公开(公告)号：CN114024323B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202111273329.1

申请日：2021-10-29

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 沈飞淞 ,  曾宏 ,  刘敏安 ,  陈彦 ,  潘学军 ,  邹平 ,  陈芳林 ,  陈勇民

IPC: H02J3/18 ,  H02J7/34 ,  H02M1/06 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明公开了一种投切控制装置的辅助供电电路及电子器件投切电路，投切控制装置的辅助供电电路，包括RC电路和取能电路；RC电路一端连接于第一电子器件的一端，RC电路另一端连接取能电路的第一输入端；取能电路的第二输入端连接于第一电子器件的另一端，取能电路的输出端连接投切控制装置；投切控制装置为用于控制与第一电子器件串联的第二电子器件投切的装置。采用本发明，可以保证投切控制装置的工作稳定性。

公开(公告)号：CN112803373B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202011474538.8

申请日：2020-12-14

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 曾宏 ,  潘学军 ,  刘敏安 ,  陈彦 ,  陈芳林 ,  陈勇民 ,  邹平 ,  沈飞淞

IPC: H02H7/20

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件保护电路、控制方法、存储介质以及设备，其包括关断模块、保护模块和控制模块。其中，控制模块配置为响应于用于指示功率半导体器件短路的指令而控制关断模块动作以断开关断电路，从而能够在功率半导体器件失效或者外界原因造成门阴极短路后，仍能保护关断电路上的器件；另外，还控制保护模块动作以接通保护电路，确保实现门阴极短路，有效提高功率半导体器件的承压能力以及升压速率，并可以在外部因素导致门阴极短路的情况下可以快速接通保护电路，保护整个功率半导体驱动关断电路的安全性，同时提高功率半导体器件的可适用性、可靠性以及重复应用性。

公开(公告)号：CN114040568A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202111268274.5

申请日：2021-10-29

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 曾宏 ,  沈飞淞 ,  刘敏安 ,  任亚东 ,  陈芳林 ,  陈彦 ,  潘学军 ,  邹平 ,  陈勇民 ,  孙永伟

IPC: H05K1/11 ,  H05K1/14 ,  H01L25/07

Abstract: 本申请提供了一种IGCT以及大功率半导体器件。该IGCT包括GCT、接口板、驱动板和屏蔽罩，屏蔽罩位于接口板下方，接口板包括相邻设置的接口板一部和接口板二部，屏蔽罩包括相邻设置的屏蔽罩一部和屏蔽罩二部，接口板一部、屏蔽罩一部以及GCT压接配合，GCT凸出于接口板一部的台阶面为阳极台面，GCT凸出于屏蔽罩一部的台阶面为阴极台面；驱动板与接口板二部和屏蔽罩二部可拆卸地连接。利用该IGCT，通过将IGCT传统的驱动单元电路板拆分为接口板和驱动板，接口板一侧与GCT、屏蔽罩压接，接口板另一侧与驱动板、屏蔽罩可拆卸地连接，从而为定期更换驱动板提供了结构基础。

公开(公告)号：CN114024323A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111273329.1

申请日：2021-10-29

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 沈飞淞 ,  曾宏 ,  刘敏安 ,  陈彦 ,  潘学军 ,  邹平 ,  陈芳林 ,  陈勇民

IPC: H02J3/18 ,  H02J7/34 ,  H02M1/06 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明公开了一种投切控制装置的辅助供电电路及电子器件投切电路，投切控制装置的辅助供电电路，包括RC电路和取能电路；RC电路一端连接于第一电子器件的一端，RC电路另一端连接取能电路的第一输入端；取能电路的第二输入端连接于第一电子器件的另一端，取能电路的输出端连接投切控制装置；投切控制装置为用于控制与第一电子器件串联的第二电子器件投切的装置。采用本发明，可以保证投切控制装置的工作稳定性。

公开(公告)号：CN112803373A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN202011474538.8

申请日：2020-12-14

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 曾宏 ,  潘学军 ,  刘敏安 ,  陈彦 ,  陈芳林 ,  陈勇民 ,  邹平 ,  沈飞淞

IPC: H02H7/20

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件保护电路、控制方法、存储介质以及设备，其包括关断模块、保护模块和控制模块。其中，控制模块配置为响应于用于指示功率半导体器件短路的指令而控制关断模块动作以断开关断电路，从而能够在功率半导体器件失效或者外界原因造成门阴极短路后，仍能保护关断电路上的器件；另外，还控制保护模块动作以接通保护电路，确保实现门阴极短路，有效提高功率半导体器件的承压能力以及升压速率，并可以在外部因素导致门阴极短路的情况下可以快速接通保护电路，保护整个功率半导体驱动关断电路的安全性，同时提高功率半导体器件的可适用性、可靠性以及重复应用性。

公开(公告)号：CN216490256U

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202122587046.6

申请日：2021-10-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 曾宏 ,  罗海辉 ,  任亚东 ,  刘敏安 ,  陈彦 ,  陈芳林 ,  沈飞淞 ,  潘学军 ,  陈勇民 ,  邹平

IPC: H02M7/04

Abstract: 本实用新型公开了一种高位取能电路，包括主晶闸管、正向充电模块、负向充电模块和RC吸收模块；所述正向充电模块包括第一二极管、第二二极管、第一维持晶闸管、第一维持信号单元和第一充电电容；所述负向充电模块包括第三二极管、第四二极管、第二维持晶闸管、第二维持信号单元和第二充电电容；所述RC吸收模块包括吸收电阻和吸收电容；当主晶闸管的阳极为正电压时，端电压加在第一维持晶闸管、吸收电阻、吸收电容、第三二极管形成的回路；当主晶闸管V1的阳极为负电压时，端电压加在第二维持晶闸管、吸收电阻、吸收电容、第一二极管形成的回路，这样，整个周期内控制单元均能够从RC吸收回路取电，延长了取电时间，提高了取电功率。