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公开(公告)号：CN114200275B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010898622.6
申请日：2020-08-31
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本说明书实施例提供一种碳化硅MOSFET器件高温栅偏试验方法及系统，包括：利用阈值电压测试装置测试至少一组待测器件的初始阈值电压值；利用高温栅偏测试装置对待测器件进行三种驱动电压条件下的高温栅偏测试；三种驱动电压分别为+20V/0V，+20V/‑5V和+20V/‑10V；在高温栅偏测试过程中，于不同的时间点利用阈值电压测试装置测试待测器件的当前阈值电压值，得到不同时间点对应的阈值电压值；高温栅偏测试结束，根据初始阈值电压值和不同时间点对应的阈值电压值，对阈值电压退化特性进行分析。本说明书充分考虑器件的实际工况，能够对碳化硅MOSFET器件进行全面的可靠性试验。
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公开(公告)号：CN114200275A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010898622.6
申请日：2020-08-31
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本说明书实施例提供一种碳化硅MOSFET器件高温栅偏试验方法及系统，包括：利用阈值电压测试装置测试至少一组待测器件的初始阈值电压值；利用高温栅偏测试装置对待测器件进行三种驱动电压条件下的高温栅偏测试；三种驱动电压分别为+20V/0V，+20V/‑5V和+20V/‑10V；在高温栅偏测试过程中，于不同的时间点利用阈值电压测试装置测试待测器件的当前阈值电压值，得到不同时间点对应的阈值电压值；高温栅偏测试结束，根据初始阈值电压值和不同时间点对应的阈值电压值，对阈值电压退化特性进行分析。本说明书充分考虑器件的实际工况，能够对碳化硅MOSFET器件进行全面的可靠性试验。
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公开(公告)号：CN112083305A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010739182.X
申请日：2020-07-28
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本公开提供一种SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括对处于不同测试温度下的参考SiC MOSFET器件施加预设栅源负电压和预设源漏电流，以测量所述参考SiC MOSFET器件在不同测试温度下的源‑漏二极管结电压；对所有测试温度及其对应的所述参考SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压进行线性拟合，得到源‑漏二极管结电压与温度的线性关系；对待测SiC MOSFET器件施加所述预设栅源负电压和所述预设源漏电流，以测量所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压；利用所述线性关系，根据所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压确定其结温。该方法利用SiC MOSFET器件的结电压在一定的栅源负电压下具有良好线性温敏特性的特点，能够实现器件结温的准确测量。
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公开(公告)号：CN112083305B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010739182.X
申请日：2020-07-28
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本公开提供一种SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括对处于不同测试温度下的参考SiC MOSFET器件施加预设栅源负电压和预设源漏电流，以测量所述参考SiC MOSFET器件在不同测试温度下的源‑漏二极管结电压；对所有测试温度及其对应的所述参考SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压进行线性拟合，得到源‑漏二极管结电压与温度的线性关系；对待测SiC MOSFET器件施加所述预设栅源负电压和所述预设源漏电流，以测量所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压；利用所述线性关系，根据所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压确定其结温。该方法利用SiC MOSFET器件的结电压在一定的栅源负电压下具有良好线性温敏特性的特点，能够实现器件结温的准确测量。
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