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公开(公告)号：CN117219665A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311224427.5
申请日：2023-09-21
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/08
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种门极换流晶闸管芯片及晶闸管，阴极金属层、位于阴极金属层两侧的门极金属层、与所述阴极金属层相对的阳极金属层、以及形成于阴极金属层与阳极金属层之间的半导体衬底；半导体衬底包括五层区结构或六层区结构，且每结构区具有不同的导电类型，将P基区分区设计形成“凹”形主结，提升阴极梳条下方的P基区的结深及浓度，降低该部分对应等效的npn晶体管的电流增益α21，可实现同时降低通态损耗及关断损耗。本发明尤其适用逆阻型GCT，可降低片厚，实现较好的阻断、通态与关断之间的折中设计。
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公开(公告)号：CN115763450A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211524368.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本发明提供功率半导体器件封装结构，包括从上至下依次布置的管盖、晶闸管芯片、二极管芯片、GCT芯片和管座，其中管盖与管座之间设置有管壁，晶闸管芯片、二极管芯片和GCT芯片两侧均设置有钼片，位于晶闸管芯片上侧的钼片上设置有第一铜排，位于二极管芯片上侧的钼片上设置有第二铜排，位于GCT芯片上侧的钼片上设置有第三铜排，第一铜排和第三铜排的其中一端从管壁的同一侧伸出，晶闸管芯片上设置有门极针，与门极针连接的门极线和第二铜排的其中一端从管壁的另一侧伸出。本发明将功率半导体器件封装结构，将晶闸管芯片、二极管芯片和GCT芯片组合封装在一起，极大程度上减小了整个模块的体积。
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公开(公告)号：CN111933686B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010609729.4
申请日：2020-06-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/744 , H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件及其制作方法，解决了标准型GCT芯片在过电压阻断状态时容易在芯片台面终端处失效，导致器件失效呈开路状态的问题。包括功能区和电压击穿区，电压击穿区靠近功率半导体器件的中心位置，被功能区环绕，包括依次层叠设置的第二导电类型短路结构和凸形第二导电类型基区，第二导电类型短路结构贯穿功能区的第一导电类型透明发射阳极和第二导电类型缓冲层；凸形第二导电类型基区贯穿第一导电类型第一基区、第一导电类型第二基区和第二导电类型区，在第二导电类型基区向第一导电类型基区的延伸方向上形成凸起部。
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公开(公告)号：CN114024323A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111273329.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种投切控制装置的辅助供电电路及电子器件投切电路，投切控制装置的辅助供电电路，包括RC电路和取能电路；RC电路一端连接于第一电子器件的一端，RC电路另一端连接取能电路的第一输入端；取能电路的第二输入端连接于第一电子器件的另一端，取能电路的输出端连接投切控制装置；投切控制装置为用于控制与第一电子器件串联的第二电子器件投切的装置。采用本发明，可以保证投切控制装置的工作稳定性。
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公开(公告)号：CN112803373A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011474538.8
申请日：2020-12-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H02H7/20
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件保护电路、控制方法、存储介质以及设备，其包括关断模块、保护模块和控制模块。其中，控制模块配置为响应于用于指示功率半导体器件短路的指令而控制关断模块动作以断开关断电路，从而能够在功率半导体器件失效或者外界原因造成门阴极短路后，仍能保护关断电路上的器件；另外，还控制保护模块动作以接通保护电路，确保实现门阴极短路，有效提高功率半导体器件的承压能力以及升压速率，并可以在外部因素导致门阴极短路的情况下可以快速接通保护电路，保护整个功率半导体驱动关断电路的安全性，同时提高功率半导体器件的可适用性、可靠性以及重复应用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112363040A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011187514.4
申请日：2020-10-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请提供的一种功率半导体器件门极驱动检测电路及其控制方法，该电路包括门阴极电压检测单元，用于检测所述功率半导体器件的门极和阴极之间的电压差；高压检测单元，用于检测所述功率半导体器件的阳极和阴极之间的电压差；逻辑单元，用于在接收到所述外部控制系统发出的外部控制信号时输出第一控制信号，以及接收所述第一检测信号和所述第二检测信号并分别对所述第一检测信号和所述第二检测信号对应的电压差进行判断；触发单元，用于根据所述逻辑单元输出的控制信号生成触发信号，以控制所述功率半导体器件导通。检测电路组成元件简洁、可靠，不仅降低了驱动电路的复杂程度，还节约成本，可广泛应用于功率半导体型器件的驱动电路中。
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公开(公告)号：CN112202435B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202010839567.3
申请日：2020-08-19
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明涉及一种基于集成门极换流晶闸管的功率模块，涉及电力电子技术领域。本发明的基于集成门极换流晶闸管的功率模块，包括至少两个层叠设置功率子单元，由于相邻的功率子单元关于第一器件的上表面或下表面对称设置，因此可使相邻的第一导通结构中的电流方向相反，且相邻的第二导通结构中的电流方向也相反，而流向相反的电流产生的电磁感应会相互抵消一部分，从而实现降低回路杂散电感的目的。
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公开(公告)号：CN116318093A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310131069.7
申请日：2023-02-07
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H03K17/081 , H03K17/0814
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种GCT单元胞门阴极特性识别装置和方法，装置包括电源模块，为检测模块输出第一电压参考地的电压；检测模块，分别与GCT单元胞门极端和阴极端连接，用于检测GCT单元胞门阴极梳条的状态，输出第一电压参考地的第一检测信号；处理模块，将第一检测信号转换为第二电压参考地的第二检测信号，第二电压参考地为GCT单元胞关断电路的电压参考地；控制模块，根据第二检测信号使能控制信号，控制信号用于控制GCT单元胞关断电路的导通状态。通过在GCT单元胞门阴极之间设计该识别装置，对GCT单元胞门阴极梳条状态进行识别，避免在施加驱动供电时导致GCT芯片被烧损，实现对GCT芯片的保护。
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公开(公告)号：CN114220850B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202111539836.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供一种功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件，所述元胞结构包括衬底，其中，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；位于所述衬底内的第一导电类型第一基区；其中，所述第一基区于所述元胞结构中心位置设置有向靠近所述第二表面方向延伸的第一凸台；位于所述第一基区与所述第二表面之间的阳极区；其中，所述阳极区靠近所述第一基区的一侧于与所述第一凸台对应的位置处形成凹部。该凹部处的阳极区的结深远小于其它区域，既可降低该处逆阻阳极发射效率，又能在该处形成芯片关断时载流子快速抽取通道，从而降低芯片关断拖尾时间和反向恢复时间，降低关断损耗。
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公开(公告)号：CN114024323B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202111273329.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种投切控制装置的辅助供电电路及电子器件投切电路，投切控制装置的辅助供电电路，包括RC电路和取能电路；RC电路一端连接于第一电子器件的一端，RC电路另一端连接取能电路的第一输入端；取能电路的第二输入端连接于第一电子器件的另一端，取能电路的输出端连接投切控制装置；投切控制装置为用于控制与第一电子器件串联的第二电子器件投切的装置。采用本发明，可以保证投切控制装置的工作稳定性。
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