一种能够调节行程的软连接结构

    公开(公告)号:CN110416771B

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN201810391310.9

    申请日:2018-04-27

    Abstract: 本发明涉及一种能够调节行程的软连接结构,包括:安装部和接触部;所述安装部的连接端与复合母排连接,所述接触部的接触端与模块的母排端子接触;所述安装部和接触部之间设有软连接部,所述软连接部包括导柱,所述导柱的一端位于接触部内,另一端与安装部螺纹连接,在接触部内调节导柱与安装部的旋合深度调整安装部和接触部的距离。本发明的软连接结构,能够吸收母排端子安装面的高度差,消除由于高度差造成的母排端子变形和产生的机械应力,达到保护器件的目的;同时可调的预紧力和压缩行程,以及接触部的软接触设计可以有效保证各安装面的有效接触;该设计有助于提升器件和系统应用的可靠性。

    功率半导体器件保护电路、控制方法、存储介质以及设备

    公开(公告)号:CN112803373B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202011474538.8

    申请日:2020-12-14

    Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件保护电路、控制方法、存储介质以及设备,其包括关断模块、保护模块和控制模块。其中,控制模块配置为响应于用于指示功率半导体器件短路的指令而控制关断模块动作以断开关断电路,从而能够在功率半导体器件失效或者外界原因造成门阴极短路后,仍能保护关断电路上的器件;另外,还控制保护模块动作以接通保护电路,确保实现门阴极短路,有效提高功率半导体器件的承压能力以及升压速率,并可以在外部因素导致门阴极短路的情况下可以快速接通保护电路,保护整个功率半导体驱动关断电路的安全性,同时提高功率半导体器件的可适用性、可靠性以及重复应用性。

    IGCT以及大功率半导体器件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114040568A

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202111268274.5

    申请日:2021-10-29

    Abstract: 本申请提供了一种IGCT以及大功率半导体器件。该IGCT包括GCT、接口板、驱动板和屏蔽罩,屏蔽罩位于接口板下方,接口板包括相邻设置的接口板一部和接口板二部,屏蔽罩包括相邻设置的屏蔽罩一部和屏蔽罩二部,接口板一部、屏蔽罩一部以及GCT压接配合,GCT凸出于接口板一部的台阶面为阳极台面,GCT凸出于屏蔽罩一部的台阶面为阴极台面;驱动板与接口板二部和屏蔽罩二部可拆卸地连接。利用该IGCT,通过将IGCT传统的驱动单元电路板拆分为接口板和驱动板,接口板一侧与GCT、屏蔽罩压接,接口板另一侧与驱动板、屏蔽罩可拆卸地连接,从而为定期更换驱动板提供了结构基础。

    功率半导体器件保护电路、控制方法、存储介质以及设备

    公开(公告)号:CN112803373A

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN202011474538.8

    申请日:2020-12-14

    Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件保护电路、控制方法、存储介质以及设备,其包括关断模块、保护模块和控制模块。其中,控制模块配置为响应于用于指示功率半导体器件短路的指令而控制关断模块动作以断开关断电路,从而能够在功率半导体器件失效或者外界原因造成门阴极短路后,仍能保护关断电路上的器件;另外,还控制保护模块动作以接通保护电路,确保实现门阴极短路,有效提高功率半导体器件的承压能力以及升压速率,并可以在外部因素导致门阴极短路的情况下可以快速接通保护电路,保护整个功率半导体驱动关断电路的安全性,同时提高功率半导体器件的可适用性、可靠性以及重复应用性。

    一种串扰抑制的控制电路和控制方法

    公开(公告)号:CN116388532A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310166948.3

    申请日:2023-02-24

    Abstract: 本发明涉及半导体领域,公开了一种串扰抑制的控制电路和控制方法,控制电路包括检测模块、电平翻转模块、上桥臂串扰抑制模块及下桥臂串扰抑制模块;检测PWM控制信号的下降沿产生翻转信号,对次级控制信号进行电平翻转,使能翻转后的次级控制信号交替导通上桥臂串扰抑制模块及下桥臂串扰抑制模块,在上下桥臂发生串扰之前提前吸收掉上下桥臂导通至关断时刻产生的串扰应力,从而实现对上下桥臂的串扰现象主动抑制,在不牺牲上下桥臂开关器件的开关速度、开关损耗的前提下,可高效可靠的实现对上桥臂和下桥臂的串扰现象的主动抑制,提高开关器件的可靠性,且电路结构易于实现,成本低。

    一种GCT单元胞门阴极特性识别装置和方法

    公开(公告)号:CN116318093A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310131069.7

    申请日:2023-02-07

    Abstract: 本发明涉及半导体制造领域,公开了一种GCT单元胞门阴极特性识别装置和方法,装置包括电源模块,为检测模块输出第一电压参考地的电压;检测模块,分别与GCT单元胞门极端和阴极端连接,用于检测GCT单元胞门阴极梳条的状态,输出第一电压参考地的第一检测信号;处理模块,将第一检测信号转换为第二电压参考地的第二检测信号,第二电压参考地为GCT单元胞关断电路的电压参考地;控制模块,根据第二检测信号使能控制信号,控制信号用于控制GCT单元胞关断电路的导通状态。通过在GCT单元胞门阴极之间设计该识别装置,对GCT单元胞门阴极梳条状态进行识别,避免在施加驱动供电时导致GCT芯片被烧损,实现对GCT芯片的保护。

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