公开(公告)号：CN116613156A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310524487.2

申请日：2023-05-10

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 常桂钦 ,  李想 ,  罗海辉 ,  秦光远 ,  王彦刚 ,  肖强 ,  彭勇殿

IPC: H01L25/18 ,  H01L25/07 ,  H01L23/485 ,  H01L23/367 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装结构，包括基板以及均布在所述基板上的多个衬板，所述衬板上具有多个金属层。多个所述衬板形成在所述基板上并列分布且彼此并联的多个功能单元，每个所述功能单元均包括两个相对设置的所述衬板，同一个所述功能单元中的两个所述衬板上的所述金属层的布局结构关于所述功能单元的中心中心对称，多个所述功能单元的所述金属层的布局结构以及相对所述基板的布局方位相同。本发明通过设计封装结构中的衬板、芯片的布局，以及改进键合结构和功率端子的结构，能够实现各种功率容量的低电感封装。

公开(公告)号：CN119447079A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411582240.7

申请日：2024-11-07

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 秦光远 ,  石廷昌 ,  邹淅 ,  常桂钦 ,  肖睦仁 ,  肖强 ,  汤翔

IPC: H01L23/495

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种功率模块，包括基板、衬板、作为上管的芯片单元一和作为下管的芯片单元二，芯片单元一布置在衬板靠近AC端子的一端，芯片单元二布置在衬板靠近DC端子的一端；芯片单元一和芯片单元二均包括两对以上的IGBT和二极管芯片，IGBT和二极管芯片均为一字型布置，且芯片单元二中的IGBT位于靠近芯片单元一的一侧；衬板位于芯片单元一和芯片单元二之间的区域设置有孤岛铜皮一，衬板上连接下管G极辅助端子的下管铜皮一位于AC端子所在的一端，芯片单元二中IGBT的门极均与孤岛铜皮一互连，孤岛铜皮一与下管铜皮一互连。本发明适用于低感封装，可减小电磁干扰和控制回路杂感，提高响应速度。

公开(公告)号：CN114628376A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011465254.2

申请日：2020-12-14

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 秦光远 ,  方超 ,  常桂钦 ,  罗海辉 ,  彭勇殿

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明属于一种功率模块，具体是涉及到一种功率模块及其制作方法，功率模块包括基板、衬板、芯片及封装壳体，所述衬板包括陶瓷层及上覆金属层、下覆金属层；还包括母排端子，所述母排端子与上覆金属层一体成型；制作方法包括通过冲压使母排端子与上覆金属层一体成型；将上覆金属层和下覆金属层分别连接在陶瓷层的上表面和下表面；将芯片连接在衬板上；使芯片与上覆金属层电性连接；将衬板连接在基板上；将封装壳体安装在基板上；在封装壳体的内部填充绝缘胶；本发明母排端子与上覆金属层一体成型，减少了焊接界面，消除了传统焊接或超声波键合的功率模块中母排端子与上覆金属层接触界面可靠性薄弱的问题，提升了功率模块的温度冲击可靠性。

公开(公告)号：CN220087140U

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202320565690.X

申请日：2023-03-21

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 余军 ,  王梦妍 ,  常桂钦 ,  罗海辉 ,  康强 ,  肖强 ,  秦光远

IPC: H02M1/00 ,  H05K1/11 ,  H05K1/18 ,  H02M7/5387 ,  H01L23/498

Abstract: 本实用新型涉及一种三电平功率模块，涉及半导体技术领域。本实用新型的三电平功率模块通过设置外壳、第一绝缘衬板、第二绝缘衬板以及布置在所述第一绝缘衬板与所述第二绝缘衬板上的三电平逆变电路，所述三电平逆变电路包括第一电路单元、第二电路单元、第三电路单元、第四电路单元、第五电路单元以及第六电路单元，第一绝缘衬板设置有第一导电图案层，第二绝缘衬板上设置有第二导电图案层，第一导电图案层与第二导电图案层电连接，第一导电图案层上设置有第一电路单元、第二电路单元及第五电路单元，第二导电图案层上设置有第三电路单元、第四电路单元及第六电路单元，解决的了现有技术中的三电平功率模块体积大、集成度低的问题。