计不再受限于材料特性的选择，可以实现从半导体芯片到冷却液之间的直接散热，改善了模块内部散热路径，增强了模块散热效率，提高功率模块的热稳定性及长期可靠性。

公开(公告)号：CN222029076U

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202323480207.7

申请日：2023-12-19

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 时海定 ,  李贵生 ,  常桂钦 ,  肖强 ,  罗海辉 ,  邵钰 ,  刘元剑 ,  何雄辉 ,  陈超

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/367 ,  H01L23/492 ,  H01L25/07

Abstract: 本实用新型涉及一种电子封装器件及功率模块，涉及半导体封装技术领域。本实用新型的电子封装器件包括用于安装芯片的衬板、包裹在衬板外的塑封体、以及用于连接衬板和外部电器的多个第一端子；第一端子至少部分嵌入塑封体内，第一端子为具有台阶的阶梯形结构，阶梯形结构的台阶端面与塑封体的成型顶面相齐平，以形成接触密封。由于第一端子为具有台阶的阶梯形结构，阶梯形结构的台阶端面与塑封体的成型顶面相齐平，转模时第一连接段与上模腔壁面直接接触，因此无需在塑封模具上为每个PIN针单独配置定位结构；由于在塑封时第一端子的台阶端面与塑封体之间形成接触密封，解决了转模塑封时容易发生环氧树脂外溢的问题。

公开(公告)号：CN221862667U

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202323289112.7

申请日：2023-12-04

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘敏安 ,  罗海辉 ,  肖强 ,  任亚东 ,  李诚瞻 ,  翟龙

IPC: H02M1/32 ,  H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H03K17/082

Abstract: 本申请提供一种短路保护驱动电路及设备，该电路中，第一碳化硅MOS模块和第二碳化硅MOS模块串联于负载主电路形成半桥电路，电流传感器S1与负载主电路连接，电流传感器S1用于检测负载主电路中位于第一碳化硅MOS模块和第二碳化硅MOS模块之间的电流信号，第一驱动电路和第二驱动电路均与电流传感器S1连接，第一驱动电路与第一碳化硅MOS模块连接，第一驱动电路用于根据电流信号控制第一碳化硅MOS模块的栅极电压，第二驱动电路与第二碳化硅MOS模块连接，第二驱动电路用于根据电流信号控制第二碳化硅MOS模块的栅极电压。本申请具有电路短路保护的效果。

公开(公告)号：CN220022605U

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202320696070.X

申请日：2023-03-31

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘敏安 ,  罗海辉 ,  卢圣文 ,  王旭 ,  李诚 ,  陈彦 ,  任亚东

IPC: H02M1/088 ,  H02M1/32 ,  H02M7/5387

Abstract: 本实用新型提供一种驱动电路，包括：驱动推挽电路，所述驱动推挽电路包括第一电源端、输出节点、第二电源端和驱动控制端，用于根据所述驱动控制端的控制信号控制所述输出节点的输出电压为第一电源端或第二电源端的电压；驱动电阻，用于根据所述输出节点的输出电压控制目标晶体管的栅极电压，其中，所述目标晶体管为上桥臂晶体管或下桥臂晶体管；负压抑制电路，用于根据所述第一电源端与所述输出节点之间的电压差来确定是否将所述目标晶体管的栅极电压钳位到与所述目标晶体管的源极电压相同。能够有效避免负向电压过大带来的栅极绝缘层加速退化或损坏的问题，且能够有效避免正向电压过大带来上下桥臂晶体管直通的问题。

公开(公告)号：CN216563104U

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202123172901.3

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 时海定 ,  邹淅 ,  常桂钦 ,  罗海辉 ,  向华 ,  魏思 ,  余军 ,  石廷昌

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/473

Abstract: 本申请提供了一种散热基板以及功率模块。该散热基板的下表面形成有多个针翅，所述针翅构造为以下一种或几种：在散热需求高的区域针翅分布的密度大、具有第一结构以及包括第一结构和不同于第一结构的其他结构的组合；从而提高对散热需求高的区域的换热效率，有利于避免出现散热短板；将第一结构的针翅布置在对散热需求高的区域，由于第一结构的针翅有较高散热能力，有利于避免该区域成为散热短板；不同芯片安装区域的针翅横截面的形状不同，使得模块在保持散热性能的前提下，冷却液流阻降低。

公开(公告)号：CN216490256U

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202122587046.6

申请日：2021-10-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 曾宏 ,  罗海辉 ,  任亚东 ,  刘敏安 ,  陈彦 ,  陈芳林 ,  沈飞淞 ,  潘学军 ,  陈勇民 ,  邹平

IPC: H02M7/04

Abstract: 本实用新型公开了一种高位取能电路，包括主晶闸管、正向充电模块、负向充电模块和RC吸收模块；所述正向充电模块包括第一二极管、第二二极管、第一维持晶闸管、第一维持信号单元和第一充电电容；所述负向充电模块包括第三二极管、第四二极管、第二维持晶闸管、第二维持信号单元和第二充电电容；所述RC吸收模块包括吸收电阻和吸收电容；当主晶闸管的阳极为正电压时，端电压加在第一维持晶闸管、吸收电阻、吸收电容、第三二极管形成的回路；当主晶闸管V1的阳极为负电压时，端电压加在第二维持晶闸管、吸收电阻、吸收电容、第一二极管形成的回路，这样，整个周期内控制单元均能够从RC吸收回路取电，延长了取电时间，提高了取电功率。

公开(公告)号：CN220087140U

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202320565690.X

申请日：2023-03-21

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 余军 ,  王梦妍 ,  常桂钦 ,  罗海辉 ,  康强 ,  肖强 ,  秦光远

IPC: H02M1/00 ,  H05K1/11 ,  H05K1/18 ,  H02M7/5387 ,  H01L23/498

Abstract: 本实用新型涉及一种三电平功率模块，涉及半导体技术领域。本实用新型的三电平功率模块通过设置外壳、第一绝缘衬板、第二绝缘衬板以及布置在所述第一绝缘衬板与所述第二绝缘衬板上的三电平逆变电路，所述三电平逆变电路包括第一电路单元、第二电路单元、第三电路单元、第四电路单元、第五电路单元以及第六电路单元，第一绝缘衬板设置有第一导电图案层，第二绝缘衬板上设置有第二导电图案层，第一导电图案层与第二导电图案层电连接，第一导电图案层上设置有第一电路单元、第二电路单元及第五电路单元，第二导电图案层上设置有第三电路单元、第四电路单元及第六电路单元，解决的了现有技术中的三电平功率模块体积大、集成度低的问题。